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最新專(zhuān)利技術(shù)
  • 一種天線結(jié)構(gòu)及電子裝置。天線結(jié)構(gòu)包含一散熱器與一饋入源；散熱器包含多個(gè)散熱鰭片及一金屬連接部；此些散熱鰭片彼此間隔設(shè)置，且具有相同的一鰭片長(zhǎng)度；金屬連接部連接各散熱鰭片的一端；饋入源設(shè)置于此些散熱鰭片的一側(cè)，并以一直接饋入方式與一耦合饋入方...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種提高安全性和高功率性能的電池蓋組件及電池，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域，包括電池蓋板、正極柱、負(fù)極柱、防爆閥和注液孔蓋，正極柱包括正極集流體、正極引出端、正極密封件、正極外部絕緣件、正極內(nèi)部絕緣件，負(fù)極柱包括負(fù)極集流體、負(fù)極引出端、負(fù)極...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N極片、電芯及電芯物理量檢測(cè)系統(tǒng)，其中的極片包括極片本體，極片本體被劃分為至少一個(gè)極片區(qū)域，極片本體通過(guò)連接端與電源端連接，當(dāng)電源端輸入測(cè)試電信號(hào)后，極片本體上的測(cè)試端子將極片區(qū)域的區(qū)域電信號(hào)發(fā)送至電信號(hào)檢測(cè)部件。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種電解液添加劑、電解液、電池和用電裝置，其中所述電解液添加劑包括式1所示化合物和保護(hù)劑， 2025-05-30
  • 本發(fā)明提供了一種質(zhì)子交換膜燃料電池的活化方法。所述活化方法包括以下步驟：氮?dú)獯祾摺⒖諝饨荨⒏叩碗娢豢焖傺h(huán)、陰極饑餓。本發(fā)明通過(guò)氮?dú)鈱㈥庩?yáng)極管路和腔體中的氣體排出，防止陽(yáng)極發(fā)生氫空界面造成催化劑不可逆的衰減；隨后采取空氣浸泡的將陽(yáng)極催化劑...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種燃料電池系統(tǒng)的排水控制方法、裝置及電子設(shè)備。其中，該方法包括：接收排水控制請(qǐng)求；響應(yīng)于排水控制請(qǐng)求，確定燃料電池系統(tǒng)中的氫泵對(duì)應(yīng)的電流波動(dòng)值；在電流波動(dòng)值大于預(yù)定閾值的情況下，確定燃料電池系統(tǒng)中的排水閥對(duì)應(yīng)的初始開(kāi)閉頻率，以...
  • 本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N熱管理子系統(tǒng)，其包括換熱器、連接在電堆與換熱器之間以使冷卻劑在其間循環(huán)的冷卻劑回路、以及導(dǎo)流機(jī)構(gòu)。導(dǎo)流機(jī)構(gòu)被用于與設(shè)置在陰極排氣管線上以由陰極廢氣驅(qū)動(dòng)的渦輪機(jī)的渦輪機(jī)出口連通，且能夠在第一導(dǎo)流狀態(tài)與第二導(dǎo)流狀態(tài)之間切換。導(dǎo)流...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝虽嚩坞姵赜谜龢O材料、該正極材料的制備方法、正極極片、二次電池、二次電池的使用方法及用電裝置。本申請(qǐng)的鋰二次電池用正極材料包括基體和設(shè)置在所述基體表面的修飾體；基體包括LixAsMn<...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示面板及其制備方法，該顯示面板包括基底、第一絕緣層、鍵合金屬層、第一導(dǎo)電層、發(fā)光層、第二絕緣層、第二導(dǎo)電層，貫穿鍵合金屬層、第一導(dǎo)電層、發(fā)光層設(shè)置有第二過(guò)孔，第二導(dǎo)電層覆蓋第二過(guò)孔的底面、側(cè)面、發(fā)光層設(shè)置，第二導(dǎo)電層...
  • 本發(fā)明提供一種用于將散熱器附接到半導(dǎo)體封裝的方法。所述方法包括：提供半導(dǎo)體封裝，其中所述半導(dǎo)體封裝包括封裝基底、安裝于所述封裝基底上的半導(dǎo)體元件以及形成于所述封裝基底上且包封所述半導(dǎo)體元件的模蓋，并且其中所述模蓋包括可激光激活的模塑材料；通...
  • 本發(fā)明提供一種導(dǎo)電接觸孔的制備方法及半導(dǎo)體器件，該制備方法在第一層間介質(zhì)層與第三層間介質(zhì)層之間設(shè)置具有第一窗口的第二層間介質(zhì)層，從而可通過(guò)該第一窗口的大小控制第二次刻蝕形成的第二刻蝕孔的口徑，以降低導(dǎo)電接觸孔底部刻蝕的控制難度；另外使第一次...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種鍵合對(duì)準(zhǔn)裝置及方法，鍵合對(duì)準(zhǔn)裝置包括：第一工作臺(tái)，包括第一表面，用于固定第一待對(duì)準(zhǔn)件；第二工作臺(tái)，包括第二表面，用于固定第二待對(duì)準(zhǔn)件，且第二表面和第一表面沿第一方向相對(duì)且間隔設(shè)置；間隙調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，用于沿第一方向調(diào)節(jié)第二表面與第一...
  • 本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N晶圓氣泡檢測(cè)方法，包括根據(jù)至少兩張晶圓檢測(cè)圖片生成晶圓模板圖，其中所述晶圓模板圖包括晶圓電路紋理；以及，根據(jù)待檢測(cè)圖和所述晶圓模板圖的差異得到所述待檢測(cè)圖的晶圓氣泡缺陷。本申請(qǐng)還提出一種晶圓氣泡檢測(cè)方法，包括生成包括晶圓電路紋...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種金屬層刻蝕方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體工藝及裝備領(lǐng)域。一種金屬層刻蝕方法包括：執(zhí)行第一刻蝕步，向反應(yīng)腔室內(nèi)通入第一刻蝕氣體，用以刻蝕所述金屬層，所述金屬層下方設(shè)置有氮化物層，且所述氮化物層與所述金屬層相接觸；檢測(cè)CN光譜...
  • 本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體薄膜及其制備方法，利用圖案化的襯底形成具有鏤空結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體薄膜，以半導(dǎo)體薄膜為掩膜，通過(guò)濕法刻蝕進(jìn)一步除去襯底，第一凹槽被刻蝕形成第二凹槽，第二凹槽在所述襯底所在平面的正投影面積大于所述鏤空結(jié)構(gòu)在所述襯底所在平面的正投...
  • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。所述制作方法中，在半導(dǎo)體基片的表面堆疊金屬層以及氮化鈦層后，先沉積鎢層，再進(jìn)行退火，使所述金屬層與含硅導(dǎo)電區(qū)發(fā)生金屬硅化反應(yīng)，可以避免由于提前退火導(dǎo)致的氮化鈦層致密性變差，確保氮化鈦層在沉積鎢層的工藝中對(duì)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種調(diào)控輝光放電質(zhì)譜深度濺射的磁場(chǎng)裝置及其方法，該裝置包括：殼體，所述殼體為中空結(jié)構(gòu)；蓋體，適配蓋設(shè)于所述殼體的開(kāi)口處，所述蓋體遠(yuǎn)離所述殼體的一側(cè)設(shè)置有限位部；絕緣板，適配裝設(shè)于所述殼體內(nèi)，所述絕緣板沿高度方向設(shè)置有第一通孔和六...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，本發(fā)明制備的蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復(fù)合材料包含ZIF?67和NiCo LDH兩種物質(zhì)，能夠充分發(fā)揮不同材料之間的協(xié)同作用，提高電極的比容量。另外，蜂巢狀結(jié)構(gòu)由...
  • 本發(fā)明屬于磁性材料領(lǐng)域。本發(fā)明提供了一種磁性結(jié)構(gòu)及其制造方法與用途，所述制造方法混合磁性粉末、熱固性樹(shù)脂及固化劑進(jìn)行造粒，將造粒料在恒溫恒壓下進(jìn)行第一壓制，然后在持續(xù)升溫減壓的狀態(tài)下，進(jìn)行第二壓制，得到磁性結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述方法通過(guò)升溫減壓的...
  • 本申請(qǐng)屬于核工業(yè)檢測(cè)領(lǐng)域，尤其是涉及一種核反應(yīng)冷卻液測(cè)量棒，其包括殼體、芯棒和測(cè)量組件，殼體沿其軸線開(kāi)設(shè)通孔，芯棒懸置于通孔內(nèi)，且芯棒的側(cè)面與殼體的內(nèi)壁存在均勻間隙；殼體和芯棒在同一端與測(cè)量組件固定連接，殼體和芯棒均為導(dǎo)體制成，核反應(yīng)冷卻液...
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