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  • 一種天線結構及電子裝置。天線結構包含一饋入源、一主輻射部、一金屬部以及一接地部；主輻射部信號連接饋入源；金屬部與主輻射部之間具有一第一間距；接地部與金屬部之間具有一第二間距，且與主輻射部之間具有一第三間距；其中主輻射部通過第一間距與金屬部耦...
  • 一種天線結構及電子裝置。天線結構包含一散熱器與一饋入源；散熱器包含多個散熱鰭片及一金屬連接部；此些散熱鰭片彼此間隔設置，且具有相同的一鰭片長度；金屬連接部連接各散熱鰭片的一端；饋入源設置于此些散熱鰭片的一側，并以一直接饋入方式與一耦合饋入方...
  • 本發明公開了一種提高安全性和高功率性能的電池蓋組件及電池，屬于電池技術領域，包括電池蓋板、正極柱、負極柱、防爆閥和注液孔蓋，正極柱包括正極集流體、正極引出端、正極密封件、正極外部絕緣件、正極內部絕緣件，負極柱包括負極集流體、負極引出端、負極...
  • 本申請提供一種極片、電芯及電芯物理量檢測系統，其中的極片包括極片本體，極片本體被劃分為至少一個極片區域，極片本體通過連接端與電源端連接，當電源端輸入測試電信號后，極片本體上的測試端子將極片區域的區域電信號發送至電信號檢測部件。在實際應用時，...
  • 本申請公開了一種電解液添加劑、電解液、電池和用電裝置，其中所述電解液添加劑包括式1所示化合物和保護劑， 2025-05-29
  • 本發明提供了一種質子交換膜燃料電池的活化方法。所述活化方法包括以下步驟：氮氣吹掃、空氣浸泡、高低電位快速循環、陰極饑餓。本發明通過氮氣將陰陽極管路和腔體中的氣體排出，防止陽極發生氫空界面造成催化劑不可逆的衰減；隨后采取空氣浸泡的將陽極催化劑...
  • 本發明公開了一種燃料電池系統的排水控制方法、裝置及電子設備。其中，該方法包括：接收排水控制請求；響應于排水控制請求，確定燃料電池系統中的氫泵對應的電流波動值；在電流波動值大于預定閾值的情況下，確定燃料電池系統中的排水閥對應的初始開閉頻率，以...
  • 本申請提出了一種熱管理子系統，其包括換熱器、連接在電堆與換熱器之間以使冷卻劑在其間循環的冷卻劑回路、以及導流機構。導流機構被用于與設置在陰極排氣管線上以由陰極廢氣驅動的渦輪機的渦輪機出口連通，且能夠在第一導流狀態與第二導流狀態之間切換。導流...
  • 本申請提供了鋰二次電池用正極材料、該正極材料的制備方法、正極極片、二次電池、二次電池的使用方法及用電裝置。本申請的鋰二次電池用正極材料包括基體和設置在所述基體表面的修飾體；基體包括LixAsMn<...
  • 本申請實施例公開了一種顯示面板及其制備方法，該顯示面板包括基底、第一絕緣層、鍵合金屬層、第一導電層、發光層、第二絕緣層、第二導電層，貫穿鍵合金屬層、第一導電層、發光層設置有第二過孔，第二導電層覆蓋第二過孔的底面、側面、發光層設置，第二導電層...
  • 本發明提供一種用于將散熱器附接到半導體封裝的方法。所述方法包括：提供半導體封裝，其中所述半導體封裝包括封裝基底、安裝于所述封裝基底上的半導體元件以及形成于所述封裝基底上且包封所述半導體元件的模蓋，并且其中所述模蓋包括可激光激活的模塑材料；通...
  • 本發明提供一種導電接觸孔的制備方法及半導體器件，該制備方法在第一層間介質層與第三層間介質層之間設置具有第一窗口的第二層間介質層，從而可通過該第一窗口的大小控制第二次刻蝕形成的第二刻蝕孔的口徑，以降低導電接觸孔底部刻蝕的控制難度；另外使第一次...
  • 本發明公開一種鍵合對準裝置及方法，鍵合對準裝置包括：第一工作臺，包括第一表面，用于固定第一待對準件；第二工作臺，包括第二表面，用于固定第二待對準件，且第二表面和第一表面沿第一方向相對且間隔設置；間隙調節機構，用于沿第一方向調節第二表面與第一...
  • 本申請提出一種晶圓氣泡檢測方法，包括根據至少兩張晶圓檢測圖片生成晶圓模板圖，其中所述晶圓模板圖包括晶圓電路紋理；以及，根據待檢測圖和所述晶圓模板圖的差異得到所述待檢測圖的晶圓氣泡缺陷。本申請還提出一種晶圓氣泡檢測方法，包括生成包括晶圓電路紋...
  • 本申請公開了一種金屬層刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體工藝及裝備領域。一種金屬層刻蝕方法包括：執行第一刻蝕步，向反應腔室內通入第一刻蝕氣體，用以刻蝕所述金屬層，所述金屬層下方設置有氮化物層，且所述氮化物層與所述金屬層相接觸；檢測CN光譜...
  • 本公開提供了一種半導體薄膜及其制備方法，利用圖案化的襯底形成具有鏤空結構的半導體薄膜，以半導體薄膜為掩膜，通過濕法刻蝕進一步除去襯底，第一凹槽被刻蝕形成第二凹槽，第二凹槽在所述襯底所在平面的正投影面積大于所述鏤空結構在所述襯底所在平面的正投...
  • 本發明涉及一種半導體器件的制作方法。所述制作方法中，在半導體基片的表面堆疊金屬層以及氮化鈦層后，先沉積鎢層，再進行退火，使所述金屬層與含硅導電區發生金屬硅化反應，可以避免由于提前退火導致的氮化鈦層致密性變差，確保氮化鈦層在沉積鎢層的工藝中對...
  • 本發明公開了一種調控輝光放電質譜深度濺射的磁場裝置及其方法，該裝置包括：殼體，所述殼體為中空結構；蓋體，適配蓋設于所述殼體的開口處，所述蓋體遠離所述殼體的一側設置有限位部；絕緣板，適配裝設于所述殼體內，所述絕緣板沿高度方向設置有第一通孔和六...
  • 本發明公開了蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復合材料及其制備方法和應用，本發明制備的蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復合材料包含ZIF?67和NiCo LDH兩種物質，能夠充分發揮不同材料之間的協同作用，提高電極的比容量。另外，蜂巢狀結構由...
  • 本發明屬于磁性材料領域。本發明提供了一種磁性結構及其制造方法與用途，所述制造方法混合磁性粉末、熱固性樹脂及固化劑進行造粒，將造粒料在恒溫恒壓下進行第一壓制，然后在持續升溫減壓的狀態下，進行第二壓制，得到磁性結構。本發明所述方法通過升溫減壓的...
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