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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明公開了硅碳復(fù)合材料及其制備方法、負(fù)極極片、電池和用電裝置。該硅碳復(fù)合材料包括多孔碳材料和納米硅顆粒，至少一部分的所述納米硅顆粒分布在所述多孔碳材料內(nèi)部，其中：所述納米硅顆粒的平均粒徑為2nm～10nm；以所述硅碳復(fù)合材料的質(zhì)量為基準(zhǔn)，...
  • 本發(fā)明提供了一種橄欖石磷酸鐵鈉復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，具體涉及鈉離子電池技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法包括以下步驟：A、將納米級(jí)橄欖石磷酸鐵、有機(jī)鈉鹽和還原劑加入第一溶劑中攪拌均勻，加熱進(jìn)行離子滲透，去除第一溶劑后對(duì)產(chǎn)物第一烘干得到橄欖石磷酸鐵鈉...
  • 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種負(fù)極材料及其制備方法以及負(fù)極極片與鋰離子電池。負(fù)極材料呈三維多孔網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，由高比表多孔碳、親鋰化合物、金屬鋰和氣凝膠外碳層組成；其中，親鋰化合物和金屬鋰分散在高比表多孔碳的空隙中及表面；通過高比表多孔碳與親鋰化合物相結(jié)合...
  • 本發(fā)明公開了一種正極材料及其制備方法和應(yīng)用,制備方法包括：將正極活性材料、表面活性劑和溶劑置于分散設(shè)備中進(jìn)行分散處理，混合均勻得到第一溶液；將釩源材料和磷源材料加入到上述第一溶液中，繼續(xù)分散處理，混合均勻得到第二溶液；將第二溶液置于干燥設(shè)備...
  • 本申請(qǐng)涉及二次電池技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種負(fù)極極片及其制備方法、電池單體和用電裝置。該負(fù)極極片包括負(fù)極集流體和設(shè)置于負(fù)極集流體至少一個(gè)表面上的負(fù)極活性層，在負(fù)極活性層遠(yuǎn)離所述負(fù)極集流體的一側(cè)的表面上設(shè)置有界面層，界面層的材料滿足以下條件：理論還...
  • 本公開涉及一種鈮摻雜的鎳鈷錳鋁酸鋰四元材料及其制備方法和使用其的鋰離子電池，該方法包括以下步驟：(1)將含有鋁基水滑石的懸濁液、鎳鈷錳三元前驅(qū)體與含鈮化合物接觸，反應(yīng)得到預(yù)產(chǎn)物；(2)將所述預(yù)產(chǎn)物與含鋰化合物進(jìn)行球磨，并將得到的混合物在含氧...
  • 本公開涉及一種鈮磷共摻雜的鎳鈷錳鋁酸鋰四元材料及其制備方法和使用其的鋰離子電池，該方法采用通過特定方法制備的鎳鈷鋁三元前驅(qū)體與含有過渡金屬元素的鋁基水滑石懸濁液和含鈮化合物反應(yīng)，再與鋰源混合焙燒，最后經(jīng)過磷的摻雜得到鈮磷共摻雜的鎳鈷錳鋁酸鋰...
  • 本公開涉及一種鹵素?fù)诫s的四元正極材料及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳、鋁源和錳源進(jìn)行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將所述第一固體物料與鈷源進(jìn)行第二固相混合，并將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進(jìn)行第一熱處理，得...
  • 本公開涉及一種鎳鈷鋁酸鋰正極材料及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳與鋁源進(jìn)行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將鈷源與所述第一固體物料進(jìn)行第二固相混合，將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進(jìn)行第一熱處理，得到第二固體物...
  • 本公開涉及一種鹵素?fù)诫s的鎳鈷鋁酸鋰及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳與鋁源進(jìn)行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將所述第一固體物料與鈷源進(jìn)行第二固相混合，并將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進(jìn)行第一熱處理，得到第二固...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種射頻功率組件和電子設(shè)備，涉及通信設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。射頻功率組件包括基板、第一芯片、第二芯片、絕緣層、至少三個(gè)導(dǎo)電塊、第一連接部和第二連接部。絕緣層的至少部分設(shè)于第一芯片和第二芯片的遠(yuǎn)離基板的一側(cè)。至少三個(gè)導(dǎo)電塊設(shè)于絕緣層的...
  • 本發(fā)明提供一種金屬互連結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供一基底，基底上具有第一介質(zhì)層和第一金屬層；在第一金屬層和基底表面形成種子層；在基底上形成犧牲層，在犧牲層中形成電鍍窗口；在電鍍窗口中的種子層上電鍍第二金屬層，藉由電鍍窗口控制第二金屬層的圖案，...
  • 本發(fā)明公開了一種基板保持裝置及基板卡盤。該基板保持裝置包括：基座，裝配于基板卡盤的邊緣；支撐部，固定于基座，用于通過設(shè)置在其頂部的球面點(diǎn)接觸并支撐基板；導(dǎo)向柱，固定于基座，用于將基板引導(dǎo)并限位于預(yù)設(shè)位置；夾持件，其活動(dòng)連接于基座，用于在基板...
  • 本發(fā)明提供了一種晶圓的解離吸附控制方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：當(dāng)反應(yīng)腔室中所述晶圓的加工工藝結(jié)束時(shí)，關(guān)閉射頻電源功率，停止向反應(yīng)腔室通入反應(yīng)氣體；其中，晶圓下方持續(xù)通入背吹氣體；對(duì)晶圓下方的靜電卡盤進(jìn)行電荷中和控制...
  • 本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備及其自清洗方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，包括：腔體、承載裝置、防護(hù)罩和自清洗裝置；所述承載裝置和所述防護(hù)罩均設(shè)于所述腔體內(nèi)，所述防護(hù)罩圍設(shè)于所述承載裝置的外側(cè)，所述防護(hù)罩包括沿所述腔體的軸向...
  • 本發(fā)明提供一種外延層厚度的測(cè)量方法，包括：提供一襯底；通過離子注入工藝在襯底中形成摻雜測(cè)試區(qū)；在襯底上形成外延層，外延層與摻雜測(cè)試區(qū)具有摻雜濃度差；基于外延層與摻雜測(cè)試區(qū)的摻雜濃度差，通過傅立葉變換紅外光譜儀對(duì)摻雜測(cè)試區(qū)上的外延層進(jìn)行厚度檢...
  • 本發(fā)明提供一種電子封裝組件和一種形成電子封裝組件的方法。該方法包括：提供具有前向表面和背向表面的封裝基板；通過焊料凸塊將背向?qū)щ妷K附接到封裝基板的背向表面上；將封裝基板裝載在第一底部模具上，其中背向?qū)щ妷K面朝上，并利用第一頂部模具使背向?qū)щ?..
  • 本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體工藝方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體工藝方法，用于通過工藝藥液對(duì)工藝腔體內(nèi)的晶圓進(jìn)行工藝處理；所述半導(dǎo)體工藝方法包括：制備濃度為第一濃度，溫度為第一溫度的工藝藥液；將所述工藝腔體內(nèi)的壓力由常壓增大至預(yù)設(shè)...
  • 本發(fā)明提供了一種等離子體工藝方法及等離子體處理設(shè)備，屬于等離子體處理領(lǐng)域，為了保證刻蝕結(jié)構(gòu)的形貌一致性，具體包括通入反應(yīng)氣體，將基片放入反應(yīng)腔，激發(fā)等離子體后執(zhí)行刻蝕步驟和修飾步驟，其中將激發(fā)等離子體的源射頻的功率和控制方向的偏置射頻的功率...
  • 本發(fā)明提供了一種等離子體工藝方法及等離子體處理設(shè)備，屬于等離子體處理領(lǐng)域，為了保證刻蝕結(jié)構(gòu)的形貌一致性，具體包括通入反應(yīng)氣體，將基片放入反應(yīng)腔，激發(fā)等離子體后執(zhí)行基片刻蝕工藝，并將刻蝕工藝隨著刻蝕深度的推進(jìn)設(shè)為不同的處理階段，每一處理階段都...
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