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最新專利技術(shù)
  • 本公開提供了一種基于情感分析的業(yè)務(wù)處理方法、處理裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì),涉及情感識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域。其中,基于情感分析的業(yè)務(wù)處理方法包括:對(duì)進(jìn)行情感類型打標(biāo)后的語音數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理,得到預(yù)處理數(shù)據(jù);對(duì)預(yù)處理數(shù)據(jù)進(jìn)行時(shí)域與頻域的特征提取,得到原始時(shí)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光驅(qū)管理方法、光驅(qū)管理裝置、光盤庫系統(tǒng)、計(jì)算設(shè)備以及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),光驅(qū)管理方法和裝置用于管理光盤庫的多個(gè)光驅(qū),方法包括:接收用于申請(qǐng)光驅(qū)的請(qǐng)求,所申請(qǐng)的光驅(qū)用于對(duì)光盤庫中的光盤執(zhí)行讀操作或?qū)懖僮?;在確定多個(gè)光驅(qū)中用于讀操...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光盤庫,包括:第一框架和多個(gè)固定裝置,多個(gè)固定裝置安裝在第一框架上,每個(gè)固定裝置可以固定光盤匣或者光驅(qū)中的任一個(gè)。本申請(qǐng)通過將第一框架設(shè)置為可調(diào)整結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)第一框架既可以放置光盤匣,也可以放置光驅(qū),還可以放置光盤匣和光驅(qū),進(jìn)而...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N讀參考電路、其補(bǔ)償方法及讀參考電路裝置。該讀參考電路包括:靈敏放大模塊,第一電路模塊和第二電路模塊,靈敏放大模塊具有第一輸入端和第二輸入端;第一電路模塊包括第一參考模塊,第一參考模塊包括第一磁隧道結(jié)單元和第一開關(guān)器件,第一參...
  • 本發(fā)明公開了一種基于深度學(xué)習(xí)的核酸細(xì)胞粒度反卷積方法及裝置,涉及人工智能領(lǐng)域或其他相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:獲取目標(biāo)對(duì)象的核酸表達(dá)譜,核酸表達(dá)譜是通過預(yù)設(shè)測序技術(shù)獲取得到,將核酸表達(dá)譜輸入至目標(biāo)深度學(xué)習(xí)模型,由目標(biāo)深度學(xué)習(xí)模型對(duì)核酸表達(dá)譜進(jìn)...
  • 本發(fā)明公開了一種文件解析方法和裝置,涉及智慧醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括:根據(jù)當(dāng)前負(fù)載狀態(tài)從預(yù)置的上游消息隊(duì)列中讀取待解析文件標(biāo)識(shí),并利用所述待解析文件標(biāo)識(shí)獲取所述待解析文件;檢測所述待解析文件的文件類型,按照預(yù)先配置的第一對(duì)應(yīng)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N營養(yǎng)泵控制方法及設(shè)備,涉及智能喂養(yǎng)技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取喂養(yǎng)對(duì)象信息;根據(jù)喂養(yǎng)對(duì)象信息確定目標(biāo)喂養(yǎng)量,目標(biāo)喂養(yǎng)量包括以下至少一項(xiàng):目標(biāo)能量和目標(biāo)營養(yǎng)量;根據(jù)目標(biāo)喂養(yǎng)量控制營養(yǎng)泵輸出目標(biāo)營養(yǎng)品。本申請(qǐng)結(jié)合喂養(yǎng)對(duì)象在各個(gè)維度上...
  • 本發(fā)明提供一種耗材在位檢測方法、裝置、設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括根據(jù)數(shù)據(jù)采集裝置采集的信息,確定設(shè)置到營養(yǎng)設(shè)備的耗材的在位狀態(tài)信息;所述在位狀態(tài)信息包括耗材連接件狀態(tài)信息、切換件狀態(tài)信息、防脫件狀態(tài)信息、上游管路狀態(tài)信息、下游管路...
  • 本申請(qǐng)涉及一種檢查序列的參數(shù)修改方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括:獲取預(yù)設(shè)參數(shù)集;預(yù)設(shè)參數(shù)集中包括多個(gè)參數(shù),參數(shù)為多個(gè)檢查序列對(duì)應(yīng)的共有參數(shù);針對(duì)待處理的檢查序列,從預(yù)設(shè)參數(shù)集中獲取待處理的檢查序列對(duì)應(yīng)的目標(biāo)參數(shù)的參數(shù)信息;根據(jù)...
  • 本公開提出一種用于核電廠的機(jī)組故障檢測方法,包括:在預(yù)設(shè)時(shí)間周期內(nèi)的每個(gè)數(shù)據(jù)采集時(shí)間采集核電廠中目標(biāo)機(jī)組的初始運(yùn)行數(shù)據(jù),目標(biāo)機(jī)組所處目標(biāo)環(huán)境區(qū)域的初始環(huán)境數(shù)據(jù),對(duì)多個(gè)初始運(yùn)行數(shù)據(jù)和與每個(gè)初始運(yùn)行數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)采集時(shí)間進(jìn)行線性擬合處理,以獲取...
  • 本公開提出一種用于核電廠熱工水力系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)調(diào)節(jié)方法,包括:獲取對(duì)熱工水力系統(tǒng)中泵轉(zhuǎn)速調(diào)整至一回路流量滿足預(yù)設(shè)一回路流量條件的第一調(diào)整次數(shù),對(duì)二回路壓力調(diào)整至一回路平均溫度滿足預(yù)設(shè)溫度條件的第二調(diào)整次數(shù),對(duì)二回路給水流量進(jìn)行調(diào)整至二回路給水流...
  • 本發(fā)明提供一種聚合物混合型導(dǎo)體及其制備方法和應(yīng)用。所述聚合物混合型導(dǎo)體包括導(dǎo)電聚合物、砜類小分子添加劑和電解質(zhì)鹽;所述砜類小分子添加劑和電解質(zhì)鹽的質(zhì)量比為(1?3):(1?3)。本發(fā)明將結(jié)合電解質(zhì)鹽的固態(tài)砜類小分子導(dǎo)離子組分引入導(dǎo)電聚合物中...
  • 本發(fā)明專利公開了一種額定電壓1kV及以下改性聚丙烯絕緣電力電纜及其制造方法,包括主線芯、成纜繞包、內(nèi)護(hù)套、鋼帶鎧裝和外護(hù)套,主線芯的絕緣層采用改性聚丙烯作為絕緣材料。改性聚丙烯屬熱塑性材料,可回收再利用,綠色環(huán)保,而且改性聚丙烯有較好的耐熱...
  • 本發(fā)明涉及一種66kV海上風(fēng)力發(fā)電機(jī)用油浸式變壓器,包括鐵芯、低壓線圈、高壓線圈和油箱,其中鐵芯、低壓線圈和高壓線圈均設(shè)于油箱內(nèi),并且低壓線圈套置于鐵芯的對(duì)應(yīng)芯柱上,高壓線圈套置于對(duì)應(yīng)的低壓線圈上,低壓線圈的高度H2大于高壓線圈的高度H1,...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N滑動(dòng)式匝數(shù)可變的抽頭線圈,包括:螺旋結(jié)構(gòu)和滑動(dòng)桿;螺旋結(jié)構(gòu)包括n≥2匝直徑不等的螺旋線圈和補(bǔ)償電容,補(bǔ)償電容串聯(lián)在螺旋線圈上;滑動(dòng)桿包括觸頭和長桿;根據(jù)需要接入電路的線圈匝數(shù)k,將滑動(dòng)桿的端部移動(dòng)到第k匝裸露線圈處,以將k匝...
  • 本發(fā)明公開了一種復(fù)合材質(zhì)電子鋁箔及其制造方法,屬于電子鋁箔制造技術(shù)領(lǐng)域。為增加鋁電解電容器陽極鋁箔發(fā)孔長度的一致性,提升陽極鋁箔的機(jī)械性能及電容量,通過在電子鋁箔生產(chǎn)過程中采取鑄造芯層板錠技術(shù),采用特殊的鑄錠方法,在板錠制備高純鋁芯層,經(jīng)過...
  • 一種開關(guān)裝置,包括外殼,在外殼內(nèi)沿第一方向設(shè)置有電磁操作系統(tǒng)以及至少一個(gè)接觸單元,所述電磁操作系統(tǒng)包括線圈組件和移動(dòng)組件,所述移動(dòng)組件與至少一個(gè)接觸單元的動(dòng)觸頭組件驅(qū)動(dòng)連接,所述外殼內(nèi)還設(shè)置有控制線路板,所述控制線路板在第二方向或第三方向上...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N直流斷路器,其中,該方法包括:直流斷路器包括:第一主開關(guān)、第二主開關(guān)、第一副開關(guān)、第二副開關(guān)、控制模塊以及電弧抵消模塊,第一主開關(guān)與第一副開關(guān)之間和第二主開關(guān)與第二副開關(guān)之間相互耦合,第一主開關(guān)的與第二主開關(guān)在主回路中串聯(lián),...
  • 本發(fā)明公開了一種多晶硅柵極刻蝕方法,利用HBr等離子體云轟擊光阻能使光阻內(nèi)的鍵能發(fā)生質(zhì)的變化的特性,在對(duì)多晶硅柵極刻蝕過程中增加一道只使用HBr的進(jìn)行線寬修正的步驟,根據(jù)工藝整合的需求,利用線寬修正步驟中HBr氣體的注入流量的調(diào)節(jié),來減小各...
  • 本發(fā)明提供了一種等離子體工藝方法及等離子體處理設(shè)備,屬于等離子體處理領(lǐng)域,為了保證刻蝕結(jié)構(gòu)的形貌一致性,具體包括通入反應(yīng)氣體,將基片放入反應(yīng)腔,激發(fā)等離子體后執(zhí)行基片刻蝕工藝,并將刻蝕工藝隨著刻蝕深度的推進(jìn)設(shè)為不同的處理階段,每一處理階段都...
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