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  • 具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)的合成單絲開放網(wǎng)格式的過濾織物，具有的經(jīng)線的線密度/cm不同于緯線的線密度/cm，并且其中經(jīng)線的直徑不同于緯線的直徑。本發(fā)明的合成單絲開放網(wǎng)格式的過濾織物在保證液體流量相等的情況下具有改進(jìn)的阻擋固體顆粒的能力；或可選擇地，與現(xiàn)...
  • 描述用于治療動(dòng)脈瘤的裝置和遞送方法，所述裝置包含具有敞開的遠(yuǎn)側(cè)端的可滲透外殼、具有管腔的內(nèi)部可壓縮網(wǎng)狀物結(jié)構(gòu)、以及包圍所述內(nèi)部可壓縮結(jié)構(gòu)的至少一部分的外部約束件。所述外部約束件可以具有變化的剛度。所述可滲透外殼的擴(kuò)張的構(gòu)造可以被成形為圓環(huán)體...
  • 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電容器件、其形成方法和電子設(shè)備，電容器件包括：底部導(dǎo)體層，位于基底上；位于基底上的多層導(dǎo)體層，多層導(dǎo)體層包括自所述基底依次層疊設(shè)置的底部導(dǎo)體層、至少一層中間導(dǎo)體層和頂部導(dǎo)體層；介電層，位于相鄰的所述底部...
  • 本發(fā)明公開了一種利用PbI2老化工藝制備高性能鈣鈦礦薄膜的方法。所述方法通過老化PbI2，老化后的PbI2表面孔洞增多且孔洞變大，增大PbI2與有機(jī)銨鹽...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板、顯示面板的制備方法及電子設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，所述顯示面板包括陣列基板、隔離結(jié)構(gòu)、發(fā)光單元和折射層；隔離結(jié)構(gòu)和發(fā)光單元位于像素界定層遠(yuǎn)離陣列基板的一側(cè)；隔離結(jié)構(gòu)圍合形成間隔設(shè)置的多個(gè)透鏡凹槽，發(fā)光單元在陣列...
  • 本發(fā)明公開了一種電子裝置，包括基板以及多個(gè)子像素。多個(gè)子像素設(shè)置在基板上，其中多個(gè)子像素沿著第一方向及第二方向排列，且第一方向不同于第二方向。多個(gè)子像素的其中一個(gè)在第一方向上具有第一寬度并在第二方向上具有第二寬度，且第一寬度對(duì)第二寬度的比值...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法及顯示裝置，發(fā)光器件包括依次層疊設(shè)置的基板、質(zhì)子交換層、第一電極、發(fā)光層和第二電極，所述質(zhì)子交換層包含H+基團(tuán)和Si?OH+基團(tuán)。質(zhì)子交換層可以改變基板表...
  • 本申請(qǐng)公開了一種光電器件及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。光電器件包括層疊設(shè)置的第一電極、發(fā)光層和第二電極，發(fā)光層的材料包括量子點(diǎn)和功能修飾劑，所述功能修飾劑包括尼龍。本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓怆娖骷校猃埧赦g化量子點(diǎn)表面的缺陷，進(jìn)而提高量子...
  • 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種弱化結(jié)構(gòu)的制作方法、弱化結(jié)構(gòu)及巨量轉(zhuǎn)移方法，通過該弱化結(jié)構(gòu)的制作方法制作得到弱化結(jié)構(gòu)，并借由該弱化結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移方法；該弱化結(jié)構(gòu)的制作方法包括：提供一載有多顆發(fā)光芯片的基板，在基板載有多顆發(fā)光芯片的一面...
  • 本發(fā)明公開了一種光伏組件的制作方法及光伏組件，光伏組件的制作方法步驟：在焊接機(jī)臺(tái)上鋪設(shè)第一蓋板；在第一蓋板上鋪設(shè)第一膠膜；在第一膠膜上排布第一電池串和第二電池串；通過焊接機(jī)的拾取部拾取提升第一電池串和第二電池串，并傳輸至焊接工位，在焊接工位...
  • 本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)寬帶偏振光電探測(cè)器及其制備方法，屬于光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的探測(cè)器包括：襯底；設(shè)置在襯底上的二維拓?fù)浣^緣體材料；部分設(shè)置在二維拓?fù)浣^緣體材料上方且與二維拓?fù)浣^緣體材料能帶匹配的二維偏振材料；設(shè)置在二維拓?fù)浣^緣體材料和...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述方法包括：提供襯底，包括形成第一柵極凹槽的第一區(qū)域與形成第二柵極凹槽的第二區(qū)域；依次形成柵介質(zhì)層、蓋帽層、刻蝕停止層與第一功函數(shù)層在第一柵極凹槽與第二柵極凹槽的側(cè)壁和底部；去除第一柵極凹槽的側(cè)壁和底...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其先形成線寬小的第一柵極，后形成線寬大的第二柵極，繼而形成上寬下窄的柵極(例如呈“T”型)，由此在不改變溝道尺寸的情況下，可以通過較寬的第二柵極的頂部來避免形成金屬硅化物時(shí)的線寬效應(yīng)，利于金屬硅化物從高阻...
  • 本發(fā)明提供一種碳納米管半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，碳納米管半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底；第一介質(zhì)層，位于基底，形成有多個(gè)具有第一開口尺寸的第一溝槽，第一溝槽底部部分區(qū)域形成有具有第二開口尺寸的第二溝槽，第二開口尺寸小于第一開口尺寸；碳納米管結(jié)構(gòu)，...
  • 本申請(qǐng)涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，包括：基底；體區(qū)和漂移區(qū)，沿第一方向排布于基底內(nèi)；漂移區(qū)內(nèi)設(shè)有漏區(qū)，體區(qū)內(nèi)設(shè)有源區(qū)；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介質(zhì)層，設(shè)于基底上，且至少覆蓋部分體區(qū)和部分漂移區(qū)；第一場(chǎng)板，設(shè)于第一介質(zhì)層遠(yuǎn)...
  • 本申請(qǐng)涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法。該橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)元胞結(jié)構(gòu)，元胞結(jié)構(gòu)包括：襯底；N型的第一阱區(qū)，設(shè)于襯底內(nèi)；第一阱區(qū)內(nèi)設(shè)有沿第一方向依次排布的第一分區(qū)、隔斷區(qū)和第二分區(qū)；P型的第一摻雜區(qū)和P型...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底，包括存儲(chǔ)單元區(qū)；疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)，位于存儲(chǔ)單元區(qū)的基底上，疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)包括浮柵結(jié)構(gòu)、以及位于浮柵結(jié)構(gòu)上的控制柵結(jié)構(gòu)，浮柵結(jié)構(gòu)一側(cè)相對(duì)于控制柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁向外凸出，且在浮柵結(jié)構(gòu)的凸出部分，浮柵結(jié)構(gòu)的頂面與側(cè)壁...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備。該半導(dǎo)體器件可以包括襯底；所述襯底包括多個(gè)第一半導(dǎo)體柱，所述第一半導(dǎo)體柱在第一方向上和第二方向上間隔排列；多條位線，位于第一半導(dǎo)體柱的上方；第一隔離層，位于多條位線之上；第二隔離層，位于第一...
  • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備，所述制造方法包括：在襯底上依次交替形成第一絕緣層和導(dǎo)電層，得到堆疊結(jié)構(gòu)；對(duì)堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖案化刻蝕，形成多個(gè)溝槽，導(dǎo)電層形成多個(gè)讀位線，在溝槽內(nèi)依次形成第二絕緣層和第一絕緣層，溝槽內(nèi)的第一絕緣層構(gòu)成絕緣部...
  • 一種屏蔽裝置，適于應(yīng)用在電子模塊，電子模塊設(shè)置于電子裝置的主板，電子裝置具有機(jī)殼底板，主板設(shè)有連接器，屏蔽裝置包含固定框及遮蔽蓋。固定框設(shè)有容置空間，適于容置連接器及電子模塊，固定框包含兩個(gè)第一側(cè)壁、兩個(gè)第二側(cè)壁以及抵壓片；抵壓片連接于兩個(gè)...
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