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  • 本發明公開了一種高壓實密度正極材料及其制備方法和應用,制備方法包括：將正極活性材料、第一碳源材料、第二碳源材料和溶劑置于攪拌設備，進行攪拌處理，混均勻，得到混合溶液；將混合溶液轉移至干燥設備中進行干燥處理，得到前驅體粉體；將前驅體粉體轉移至...
  • 本發明實施例涉及一種負極材料及其制備方法和應用該制備方法包括：將銅鹽溶于去離子水中，得到銅前驅體溶液；將生物質多孔碳浸于銅前驅體溶液中邊攪拌邊浸泡，得到混合溶液；其中，生物質多孔碳與銅鹽中的銅元素的質量比為20:1?200：1；攪拌時間為1...
  • 本發明公開了硅碳復合材料及其制備方法、負極極片、電池和用電裝置。該硅碳復合材料包括多孔碳材料和納米硅顆粒，至少一部分的所述納米硅顆粒分布在所述多孔碳材料內部，其中：所述納米硅顆粒的平均粒徑為2nm～10nm；以所述硅碳復合材料的質量為基準，...
  • 本發明提供了一種橄欖石磷酸鐵鈉復合材料及其制備方法和應用，具體涉及鈉離子電池技術領域。該制備方法包括以下步驟：A、將納米級橄欖石磷酸鐵、有機鈉鹽和還原劑加入第一溶劑中攪拌均勻，加熱進行離子滲透，去除第一溶劑后對產物第一烘干得到橄欖石磷酸鐵鈉...
  • 本發明實施例涉及一種負極材料及其制備方法以及負極極片與鋰離子電池。負極材料呈三維多孔網絡結構，由高比表多孔碳、親鋰化合物、金屬鋰和氣凝膠外碳層組成；其中，親鋰化合物和金屬鋰分散在高比表多孔碳的空隙中及表面；通過高比表多孔碳與親鋰化合物相結合...
  • 本發明公開了一種正極材料及其制備方法和應用,制備方法包括：將正極活性材料、表面活性劑和溶劑置于分散設備中進行分散處理，混合均勻得到第一溶液；將釩源材料和磷源材料加入到上述第一溶液中，繼續分散處理，混合均勻得到第二溶液；將第二溶液置于干燥設備...
  • 本申請涉及二次電池技術領域，提供了一種負極極片及其制備方法、電池單體和用電裝置。該負極極片包括負極集流體和設置于負極集流體至少一個表面上的負極活性層，在負極活性層遠離所述負極集流體的一側的表面上設置有界面層，界面層的材料滿足以下條件：理論還...
  • 本公開涉及一種鈮摻雜的鎳鈷錳鋁酸鋰四元材料及其制備方法和使用其的鋰離子電池，該方法包括以下步驟：(1)將含有鋁基水滑石的懸濁液、鎳鈷錳三元前驅體與含鈮化合物接觸，反應得到預產物；(2)將所述預產物與含鋰化合物進行球磨，并將得到的混合物在含氧...
  • 本公開涉及一種鈮磷共摻雜的鎳鈷錳鋁酸鋰四元材料及其制備方法和使用其的鋰離子電池，該方法采用通過特定方法制備的鎳鈷鋁三元前驅體與含有過渡金屬元素的鋁基水滑石懸濁液和含鈮化合物反應，再與鋰源混合焙燒，最后經過磷的摻雜得到鈮磷共摻雜的鎳鈷錳鋁酸鋰...
  • 本公開涉及一種鹵素摻雜的四元正極材料及其制備方法和應用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳、鋁源和錳源進行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將所述第一固體物料與鈷源進行第二固相混合，并將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進行第一熱處理，得...
  • 本公開涉及一種鎳鈷鋁酸鋰正極材料及其制備方法和應用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳與鋁源進行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將鈷源與所述第一固體物料進行第二固相混合，將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進行第一熱處理，得到第二固體物...
  • 本公開涉及一種鹵素摻雜的鎳鈷鋁酸鋰及其制備方法和應用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳與鋁源進行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將所述第一固體物料與鈷源進行第二固相混合，并將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進行第一熱處理，得到第二固...
  • 本申請實施例提供了一種射頻功率組件和電子設備，涉及通信設備技術領域。射頻功率組件包括基板、第一芯片、第二芯片、絕緣層、至少三個導電塊、第一連接部和第二連接部。絕緣層的至少部分設于第一芯片和第二芯片的遠離基板的一側。至少三個導電塊設于絕緣層的...
  • 本發明提供一種金屬互連結構的制備方法，包括：提供一基底，基底上具有第一介質層和第一金屬層；在第一金屬層和基底表面形成種子層；在基底上形成犧牲層，在犧牲層中形成電鍍窗口；在電鍍窗口中的種子層上電鍍第二金屬層，藉由電鍍窗口控制第二金屬層的圖案，...
  • 本發明公開了一種基板保持裝置及基板卡盤。該基板保持裝置包括：基座，裝配于基板卡盤的邊緣；支撐部，固定于基座，用于通過設置在其頂部的球面點接觸并支撐基板；導向柱，固定于基座，用于將基板引導并限位于預設位置；夾持件，其活動連接于基座，用于在基板...
  • 本發明提供了一種晶圓的解離吸附控制方法及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域，該方法包括：當反應腔室中所述晶圓的加工工藝結束時，關閉射頻電源功率，停止向反應腔室通入反應氣體；其中，晶圓下方持續通入背吹氣體；對晶圓下方的靜電卡盤進行電荷中和控制...
  • 本申請公開了一種半導體濕法清洗設備及其自清洗方法，涉及半導體領域。一種半導體濕法清洗設備，包括：腔體、承載裝置、防護罩和自清洗裝置；所述承載裝置和所述防護罩均設于所述腔體內，所述防護罩圍設于所述承載裝置的外側，所述防護罩包括沿所述腔體的軸向...
  • 本發明提供一種外延層厚度的測量方法，包括：提供一襯底；通過離子注入工藝在襯底中形成摻雜測試區；在襯底上形成外延層，外延層與摻雜測試區具有摻雜濃度差；基于外延層與摻雜測試區的摻雜濃度差，通過傅立葉變換紅外光譜儀對摻雜測試區上的外延層進行厚度檢...
  • 本發明提供一種電子封裝組件和一種形成電子封裝組件的方法。該方法包括：提供具有前向表面和背向表面的封裝基板；通過焊料凸塊將背向導電塊附接到封裝基板的背向表面上；將封裝基板裝載在第一底部模具上，其中背向導電塊面朝上，并利用第一頂部模具使背向導電...
  • 本申請公開了一種半導體工藝方法及半導體工藝設備，涉及半導體領域。一種半導體工藝方法，用于通過工藝藥液對工藝腔體內的晶圓進行工藝處理；所述半導體工藝方法包括：制備濃度為第一濃度，溫度為第一溫度的工藝藥液；將所述工藝腔體內的壓力由常壓增大至預設...
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