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  • 本發(fā)明實施例涉及一種預(yù)鈉化鈉離子電池負極材料及其制備方法和應(yīng)用，該制備方法包括：將碳前驅(qū)體與氫氧化鈉按照一定的質(zhì)量比混合并研磨，得到混合粉末；在惰性氣氛下，將混合粉末置于回轉(zhuǎn)爐中進行活化處理，以使氫氧化鈉分解并被碳前驅(qū)體中的碳還原，同時，對...
  • 本發(fā)明公開了一種高壓實密度正極材料及其制備方法和應(yīng)用,制備方法包括：將正極活性材料、第一碳源材料、第二碳源材料和溶劑置于攪拌設(shè)備，進行攪拌處理，混均勻，得到混合溶液；將混合溶液轉(zhuǎn)移至干燥設(shè)備中進行干燥處理，得到前驅(qū)體粉體；將前驅(qū)體粉體轉(zhuǎn)移至...
  • 本發(fā)明實施例涉及一種負極材料及其制備方法和應(yīng)用該制備方法包括：將銅鹽溶于去離子水中，得到銅前驅(qū)體溶液；將生物質(zhì)多孔碳浸于銅前驅(qū)體溶液中邊攪拌邊浸泡，得到混合溶液；其中，生物質(zhì)多孔碳與銅鹽中的銅元素的質(zhì)量比為20:1?200：1；攪拌時間為1...
  • 本發(fā)明公開了硅碳復(fù)合材料及其制備方法、負極極片、電池和用電裝置。該硅碳復(fù)合材料包括多孔碳材料和納米硅顆粒，至少一部分的所述納米硅顆粒分布在所述多孔碳材料內(nèi)部，其中：所述納米硅顆粒的平均粒徑為2nm～10nm；以所述硅碳復(fù)合材料的質(zhì)量為基準，...
  • 本發(fā)明提供了一種橄欖石磷酸鐵鈉復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，具體涉及鈉離子電池技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法包括以下步驟：A、將納米級橄欖石磷酸鐵、有機鈉鹽和還原劑加入第一溶劑中攪拌均勻，加熱進行離子滲透，去除第一溶劑后對產(chǎn)物第一烘干得到橄欖石磷酸鐵鈉...
  • 本發(fā)明實施例涉及一種負極材料及其制備方法以及負極極片與鋰離子電池。負極材料呈三維多孔網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，由高比表多孔碳、親鋰化合物、金屬鋰和氣凝膠外碳層組成；其中，親鋰化合物和金屬鋰分散在高比表多孔碳的空隙中及表面；通過高比表多孔碳與親鋰化合物相結(jié)合...
  • 本發(fā)明公開了一種正極材料及其制備方法和應(yīng)用,制備方法包括：將正極活性材料、表面活性劑和溶劑置于分散設(shè)備中進行分散處理，混合均勻得到第一溶液；將釩源材料和磷源材料加入到上述第一溶液中，繼續(xù)分散處理，混合均勻得到第二溶液；將第二溶液置于干燥設(shè)備...
  • 本申請涉及二次電池技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種負極極片及其制備方法、電池單體和用電裝置。該負極極片包括負極集流體和設(shè)置于負極集流體至少一個表面上的負極活性層，在負極活性層遠離所述負極集流體的一側(cè)的表面上設(shè)置有界面層，界面層的材料滿足以下條件：理論還...
  • 本公開涉及一種鈮摻雜的鎳鈷錳鋁酸鋰四元材料及其制備方法和使用其的鋰離子電池，該方法包括以下步驟：(1)將含有鋁基水滑石的懸濁液、鎳鈷錳三元前驅(qū)體與含鈮化合物接觸，反應(yīng)得到預(yù)產(chǎn)物；(2)將所述預(yù)產(chǎn)物與含鋰化合物進行球磨，并將得到的混合物在含氧...
  • 本公開涉及一種鈮磷共摻雜的鎳鈷錳鋁酸鋰四元材料及其制備方法和使用其的鋰離子電池，該方法采用通過特定方法制備的鎳鈷鋁三元前驅(qū)體與含有過渡金屬元素的鋁基水滑石懸濁液和含鈮化合物反應(yīng)，再與鋰源混合焙燒，最后經(jīng)過磷的摻雜得到鈮磷共摻雜的鎳鈷錳鋁酸鋰...
  • 本公開涉及一種鹵素摻雜的四元正極材料及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳、鋁源和錳源進行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將所述第一固體物料與鈷源進行第二固相混合，并將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進行第一熱處理，得...
  • 本公開涉及一種鎳鈷鋁酸鋰正極材料及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳與鋁源進行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將鈷源與所述第一固體物料進行第二固相混合，將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進行第一熱處理，得到第二固體物...
  • 本公開涉及一種鹵素摻雜的鎳鈷鋁酸鋰及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括以下步驟：S1、將氫氧化鎳與鋁源進行第一固相混合，得到第一固體物料；S2、將所述第一固體物料與鈷源進行第二固相混合，并將得到的混合物料在第一含氧氣氛下進行第一熱處理，得到第二固...
  • 本申請實施例提供了一種射頻功率組件和電子設(shè)備，涉及通信設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。射頻功率組件包括基板、第一芯片、第二芯片、絕緣層、至少三個導(dǎo)電塊、第一連接部和第二連接部。絕緣層的至少部分設(shè)于第一芯片和第二芯片的遠離基板的一側(cè)。至少三個導(dǎo)電塊設(shè)于絕緣層的...
  • 本發(fā)明提供一種金屬互連結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供一基底，基底上具有第一介質(zhì)層和第一金屬層；在第一金屬層和基底表面形成種子層；在基底上形成犧牲層，在犧牲層中形成電鍍窗口；在電鍍窗口中的種子層上電鍍第二金屬層，藉由電鍍窗口控制第二金屬層的圖案，...
  • 本發(fā)明公開了一種基板保持裝置及基板卡盤。該基板保持裝置包括：基座，裝配于基板卡盤的邊緣；支撐部，固定于基座，用于通過設(shè)置在其頂部的球面點接觸并支撐基板；導(dǎo)向柱，固定于基座，用于將基板引導(dǎo)并限位于預(yù)設(shè)位置；夾持件，其活動連接于基座，用于在基板...
  • 本發(fā)明提供了一種晶圓的解離吸附控制方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：當(dāng)反應(yīng)腔室中所述晶圓的加工工藝結(jié)束時，關(guān)閉射頻電源功率，停止向反應(yīng)腔室通入反應(yīng)氣體；其中，晶圓下方持續(xù)通入背吹氣體；對晶圓下方的靜電卡盤進行電荷中和控制...
  • 本申請公開了一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備及其自清洗方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備，包括：腔體、承載裝置、防護罩和自清洗裝置；所述承載裝置和所述防護罩均設(shè)于所述腔體內(nèi)，所述防護罩圍設(shè)于所述承載裝置的外側(cè)，所述防護罩包括沿所述腔體的軸向...
  • 本發(fā)明提供一種外延層厚度的測量方法，包括：提供一襯底；通過離子注入工藝在襯底中形成摻雜測試區(qū)；在襯底上形成外延層，外延層與摻雜測試區(qū)具有摻雜濃度差；基于外延層與摻雜測試區(qū)的摻雜濃度差，通過傅立葉變換紅外光譜儀對摻雜測試區(qū)上的外延層進行厚度檢...
  • 本發(fā)明提供一種電子封裝組件和一種形成電子封裝組件的方法。該方法包括：提供具有前向表面和背向表面的封裝基板；通過焊料凸塊將背向?qū)щ妷K附接到封裝基板的背向表面上；將封裝基板裝載在第一底部模具上，其中背向?qū)щ妷K面朝上，并利用第一頂部模具使背向?qū)щ?..
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