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  • 本發(fā)明屬于組培領(lǐng)域，具體涉及一種長(zhǎng)葉雪蓮愈傷組織誘導(dǎo)及培養(yǎng)的方法，包括以下步驟：A、取野生長(zhǎng)葉雪蓮的嫩芽及幼葉沖洗消毒，得到基部組織；B、將步驟A制得的基部組織切割后接種于愈傷組織誘導(dǎo)培養(yǎng)基中進(jìn)行培養(yǎng)，得到初始愈傷組織；C、將步驟B制得的愈...
  • 本發(fā)明提供一種即便在設(shè)置多個(gè)天線的情況下也可容易地實(shí)現(xiàn)緊湊化的等離子體處理裝置。等離子體處理裝置（1）包括真空容器（2）及天線部（14）。天線部（14）包括：導(dǎo)體（14a1）；兩個(gè)天線（14b、14c），并聯(lián)設(shè)置；第一電容器（C1a），具有...
  • 一種用電解液填充電化學(xué)電池單元(302)的容器(C)的方法，所述方法包括以下步驟：提供多個(gè)填充單元(2)并用電解液填充；隨后將每個(gè)填充單元(2)聯(lián)接到所述容器(C)中的相應(yīng)一個(gè)，從而形成用于將電解液從填充單元(2)轉(zhuǎn)移到其所聯(lián)接的容器(C)...
  • 一種煙彈包括：儲(chǔ)存單元，該儲(chǔ)存單元被配置成對(duì)氣溶膠生成物質(zhì)進(jìn)行儲(chǔ)存；芯部，該芯部布置在儲(chǔ)存單元下方，以及該芯部被配置成用于吸收從儲(chǔ)存單元供給的氣溶膠生成物質(zhì)；以及一個(gè)或更多個(gè)感受器，一個(gè)或更多個(gè)感受器布置在芯部的至少一個(gè)外表面上，以及一個(gè)或...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N微型發(fā)光二極管顯示面板和微型發(fā)光二極管顯示裝置；該微型發(fā)光二極管顯示面板通過(guò)在棱鏡層中設(shè)置環(huán)繞發(fā)光芯片的空隙，使空隙關(guān)于發(fā)光芯片的中心線呈軸對(duì)稱設(shè)置，則橫向設(shè)置的發(fā)光芯片與空隙之間的間距等于斜向設(shè)置的發(fā)光芯片與空隙之間的間距，...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：在襯底上形成若干初始柵極和初始層間介質(zhì)層，初始層間介質(zhì)層位于若干初始柵極側(cè)壁，初始層間介質(zhì)層包括第一介質(zhì)層和位于第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層和第一介質(zhì)層的材料不同，若干初始柵極包括無(wú)效區(qū)；刻蝕無(wú)效區(qū)和...
  • 本發(fā)明提供一種電子裝置，包含面板、保護(hù)基板以及第一遮光結(jié)構(gòu)。面板具有主動(dòng)區(qū)及鄰近于主動(dòng)區(qū)的周邊區(qū)。保護(hù)基板相對(duì)于面板設(shè)置，第一遮光結(jié)構(gòu)設(shè)置于保護(hù)基板的表面上且對(duì)應(yīng)于周邊區(qū)。并且，第一遮光結(jié)構(gòu)重疊于周邊區(qū)的一部分具有至少一開(kāi)口。
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N同義文字生成模型的訓(xùn)練方法、裝置、計(jì)算設(shè)備，屬于人工智能技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)?zhí)峁┑耐x文字生成模型的訓(xùn)練方法，基于敏感詞數(shù)據(jù)集，以無(wú)監(jiān)督訓(xùn)練的方式，對(duì)同義文字生成模型進(jìn)行預(yù)訓(xùn)練，使該同義文字生成模型能夠?qū)W習(xí)到敏感詞中文字的關(guān)聯(lián)規(guī)則...
  • 本公開(kāi)涉及場(chǎng)景的描述文本的生成方法及裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及人工智能領(lǐng)域。場(chǎng)景的描述文本的生成方法包括：獲取物品的品類的關(guān)系網(wǎng)絡(luò)，其中，關(guān)系網(wǎng)絡(luò)中的頂點(diǎn)表示品類，連接兩個(gè)品類的邊表示兩個(gè)品類的共同屬性；將關(guān)系網(wǎng)絡(luò)劃分為多個(gè)社區(qū)，其中，...
  • 本申請(qǐng)涉及一種訓(xùn)練數(shù)據(jù)擴(kuò)增方法、裝置、模型訓(xùn)練方法和計(jì)算機(jī)設(shè)備。該方法包括在數(shù)據(jù)庫(kù)中獲取初始訓(xùn)練數(shù)據(jù)；初始訓(xùn)練數(shù)據(jù)包括初始輸入問(wèn)題；將初始輸入問(wèn)題多次輸入訓(xùn)練模型，輸出多個(gè)訓(xùn)練結(jié)果；根據(jù)預(yù)設(shè)評(píng)估任務(wù)和多個(gè)訓(xùn)練結(jié)果，確定擴(kuò)增訓(xùn)練數(shù)據(jù)。使用本申...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例涉及一種信息收集方法、裝置、服務(wù)器、介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。所述方法包括：接收終端發(fā)送的至少兩輪應(yīng)答消息；應(yīng)答消息為用戶根據(jù)服務(wù)器發(fā)送至終端的調(diào)研問(wèn)題輸入終端的；利用預(yù)設(shè)的深度學(xué)習(xí)模型對(duì)至少兩輪應(yīng)答消息進(jìn)行總結(jié)處理，得到用戶應(yīng)答的...
  • 本申請(qǐng)涉及一種問(wèn)卷生成方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。該方法包括：接收用戶輸入的關(guān)于待生成的目標(biāo)問(wèn)卷的問(wèn)卷描述信息，并基于該問(wèn)卷描述信息獲取該目標(biāo)問(wèn)卷對(duì)應(yīng)的類型信息；對(duì)該問(wèn)卷描述信息進(jìn)行信息擴(kuò)展處理，得到該目標(biāo)問(wèn)卷對(duì)應(yīng)的問(wèn)...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例涉及一種自動(dòng)化測(cè)試方法、系統(tǒng)、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：獲取針對(duì)目標(biāo)設(shè)備進(jìn)行自動(dòng)化測(cè)試而配置的測(cè)試任務(wù)配置文件；從測(cè)試任務(wù)配置文件中提取至少一種測(cè)試任務(wù)配置信息；基于至少一種測(cè)試任務(wù)配置信息，從測(cè)試用例庫(kù)中，獲取至少...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種自動(dòng)投放裝置及洗滌設(shè)備。所述自動(dòng)投放裝置包括投放殼體，投放殼體設(shè)置有容納腔，并且所述容納腔的一側(cè)開(kāi)設(shè)有開(kāi)口；內(nèi)膽組件，所述內(nèi)膽組件能夠沿開(kāi)口的方向移動(dòng)以伸出容納腔，或者容納于所述容納腔中；鎖扣組件，用于對(duì)內(nèi)膽組件與所述投放殼...
  • 本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種應(yīng)用于太陽(yáng)能電池電鍍銅和錫柵線的方法，其包括以下步驟：S1、電鍍銅：將電池片放置于電鍍工裝上，放入銅液槽中進(jìn)行P面和N面電鍍銅層；其中采用甚低頻電源。S2、清洗電池片上的銅液。S3、電鍍錫：將清洗...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種鈑金焊接機(jī)，屬于焊接設(shè)備領(lǐng)域，包括主體和設(shè)置在主體外部的上料機(jī)構(gòu)，所述上料機(jī)構(gòu)包括輸送組件和翻轉(zhuǎn)組件，所述輸送組件包括輸送機(jī)、滑槽、推板和第一氣缸，所述輸送機(jī)的外部固定連接有滑槽，所述滑槽的內(nèi)壁滑動(dòng)連接有推板，所述推板的一端...
  • 本發(fā)明屬于食品加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高蛋白、低脂肪豆制品及其制備方法。本發(fā)明將大豆依次進(jìn)行恒溫處理和冷壓榨，得到干餅；將干餅進(jìn)行粉碎，得到高蛋白、低脂肪豆粉。本發(fā)明還以無(wú)霉變、完整且飽滿的非轉(zhuǎn)基因大豆為原料，利用恒溫處理和冷壓榨的方法步...
  • 燒嘴具備：混合管，形成有混合空間；及燃料噴嘴，配置于所述混合空間內(nèi)。所述燃料噴嘴具有：噴嘴主體，沿著所述混合空間的延伸方向延伸；及突出部，從所述噴嘴主體的外周面突出并遠(yuǎn)離所述混合管的內(nèi)周面。所述噴嘴主體具有能夠?qū)⑺鋈剂蠂姵龅剿龌旌峡臻g內(nèi)...
  • 提供一種濺射靶，其主要成分是Cr且可得到均質(zhì)的薄膜。濺射靶由Cr基合金構(gòu)成。該Cr基合金含有10.0at%以上且30.0at%以下的B。該靶的金屬組織包括CrB相和Cr單相。該CrB相的關(guān)于（111）面的X射線衍射峰相對(duì)于Cr單相的關(guān)于（1...
  • 本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底；依次設(shè)于襯底上的緩沖層以及異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)層；其中，緩沖層包括多個(gè)沿平行于緩沖層所在平面間隔排布的離子注入?yún)^(qū)，離子注入?yún)^(qū)包括雜質(zhì)離子。本公開(kāi)在緩沖層間隔注入的雜質(zhì)離子，可以增加或降低局部...
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