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  • 一種電子裝置與天線(xiàn)結(jié)構(gòu)。電子裝置包括殼體與天線(xiàn)結(jié)構(gòu)；天線(xiàn)結(jié)構(gòu)包括第一輻射件、第二輻射件、接地件、饋入件、切換電路及近接感測(cè)電路；第一輻射件包括第一輻射部、饋入部以及接地部；饋入部及接地部連接于第一輻射部；第二輻射件包括第一支路、第二支路、第...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種電池單體、電池及用電設(shè)備。該電池單體包括外殼、第一電極端子、電極組件、第一絕緣件和第二絕緣件。外殼包括第一壁；第一電極端子絕緣設(shè)置于第一壁；電極組件設(shè)置于外殼內(nèi)，電極組件包括主體部和第一極耳，主體部呈扁平狀，主體部具有面...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電池模組、電池包以及用電裝置，該電池模組包括電芯組和支架，電芯組包括多個(gè)電芯，多個(gè)電芯之間形成第一間隙；支架收容電芯組，支架在第一方向的一側(cè)設(shè)有第一開(kāi)口，在第一方向的反方向的一側(cè)設(shè)有第二開(kāi)口，第一開(kāi)口和第二開(kāi)口均與電池模組的...
  • 本申請(qǐng)涉及箱體結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，提供一種箱體、電池及用電設(shè)備，箱體包括底板，底板包括復(fù)合板和換熱板，復(fù)合板包括由第一材料形成的第一材料部和由第二材料形成的第二材料部，復(fù)合板的部分表面形成第一焊接面，第一焊接面由第一材料部形成；換熱板的部分表面形...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電池包加熱方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括：采集電池包對(duì)應(yīng)的運(yùn)行信息；判斷運(yùn)行信息是否滿(mǎn)足加熱啟動(dòng)條件；若運(yùn)行信息滿(mǎn)足加熱啟動(dòng)條件，則閉合加熱控制開(kāi)關(guān)，開(kāi)啟加熱膜對(duì)電池包的加熱；若運(yùn)行信息不滿(mǎn)足加熱啟動(dòng)條件，則判斷運(yùn)...
  • 本公開(kāi)公開(kāi)了電池的加熱方法及裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及車(chē)輛技術(shù)領(lǐng)域，包括：獲取電池系統(tǒng)的電池剩余電荷量SOC，并基于電池剩余電荷量SOC與預(yù)設(shè)加熱策略之間的映射關(guān)系，確定目標(biāo)預(yù)設(shè)加熱策略；根據(jù)預(yù)設(shè)加熱策略，將所述電池系統(tǒng)的電池溫度加熱至...
  • 本申請(qǐng)涉及電池模塊和制造電池模塊的方法。具有由可流動(dòng)材料制成的就地形成的熱管理部件的電池模塊，該就地形成的熱管理部件在電池模塊的使用過(guò)程中用于將熱量從電池模塊內(nèi)部的電池芯傳導(dǎo)到位于電池模塊外部的散熱器。在一些實(shí)施例中，電池模塊具有由有相對(duì)低...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種電池膜材料及其制備方法與應(yīng)用，屬于液流電池用離子傳導(dǎo)膜領(lǐng)域。所述電池膜材料，包括依次疊加的A層膜、B層膜、C層膜；所述A層膜、B層膜、C層膜表面含有離子交換基團(tuán)；相鄰膜層表面的離子交換基團(tuán)所帶電荷相反。該電池膜材料通過(guò)層與層...
  • 本發(fā)明提供了一種復(fù)合微孔層漿料、氣體擴(kuò)散層、膜電極組件和制備方法、燃料電池。該復(fù)合微孔層漿料包括：含量為1wt％～50wt％的PtRu/C催化劑、含量為1wt％～60wt％的碳材料、含量為3wt％～50wt％的粘結(jié)劑和20wt％～90wt％...
  • 本發(fā)明提供一種硅碳材料及其制備方法和應(yīng)用以及鋰離子電池，該硅碳材料包含多層石墨片以及石墨片間的納米硅片，納米硅片主要分布在石墨片層間；所述石墨片厚度為2～100nm，石墨片平均徑距為2～20μm；所述納米硅片的厚度為10～50nm，納米硅片...
  • 本發(fā)明涉及鋰離子電池技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種C?Si材料及其制備方法和應(yīng)用和鋰離子電池，該材料包含：石墨以及分布在石墨表面的雙包覆層納米硅材料，所述納米硅材料的粒徑為50～300nm；所述雙包覆層中第一包覆層厚度為2～10nm，第一包覆層包括碳...
  • 提供一種復(fù)合負(fù)極活性材料，包括第一活性物質(zhì)和第二活性物質(zhì)；第一活性物質(zhì)為石墨材料；第二活性物質(zhì)為高容量材料；定義活性物質(zhì)的性能因子P，P＝SSA*(Dv10?Dv0)/Dn50，Dv10在0.5?10μm，Dv0在0.1?10μm，Dn50...
  • 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種高性能鋰離子電池負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用。所述方法包括：對(duì)生物質(zhì)碳源進(jìn)行預(yù)碳化處理形成生物炭；將生物炭與活化劑置于球磨罐中進(jìn)行球磨，將球磨后的混合物置于管式爐中進(jìn)行碳化處理，將碳化處理的產(chǎn)物進(jìn)行酸洗、抽濾、烘干，形成多...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種負(fù)極片、電池以及車(chē)輛。所述負(fù)極片包括負(fù)極集流體以及位于所述負(fù)極集流體一側(cè)或兩側(cè)的負(fù)極活性材料層，所述負(fù)極片還包括位于所述負(fù)極集流體和所述負(fù)極活性材料層之間的底涂層，并且所述底涂層包括鎂鹽。本申請(qǐng)?zhí)峁┑呢?fù)極片能夠降低負(fù)極阻抗，...
  • 本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板、專(zhuān)用集成電路、多個(gè)光電組件以及多個(gè)有機(jī)中介層。專(zhuān)用集成電路配置于封裝基板上且與封裝基板電性連接。光電組件彼此分離地配置于封裝基板上且圍繞專(zhuān)用集成電路。每一光電組件包括電子集成電路、光...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有可變封裝電容的射頻功率器件，包括法蘭和內(nèi)匹配射頻功率芯片電路，法蘭由金屬材料制成，法蘭上表面在內(nèi)匹配射頻功率芯片電路外圍設(shè)置有介質(zhì)層，介質(zhì)層上覆蓋有多個(gè)離散的金屬片，法蘭、介質(zhì)層和多個(gè)金屬片組成多個(gè)封裝電容器，法蘭和多個(gè)...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種集成電路及其制備方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。集成電路包括配電網(wǎng)絡(luò)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、柵線(xiàn)、第一極、電源連通部、第一電極接觸部、第二電極接觸部和隔離層。電源連通部位于相鄰兩條半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間，與配電網(wǎng)絡(luò)接觸。電源連通部將柵...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種集成電路及其制備方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。集成電路包括配電網(wǎng)絡(luò)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、柵線(xiàn)、第一極、第一電極接觸部、第二電極接觸部、電源連通部和隔離層。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。第一電極接觸部和第二電...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種晶圓吸附裝置、吹掃盤(pán)及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，晶圓吸附裝置包括：第一盤(pán)體，包括相對(duì)設(shè)置的第一面和第二面；手臂桿，中空設(shè)置，且手臂桿一端由第一面的中心貫通至第二面，另一端用于連接機(jī)械手臂以及抽氣裝置，以通過(guò)抽氣裝置經(jīng)手臂桿對(duì)第一盤(pán)體的...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種介質(zhì)層的刻蝕方法、基片的刻蝕方法及等離子體刻蝕設(shè)備，其中，介質(zhì)層的刻蝕方法包括：提供一等離子體刻蝕反應(yīng)腔，所述等離子體刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)有一基座；將基片放置于所述基座上；所述基片的表面覆蓋介質(zhì)層，所述介質(zhì)層包括中心區(qū)和邊緣區(qū)，所...
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