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  • 本申請?zhí)峁┮环N通信方法及裝置，用于解決IDLE態(tài)或者INACTIVE態(tài)的REDCAP UE如何進行尋呼的問題。所述方法包括：發(fā)送第一信息，第一信息指示第一類終端設(shè)備支持在不包含完整的CORESET#0的第一初始下行帶寬部分上監(jiān)聽尋呼消息和/...
  • 本申請公開了一種被用于無線通信的通信節(jié)點中的方法和裝置。通信節(jié)點發(fā)送第一消息，所述第一消息指示更新第一區(qū)域的下行鏈路覆蓋；監(jiān)測第一無線信號，所述第一無線信號為了所述第一區(qū)域的所述下行鏈路覆蓋；所述第一消息的發(fā)送依賴所述第一節(jié)點的位置屬于所述...
  • 一種通信方法及裝置，方法包括：發(fā)送端獲取第一DMRS序列和第一序列，其中，第一序列是對第一DMRS序列進行復(fù)制或頻域相位偏移或時域循環(huán)移位得到。發(fā)送端傳輸?shù)谝恍畔?，第一信息包括第一DMRS序列和第一序列，其中，第一信息占用M個符號，第一DM...
  • 本申請公開了一種被用于參考信號傳輸?shù)墓?jié)點中的方法和裝置。第一節(jié)點接收第一參考信號和第二參考信號，所述第一參考信號的生成依賴第一小區(qū)標識，所述第二參考信號的生成依賴第二小區(qū)標識；所述第一小區(qū)標識和所述第二小區(qū)標識不同；所述第一參考信號和所述第...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N通信方法和通信裝置，該方法可應(yīng)用于通信領(lǐng)域，該方法包括：向網(wǎng)絡(luò)裝置發(fā)送第一指示信息，第一指示信息用于指示終端裝置具備擴展射頻信道映射數(shù)據(jù)的能力；接收網(wǎng)絡(luò)裝置發(fā)送的第一數(shù)據(jù)信息，第一數(shù)據(jù)信息包括以下內(nèi)容至少一項：第一射頻信道映...
  • 一種通信方法、通信設(shè)備、存儲介質(zhì)以及程序產(chǎn)品。在該通信方法中，終端設(shè)備基于用于接收同步信號廣播信道塊(SSB)的第一接收配置接收SSB。該SSB攜帶SSB關(guān)聯(lián)的信息。該SSB是SSB突發(fā)中的多個SSB之一，并且SSB突發(fā)中的多個SSB在頻域...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N通信方法和通信裝置，包括：發(fā)送配置信息，配置信息包括第一信息，或者配置信息包括第一信息以及第二信息；其中，第一信息用于指示至少一個波束組的組標識ID以及波束的ID，第二信息用于指示波束組特征；接收測量反饋信息，測量反饋信息包...
  • 本申請公開了用于無線通信的節(jié)點中的與虛擬資源塊有關(guān)的方法和裝置。第一接收機，接收第一DCI，所述第一DCI指示第一虛擬資源塊集合，所述第一虛擬資源塊集合包括多個虛擬資源塊；第一處理機，操作第一信號；所述操作是接收，或者，所述操作是發(fā)送；其中...
  • 本申請?zhí)峁┮环N通信方法和通信裝置，用于實現(xiàn)AP之間的測量。其中，該通信方法包括：STA向第一AP發(fā)送第一消息，第一消息指示第一AP測量第一AP與第二AP之間的信道狀態(tài)信息；第一AP根據(jù)第一消息測量第一AP與第二AP之間的信道狀態(tài)信息并向ST...
  • 一種隨機接入方法及通信裝置，該方法包括：網(wǎng)絡(luò)設(shè)備發(fā)送第一資源信息和第二資源信息，終端設(shè)備根據(jù)第一資源信息和第二資源信息確定第三隨機接入資源，并使用第三隨機接入資源向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備發(fā)送隨機接入前導(dǎo)。其中，第一資源信息用于指示第一隨機接入資源集，第二...
  • 本申請涉及一種電芯加熱控制方法及其控制裝置、系統(tǒng)和存儲介質(zhì)。該方法包括：將待加熱電芯分時移動至多個加熱位置；控制至少部分加熱位置的加熱裝置以不同的加熱參數(shù)對待加熱電芯進行加熱；其中，加熱參數(shù)包括加熱裝置結(jié)構(gòu)參數(shù)、加熱功率和加熱頻率中的一種或...
  • 本發(fā)明公開了一種單面雙接觸柔性電路板的制作方法，涉及印制電路板技術(shù)領(lǐng)域，具體及時方案，包括如下步驟：步驟一：將銅箔和承載膜結(jié)合，通過壓膜工藝將兩者壓合在一起，得到基材Ⅰ；步驟二：將基材Ⅰ依次經(jīng)過圖形曝光處理、顯影處理、貼干膜處理、蝕刻處理、...
  • 一種屏蔽裝置，適于應(yīng)用在電子模塊，電子模塊設(shè)置于電子裝置的主板，電子裝置具有機殼底板，主板設(shè)有連接器，屏蔽裝置包含固定框及遮蔽蓋。固定框設(shè)有容置空間，適于容置連接器及電子模塊，固定框包含兩個第一側(cè)壁、兩個第二側(cè)壁以及抵壓片；抵壓片連接于兩個...
  • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備，所述制造方法包括：在襯底上依次交替形成第一絕緣層和導(dǎo)電層，得到堆疊結(jié)構(gòu)；對堆疊結(jié)構(gòu)進行圖案化刻蝕，形成多個溝槽，導(dǎo)電層形成多個讀位線，在溝槽內(nèi)依次形成第二絕緣層和第一絕緣層，溝槽內(nèi)的第一絕緣層構(gòu)成絕緣部...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備。該半導(dǎo)體器件可以包括襯底；所述襯底包括多個第一半導(dǎo)體柱，所述第一半導(dǎo)體柱在第一方向上和第二方向上間隔排列；多條位線，位于第一半導(dǎo)體柱的上方；第一隔離層，位于多條位線之上；第二隔離層，位于第一...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底，包括存儲單元區(qū)；疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)，位于存儲單元區(qū)的基底上，疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)包括浮柵結(jié)構(gòu)、以及位于浮柵結(jié)構(gòu)上的控制柵結(jié)構(gòu)，浮柵結(jié)構(gòu)一側(cè)相對于控制柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁向外凸出，且在浮柵結(jié)構(gòu)的凸出部分，浮柵結(jié)構(gòu)的頂面與側(cè)壁...
  • 本申請涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法。該橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括至少一個元胞結(jié)構(gòu)，元胞結(jié)構(gòu)包括：襯底；N型的第一阱區(qū)，設(shè)于襯底內(nèi)；第一阱區(qū)內(nèi)設(shè)有沿第一方向依次排布的第一分區(qū)、隔斷區(qū)和第二分區(qū)；P型的第一摻雜區(qū)和P型...
  • 本申請涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，包括：基底；體區(qū)和漂移區(qū)，沿第一方向排布于基底內(nèi)；漂移區(qū)內(nèi)設(shè)有漏區(qū)，體區(qū)內(nèi)設(shè)有源區(qū)；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介質(zhì)層，設(shè)于基底上，且至少覆蓋部分體區(qū)和部分漂移區(qū)；第一場板，設(shè)于第一介質(zhì)層遠...
  • 本發(fā)明提供一種碳納米管半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，碳納米管半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底；第一介質(zhì)層，位于基底，形成有多個具有第一開口尺寸的第一溝槽，第一溝槽底部部分區(qū)域形成有具有第二開口尺寸的第二溝槽，第二開口尺寸小于第一開口尺寸；碳納米管結(jié)構(gòu)，...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其先形成線寬小的第一柵極，后形成線寬大的第二柵極，繼而形成上寬下窄的柵極(例如呈“T”型)，由此在不改變溝道尺寸的情況下，可以通過較寬的第二柵極的頂部來避免形成金屬硅化物時的線寬效應(yīng)，利于金屬硅化物從高阻...
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