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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明公開了物品攬派的裝置、方法、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)，涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括：物品攬派部件與所控制部件連接，控制部件控制物品攬派部件沿?cái)埮赏ǖ酪苿?；攬派通道的設(shè)置與各用戶對應(yīng)的攬派接口，攬派口包括攬收口和派送口；攬收...
  • 本申請實(shí)施例提供了一種角點(diǎn)特征檢測方法，該方法包括：基于目標(biāo)函數(shù)對初始預(yù)測模型進(jìn)行訓(xùn)練，確定目標(biāo)預(yù)測模型；其中，目標(biāo)函數(shù)為通過拍攝高度參數(shù)和拍攝縮放比例參數(shù)構(gòu)建的；根據(jù)目標(biāo)預(yù)測模型對待預(yù)測圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測處理，獲得待預(yù)測圖像對應(yīng)的角點(diǎn)特征。
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供待處理晶片；在離子注入腔室內(nèi)對所述待處理晶片進(jìn)行輕摻雜注入離子，在所述待處理晶片內(nèi)形成輕摻雜區(qū)；在進(jìn)行所述輕摻雜漏離子注入工藝之后，將所述待處理晶片自離子注入腔室轉(zhuǎn)移至中轉(zhuǎn)腔室內(nèi)；在所述待處理晶片被轉(zhuǎn)移至...
  • 本發(fā)明公開了一種槽形結(jié)構(gòu)的刻蝕控制方法以及槽型結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，以提供一種能夠解決在利用等離子體刻蝕方法對柵槽進(jìn)行刻蝕時(shí)，常規(guī)刻蝕利用固定值輸入功率射頻源對帽層勢壘層進(jìn)行刻蝕的方法在柵槽表面造成損傷，破壞界面，進(jìn)而影響高頻下的器...
  • 本發(fā)明提供了的一種碳化硅功率器件及其制備方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。具體在提供一碳化硅基底之后，并沒有向現(xiàn)有技術(shù)直接采用熱氧化或化學(xué)氣相沉積工藝在碳化硅基底的表面上形成柵極氧化層，而是在形成柵極氧化層之前，先通入混合氣體高溫轟擊碳化硅基底的...
  • 本發(fā)明提供一種將樹脂面板、接合材、以及通過受光而發(fā)電的太陽能電池加熱接合的接合方法以及接合裝置，具有良好的組裝性。接合裝置包括下模；上模，與所述下模合模而形成成形空間；隔膜，配置于所述下模與所述上模之間，且分割所述成形空間；第一壓力調(diào)整部，...
  • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底，位于所述襯底上的緩沖層以及位于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的發(fā)光結(jié)構(gòu)；所述緩沖層包括第一區(qū)域和環(huán)繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域；光阻結(jié)構(gòu)，所述光阻結(jié)構(gòu)通過對所述緩沖層的第二區(qū)域選擇性刻蝕...
  • 一種移動通信終端，該移動通信終端包括：天線，該天線被配置為發(fā)送和接收無線信號；氣溶膠生成器，該氣溶膠生成器配置為在該氣溶膠生成器中容置氣溶膠生成制品并且通過感應(yīng)加熱對氣溶膠生成制品進(jìn)行加熱；以及控制器，該控制器配置為控制氣溶膠生成器的溫度，...
  • 本發(fā)明提供了一種基于圖論的飛機(jī)路徑規(guī)劃方法、裝置和電子設(shè)備。該方法包括：獲取指定機(jī)型在一時(shí)間段內(nèi)的航班信息；把每一個航班與所述航班按航班銜接原則來建立銜接，形成航班圖；確定所述一段時(shí)間的首發(fā)航班，找出與首發(fā)航班銜接時(shí)間最短的后續(xù)航班，形成首...
  • 本發(fā)明涉及了一種調(diào)節(jié)睡眠質(zhì)量的益生菌復(fù)合產(chǎn)品及其制備方法，所述益生菌復(fù)合產(chǎn)品包括以下組分：γ?氨基丁酸、短雙歧桿菌CCFM1025、嗜酸乳桿菌TYCA06、植物乳桿菌LPL28、抗性糊精、低聚木糖、低聚果糖、水蘇糖。短雙歧桿菌CCFM102...
  • 本發(fā)明涉及了一種改善情緒的益生菌復(fù)合產(chǎn)品及其制備方法，所述益生菌復(fù)合產(chǎn)品包括以下益生菌組分：瑞士乳桿菌R0052、植物乳桿菌R1012和長雙歧桿菌R0175。三種益生菌組合具有協(xié)同效應(yīng)，能夠降低人體中犬尿氨酸/色氨酸的比值，減少代謝犬尿氨酸...
  • 本發(fā)明涉及了一種緩解壓力的益生菌復(fù)合產(chǎn)品及其制備方法，所述益生菌復(fù)合產(chǎn)品包括以下益生菌組分：副干酪乳桿菌Lpc?37、植物乳桿菌N13和乳雙歧桿菌BLa80。三種益生菌組合具有協(xié)同效應(yīng)，能夠調(diào)節(jié)腸道菌群，緩解炎癥癥狀，降低機(jī)體對壓力的感知，...
  • 本發(fā)明提供了一種生產(chǎn)碳纖維的碳化爐爐口用排風(fēng)罩，包括排風(fēng)罩本體、可移動插板和位移控制器；排風(fēng)罩本體上端與風(fēng)管連通、下端為罩口，罩口呈長方形；可移動插板可移動連接于所述罩口；可移動插板的長度不小于罩口的長度，可移動插板的寬度不小于罩口的寬度；...
  • 對話系統(tǒng)中按照建模方式可以分為兩種：基于流水線的方法和基于端到端的方法。然而在基于流水線的方法中，各個模塊只能分別優(yōu)化，存在誤差疊加問題，基于端到端的方法利用歷史對話來直接生成系統(tǒng)回復(fù)。但由于基于端到端方法的對話系統(tǒng)沒有全面考慮知識庫中的信...
  • 本發(fā)明公開了一種基于DEM技術(shù)的任務(wù)自動分配方法和裝置、設(shè)備、介質(zhì)，屬于石油地球物理勘探處理技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用DEM技術(shù)中的高程信息，對各任務(wù)點(diǎn)間的距離、高程、地表坡度和相對坡度進(jìn)行綜合計(jì)算，確定各其余任務(wù)點(diǎn)的得分，通過k均值聚類算法，對...
  • 本發(fā)明公開了一種所述的氟磷酸鈣包覆鎳鈷錳酸鋰正極材料的方法，屬于鋰電池技術(shù)領(lǐng)域。其技術(shù)方案為：（1）提供鎳鈷錳酸鋰正極材料，（2）將鑭源和鈦源在醇類溶劑中攪拌至形成溶膠，然后將鎳鈷錳酸鋰正極材料加入該溶膠體系中，室溫下攪拌1?8小時(shí)，再經(jīng)過...
  • 本發(fā)明公開了一種鋰電池正極材料及其制備方法，屬于鋰電池技術(shù)領(lǐng)域。其技術(shù)方案為：（1）所述鋰電池正極材料包括鋰活性材料和復(fù)合導(dǎo)電層，所述復(fù)合導(dǎo)電層包覆在鋰活性材料的外表面；所述復(fù)合導(dǎo)電層由包括導(dǎo)電高分子膠與導(dǎo)電碳按質(zhì)量比1:(0.4～2)復(fù)合...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括集成在一個晶片中的絕緣柵雙極晶體管IGBT結(jié)構(gòu)和金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管結(jié)構(gòu)，所述MOS晶體管結(jié)構(gòu)與所述IGBT結(jié)構(gòu)并聯(lián)。所述MOS晶體管結(jié)構(gòu)中的溝槽絕緣層的厚度小于所述IGBT結(jié)構(gòu)...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，在形成高壓柵氧化層之前，先刻蝕器件隔離結(jié)構(gòu)的頂部中央?yún)^(qū)域形成第一凹槽，并形成圖案化阻擋層覆蓋在第一凹槽的內(nèi)表面上，在熱氧化形成高壓柵氧化層的過程中，第一凹槽側(cè)壁上的阻擋層在橫向上相當(dāng)于額外增加了兩層阻擋...
  • 本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，具體公開一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管電容及制造方法，該電容包括依次排布的犧牲介質(zhì)層、下極板層、電容介質(zhì)層和上極板層；所述犧牲介質(zhì)層的一面設(shè)置于異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的器件面上，另一面設(shè)置有多個凹槽；所述下極板層、電容介質(zhì)層和上...
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