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  • 本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N熱管理子系統(tǒng)，其包括換熱器、連接在電堆與換熱器之間以使冷卻劑在其間循環(huán)的冷卻劑回路、以及導(dǎo)流機(jī)構(gòu)。導(dǎo)流機(jī)構(gòu)被用于與設(shè)置在陰極排氣管線上以由陰極廢氣驅(qū)動(dòng)的渦輪機(jī)的渦輪機(jī)出口連通，且能夠在第一導(dǎo)流狀態(tài)與第二導(dǎo)流狀態(tài)之間切換。導(dǎo)流...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝虽嚩坞姵赜谜龢O材料、該正極材料的制備方法、正極極片、二次電池、二次電池的使用方法及用電裝置。本申請(qǐng)的鋰二次電池用正極材料包括基體和設(shè)置在所述基體表面的修飾體；基體包括LixAsMn<...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示面板及其制備方法，該顯示面板包括基底、第一絕緣層、鍵合金屬層、第一導(dǎo)電層、發(fā)光層、第二絕緣層、第二導(dǎo)電層，貫穿鍵合金屬層、第一導(dǎo)電層、發(fā)光層設(shè)置有第二過(guò)孔，第二導(dǎo)電層覆蓋第二過(guò)孔的底面、側(cè)面、發(fā)光層設(shè)置，第二導(dǎo)電層...
  • 本發(fā)明提供一種用于將散熱器附接到半導(dǎo)體封裝的方法。所述方法包括：提供半導(dǎo)體封裝，其中所述半導(dǎo)體封裝包括封裝基底、安裝于所述封裝基底上的半導(dǎo)體元件以及形成于所述封裝基底上且包封所述半導(dǎo)體元件的模蓋，并且其中所述模蓋包括可激光激活的模塑材料；通...
  • 本發(fā)明提供一種導(dǎo)電接觸孔的制備方法及半導(dǎo)體器件，該制備方法在第一層間介質(zhì)層與第三層間介質(zhì)層之間設(shè)置具有第一窗口的第二層間介質(zhì)層，從而可通過(guò)該第一窗口的大小控制第二次刻蝕形成的第二刻蝕孔的口徑，以降低導(dǎo)電接觸孔底部刻蝕的控制難度；另外使第一次...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種鍵合對(duì)準(zhǔn)裝置及方法，鍵合對(duì)準(zhǔn)裝置包括：第一工作臺(tái)，包括第一表面，用于固定第一待對(duì)準(zhǔn)件；第二工作臺(tái)，包括第二表面，用于固定第二待對(duì)準(zhǔn)件，且第二表面和第一表面沿第一方向相對(duì)且間隔設(shè)置；間隙調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，用于沿第一方向調(diào)節(jié)第二表面與第一...
  • 本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N晶圓氣泡檢測(cè)方法，包括根據(jù)至少兩張晶圓檢測(cè)圖片生成晶圓模板圖，其中所述晶圓模板圖包括晶圓電路紋理；以及，根據(jù)待檢測(cè)圖和所述晶圓模板圖的差異得到所述待檢測(cè)圖的晶圓氣泡缺陷。本申請(qǐng)還提出一種晶圓氣泡檢測(cè)方法，包括生成包括晶圓電路紋...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種金屬層刻蝕方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體工藝及裝備領(lǐng)域。一種金屬層刻蝕方法包括：執(zhí)行第一刻蝕步，向反應(yīng)腔室內(nèi)通入第一刻蝕氣體，用以刻蝕所述金屬層，所述金屬層下方設(shè)置有氮化物層，且所述氮化物層與所述金屬層相接觸；檢測(cè)CN光譜...
  • 本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體薄膜及其制備方法，利用圖案化的襯底形成具有鏤空結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體薄膜，以半導(dǎo)體薄膜為掩膜，通過(guò)濕法刻蝕進(jìn)一步除去襯底，第一凹槽被刻蝕形成第二凹槽，第二凹槽在所述襯底所在平面的正投影面積大于所述鏤空結(jié)構(gòu)在所述襯底所在平面的正投...
  • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。所述制作方法中，在半導(dǎo)體基片的表面堆疊金屬層以及氮化鈦層后，先沉積鎢層，再進(jìn)行退火，使所述金屬層與含硅導(dǎo)電區(qū)發(fā)生金屬硅化反應(yīng)，可以避免由于提前退火導(dǎo)致的氮化鈦層致密性變差，確保氮化鈦層在沉積鎢層的工藝中對(duì)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種調(diào)控輝光放電質(zhì)譜深度濺射的磁場(chǎng)裝置及其方法，該裝置包括：殼體，所述殼體為中空結(jié)構(gòu)；蓋體，適配蓋設(shè)于所述殼體的開(kāi)口處，所述蓋體遠(yuǎn)離所述殼體的一側(cè)設(shè)置有限位部；絕緣板，適配裝設(shè)于所述殼體內(nèi)，所述絕緣板沿高度方向設(shè)置有第一通孔和六...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，本發(fā)明制備的蜂巢狀ZIF衍生的層狀雙氫氧化物復(fù)合材料包含ZIF?67和NiCo LDH兩種物質(zhì)，能夠充分發(fā)揮不同材料之間的協(xié)同作用，提高電極的比容量。另外，蜂巢狀結(jié)構(gòu)由...
  • 本發(fā)明屬于磁性材料領(lǐng)域。本發(fā)明提供了一種磁性結(jié)構(gòu)及其制造方法與用途，所述制造方法混合磁性粉末、熱固性樹(shù)脂及固化劑進(jìn)行造粒，將造粒料在恒溫恒壓下進(jìn)行第一壓制，然后在持續(xù)升溫減壓的狀態(tài)下，進(jìn)行第二壓制，得到磁性結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述方法通過(guò)升溫減壓的...
  • 本申請(qǐng)屬于核工業(yè)檢測(cè)領(lǐng)域，尤其是涉及一種核反應(yīng)冷卻液測(cè)量棒，其包括殼體、芯棒和測(cè)量組件，殼體沿其軸線開(kāi)設(shè)通孔，芯棒懸置于通孔內(nèi)，且芯棒的側(cè)面與殼體的內(nèi)壁存在均勻間隙；殼體和芯棒在同一端與測(cè)量組件固定連接，殼體和芯棒均為導(dǎo)體制成，核反應(yīng)冷卻液...
  • 本發(fā)明提供一種核反應(yīng)堆安全殼的水箱裝置及核反應(yīng)堆安全殼設(shè)備，涉及核工業(yè)安全技術(shù)領(lǐng)域，以解決現(xiàn)有技術(shù)中安全殼的設(shè)計(jì)和施工難度較大的問(wèn)題。所述核反應(yīng)堆安全殼的水箱裝置應(yīng)用于核反應(yīng)堆安全殼，所述水箱裝置包括安裝骨架和水箱；所述安裝骨架包括：第一環(huán)...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種基因分型組裝方法及裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，屬于生物信息技術(shù)領(lǐng)域?；蚍中徒M裝方法包括：從目標(biāo)基因組序列的測(cè)序數(shù)據(jù)中獲取目標(biāo)比對(duì)數(shù)據(jù)，其中，目標(biāo)比對(duì)數(shù)據(jù)用于表示目標(biāo)基因組序列中任意兩個(gè)目標(biāo)片段序列的比對(duì)數(shù)據(jù)；根據(jù)目標(biāo)比...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器的操作方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)器陣列以及與存儲(chǔ)器陣列耦接的外圍電路。存儲(chǔ)器陣列包括多個(gè)平面，每個(gè)平面包括多條位線。外圍電路包括選通電路以及多個(gè)頁(yè)緩沖器，且選通電路與多個(gè)頁(yè)緩沖器耦接。位于平面的第一端的...
  • 本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別涉及一種控制電路及存儲(chǔ)器，控制電路包括：第一信號(hào)調(diào)節(jié)電路，用于接收基于存儲(chǔ)器的模式寄存器輸出的第一標(biāo)識(shí)信號(hào)和第二標(biāo)識(shí)信號(hào)；第一標(biāo)識(shí)信號(hào)用于指示存儲(chǔ)器是否啟動(dòng)終端數(shù)據(jù)選通(TDQS)功能，且存儲(chǔ)器基于有效的第...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例提供一種屏幕分辨率的調(diào)整方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：獲取屏幕的默認(rèn)邏輯分辨率，其中默認(rèn)邏輯分辨率是對(duì)屏幕的物理分辨率按照默認(rèn)縮放倍數(shù)進(jìn)行縮放得到的；根據(jù)默認(rèn)邏輯分辨率和預(yù)設(shè)的限制條件，確定屏幕對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)縮放倍數(shù)；...
  • 本發(fā)明提供了顯示面板及其驅(qū)動(dòng)方法、電子裝置，該方法包括：獲取目標(biāo)灰階對(duì)應(yīng)的第一極性目標(biāo)數(shù)據(jù)電壓(大于參考數(shù)據(jù)電壓)和第二極性目標(biāo)數(shù)據(jù)電壓(小于參考數(shù)據(jù)電壓)，且第一極性目標(biāo)數(shù)據(jù)電壓與參考數(shù)據(jù)電壓的差值的絕對(duì)值，不等于第二極性目標(biāo)數(shù)據(jù)電壓與參...
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