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最新專利技術(shù)
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N帶電粒子束的機械干擾補償系統(tǒng)和方法，該系統(tǒng)包括：機械干擾信號獲取裝置，用于測量帶電粒子束受到的機械干擾，得到機械干擾信號；信號補償裝置，用于根據(jù)所述機械干擾信號產(chǎn)生控制信號；場發(fā)生器，用于根據(jù)所述控制信號產(chǎn)生調(diào)制場，所述調(diào)制...
  • 本發(fā)明提供一種富陷阱層通孔和接觸通孔同步刻蝕方法，包括：提供一基底，基底包括自下而上層疊的富陷阱層、第一待刻蝕層和器件層，基底上設(shè)置有層疊的刻蝕停止層、第二待刻蝕層和掩膜層，掩膜層中設(shè)置有富陷阱層通孔開口和接觸通孔開口；采用第一刻蝕氣體進行...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件的制作方法，包括：提供一待刻蝕結(jié)構(gòu)，待刻蝕結(jié)構(gòu)上設(shè)置有不定型碳掩膜層和硬掩模層，硬掩模層中設(shè)有第一開口和第二開口；采用第一刻蝕氣體刻蝕以使第一開口貫穿不定型碳掩膜層，第二開口延伸入不定型碳掩膜層中；采用第二刻蝕氣體刻...
  • 本發(fā)明提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括第一芯片、第二芯片、多個第一混合接合墊、第一絕緣層、第一圖案化導電層、第二圖案化導電層、多個第一導電通孔結(jié)構(gòu)及多個第二導電通孔結(jié)構(gòu)。第一芯片通過第一硅穿孔電性連接第二芯片。第一芯片通過第一混合接合墊接合于第二...
  • 一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供存儲晶圓，存儲晶圓包括第二襯底，具有相對的第三面與第四面，包括位于第三面上的第二器件層；提供第一襯底，包括第一半導體層、位于第一半導體層表面的埋氧層以及位于埋氧層表面的第二半導體層，第一襯底包括相對...
  • 本發(fā)明涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高安全分布式極片及其制備的鋰電池。本發(fā)明添加了勃姆石，勃姆石在受熱分解時會吸收大量熱量，生成的三氧化二鋁覆蓋在物體表面可以延緩燃燒，起到阻燃的效果。本發(fā)明采用粒徑為700nm的氧化鋁，粒徑為1?3μm的勃姆...
  • 本發(fā)明涉及一種補鋰復合導電劑及其制備方法，包括鋰和碳納米管材料，所述鋰填充在碳納米管內(nèi)。本發(fā)明提供的一種干粉型碳納米管導電劑及其制備方法，其特征在于，包括如下步驟：S1：按照一定的比例稱取金屬鋰和萘，溶解在有機溶劑中，形成萘鋰有機溶解物；S...
  • 本發(fā)明涉及一種適用于鈉離子電池的電解液和鈉離子電池。為了解決鈉離子電池常溫循環(huán)性能、倍率性能以及高低溫性能不佳的問題，本發(fā)明提供一種適用于鈉離子電池的電解液，包括電解質(zhì)鹽、有機溶劑和添加劑，所述有機溶劑包括碳酸酯類溶劑、氟代羧酸酯類溶劑和氟...
  • 本申請實施例提供了一種箱體、電池和用電裝置。該箱體包括：多個梁體，圍合形成第一容納空間，第一容納空間用于容納電池高壓模塊；熱管理部件，與梁體相交設(shè)置，用于為電池高壓模塊調(diào)節(jié)溫度；其中，在熱管理部件的厚度方向上，熱管理部件位于第一容納空間內(nèi)，...
  • 本申請實施例提供一種濾波器、天線裝置、通信設(shè)備，涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，用于緩解濾波器占用較大布板面積，導致通信設(shè)備尺寸較大的問題。該濾波器中的第二諧振本體與第一諧振本體層疊設(shè)置，且第二諧振本體和第一諧振本體解耦。第一連接器貫穿第二諧振本體，且第...
  • 本申請?zhí)峁┮环N電子設(shè)備，第一天線的第一輻射體包括第一自由端、第一饋電點和第二自由端，回地結(jié)構(gòu)的一端電性連接于第一饋電點和第一饋源之間、另一端接地；第二天線的第二輻射體包括第一接地端、第二饋電點和第三自由端；在展開狀態(tài)下，第一饋源激勵第一輻射...
  • 本申請?zhí)峁┮环N天線結(jié)構(gòu)及無線通信裝置，天線結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)基板、輻射單元、饋電單元和兩個接地單元，輻射單元設(shè)置在介質(zhì)基板上，輻射單元上開設(shè)有兩個F型槽孔，兩個F型槽孔對稱設(shè)置；饋電單元設(shè)置在介質(zhì)基板上，饋電單元垂直連接于輻射單元的一側(cè)，用于為天...
  • 本發(fā)明涉及用于三相電機的高壓適配器(100)。該高壓適配器(100)包括由絕緣材料構(gòu)成的支撐板(110)，位于支撐板(110)第一側(cè)的第一外部高壓端子(131)、第二外部高壓端子(132)和第三外部高壓端子(133)，和位于支撐板(110)...
  • 本發(fā)明提供了一種窄間距高頻基板電連接器，其包括呈縱長狀的絕緣本體、固定于所述絕緣本體的若干導電端子及覆蓋至所述絕緣本體外的遮蔽殼體，所述導電端子包括在所述絕緣本體的縱長方向上交替設(shè)置的若干第一端子和若干第二端子，每一所述導電端子均具有向前延...
  • 本發(fā)明公開電力傳輸件、連接器模塊、連接器和連接器組件。所述電力傳輸件包括金屬排。金屬排包括：主體部，具有在其厚度方向上相對的兩個表面；和彎折部，位于金屬排的一端并相對于所述主體部的表面被彎折成預(yù)定形狀。所述彎折部包括用于電連接至對配導電件的...
  • 本發(fā)明公開一種連接器端子、連接器和連接器端子制造方法。所述連接器端子包括：端子本體；和電鍍件。電鍍件包括：基材層和電鍍層。基材層具有在其厚度方向上相對的第一表面和第二表面，并且所述基材層的第一表面被附接到所述端子本體的局部上。電鍍層形成在所...
  • 本發(fā)明涉及家用電器技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種活動結(jié)構(gòu)解鎖裝置和插座；插座包括底盒、插座本體和活動結(jié)構(gòu)解鎖裝置，活動結(jié)構(gòu)解鎖裝置包括底框、面蓋、按鈕、鎖定組件和復位機構(gòu)，插座本體設(shè)置于底盒的安裝腔內(nèi)；底框設(shè)置于底盒；面蓋可活動地設(shè)置于底框、...
  • 本公開涉及一種波蕩器控制方法與設(shè)備、波蕩器和光學系統(tǒng)。波蕩器控制方法包括：由溫控部將超導材料部的溫度保持在大于或等于第一預(yù)設(shè)溫度，并由第一磁場發(fā)生部件產(chǎn)生具有第一預(yù)設(shè)背景場強的背景磁場；保持背景磁場的背景場強為第一預(yù)設(shè)背景場強不變，并由溫控...
  • 本申請實施例提供一種半導體激光器及其制作方法，涉及半導體激光器技術(shù)領(lǐng)域，用于減少半導體激光器的啁啾問題。該半導體激光器包括：基底；脊形波導，脊形波導設(shè)置在基底上，且沿基底的第一方向延伸；光柵，光柵設(shè)置在脊形波導的頂部，其中，光柵包括沿第一方...
  • 一種降溫除塵防靜電配電柜，屬于配電柜技術(shù)領(lǐng)域，包括配電柜外殼，配電柜外殼的上柜門、下柜門均設(shè)置控制柜門開、關(guān)的鑰匙孔，配電柜頂部設(shè)置排風扇，下柜門設(shè)置總開關(guān)斷路器插口，配電柜中設(shè)置總開關(guān)斷路器，斷路器手柄插入總開關(guān)斷路器插口控制總開關(guān)斷路器...
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