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  • 本公開實施例提供一種數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備，該方法包括：獲取已修改的第一代碼段；確定所述第一代碼段的第一存儲位置；獲取第一對應關(guān)系，所述第一對應關(guān)系中包括多個存儲位置、以及每個存儲位置相對應的用戶，所述存儲位置相對應的用戶為檢查所述存...
  • 本發(fā)明公開了一種自動化測試腳本生成方法及終端，包括將依賴數(shù)據(jù)進行入庫，得到包含接口依賴信息和特征向量數(shù)據(jù)的向量數(shù)據(jù)庫以及包含樣本腳本代碼的腳本樣本庫；對用戶提供的文本測試用例進行拆解，得到多個執(zhí)行步驟，并基于所述向量數(shù)據(jù)庫和所述腳本樣本庫，...
  • 本公開涉及一種測試用例生成方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取目標創(chuàng)建的測試用例的測試步驟；對所述測試步驟與預設(shè)函數(shù)庫中存儲的測試函數(shù)的描述信息進行模糊匹配，得到目標測試函數(shù)；將預先獲取的所述目標測試函數(shù)對應的初始配置信息和預定義信...
  • 本公開公開了一種文本數(shù)據(jù)增強方法、裝置、系統(tǒng)和計算機可讀存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取文本數(shù)據(jù)；對所述文本數(shù)據(jù)進行擴增操作，得到增強文本數(shù)據(jù)；根據(jù)所述增強文本數(shù)據(jù)對應的特征數(shù)據(jù)對所述增強文本數(shù)據(jù)進行聚類，得到目標文本數(shù)據(jù)。通過對文本數(shù)據(jù)進行擴增...
  • 本發(fā)明提供了一種制備碳化硅器件溝道注入掩膜的方法，屬于半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括以下步驟：在晶圓上形成Pwell區(qū)；在已形成Pwell區(qū)的晶圓上淀積氧化硅，形成掩膜介質(zhì)層；在淀積的氧化硅上光刻N+圖形，并通過刻蝕的...
  • 本公開提供一種光電集成探測器，包括殼體；無源光芯片組件，設(shè)置在殼體內(nèi)，并包括適用于將由外部輸入的光信號分解為不同波長的光信號的波分解復用芯片；可調(diào)光衰減芯片，適用于對不同波長的光信號進行功率調(diào)制；探測器陣列組件，設(shè)置在殼體內(nèi)，并包括：陣列載...
  • 本申請實施例提供了一種多主柵P型電池片及其制作方法和裝置及光伏組件，所述多主柵P型電池片包括背離設(shè)置的受光面和背光面；所述受光面設(shè)有多個間隔設(shè)置的主柵，所述主柵沿第一方向延伸，所述多個主柵沿第二方向間隔設(shè)置，其中，所述第一方向垂直于所述第二...
  • 本申請涉及一種外延片及其制作方法、發(fā)光芯片及其制作方法，外延片包括：襯底，所述襯底的一側(cè)具有多個凸起，所述凸起之間的所述襯底表面為平面區(qū)域；設(shè)于襯底上的形核引導層，形核引導層包括完全覆蓋所述平面區(qū)域的第一引導部，以及覆蓋所述凸起的部分側(cè)壁的...
  • 本申請涉及一種芯片組件及其制作方法以及巨量轉(zhuǎn)移方法。芯片組件包括襯底；外延結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底上；內(nèi)縮結(jié)構(gòu)，位于襯底與外延結(jié)構(gòu)之間，內(nèi)縮結(jié)構(gòu)尺寸小于外延結(jié)構(gòu)并相對于外延結(jié)構(gòu)內(nèi)縮，以使外延結(jié)構(gòu)的邊緣與襯底形成空隙；鈍化層，覆蓋外延結(jié)構(gòu)的至少一部分...
  • 本申請公開了一種球囊回抽設(shè)備、球囊充打設(shè)備、手術(shù)器械和手術(shù)裝置。球囊回抽設(shè)備包括基座組件、注射器和回抽裝置。注射器設(shè)置在基座組件，注射器的注射口用于與球囊的內(nèi)腔連通，注射器的注射器推桿具有從注射器的管部伸出的伸出狀態(tài)和縮進管部的收回狀態(tài)；回...
  • 本發(fā)明提供了2?羥基戊二酸在制備CAR?T細胞效應功能增效劑中的應用。所述2?羥基戊二酸作為增效劑能提高CAR?T細胞的腫瘤殺傷效率；促進CAR?T細胞向效應T細胞分化。本發(fā)明還提供了一種提升CAR?T細胞效應功能的方法，采用2?羥基戊二酸...
  • 本公開提供了一種定位方法、電子設(shè)備和定位系統(tǒng)，涉及醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及腫瘤定位技術(shù)領(lǐng)域。具體實現(xiàn)方案為：利用成像裝置獲取當前時刻目標對象的投影圖像，并利用光學追蹤裝置獲取當前時刻目標對象在預設(shè)三維坐標系的至少一個方向發(fā)生偏移的位置偏移量，...
  • 本公開提供了一種放療設(shè)備與輻射遞送方法，涉及醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域。放療設(shè)備包括機架與設(shè)置于機架上的放射治療頭，其中，放射治療頭包括多個輻射源，多個輻射源沿放療設(shè)備的IEC坐標系的Y軸方向或與Y軸方向呈預設(shè)角度的方向分布，其中，機架中任一個與Y軸垂直...
  • 本發(fā)明公開了一種高分子聚合物脫揮方法及裝置。該脫揮方法將脫揮機分為第一、二和三脫揮區(qū)域，蒸汽通入脫揮機夾套內(nèi)和轉(zhuǎn)子軸內(nèi)對脫揮機內(nèi)脫揮區(qū)域進行加熱；在脫揮過程中，嚴格控制各脫揮區(qū)域的溫度，通過獲取單位脫揮時間，動態(tài)調(diào)整下一單位脫揮時間的脫揮溫...
  • 本發(fā)明涉及水加工技術(shù)領(lǐng)域，具體提供一種微氣泡水發(fā)生裝置及熱水器，旨在解決現(xiàn)有微氣泡水發(fā)生裝置使用氣泵占用一部分體積的問題。為此目的，本發(fā)明的微氣泡水發(fā)生裝置包括微氣泡水管路、文丘里管、水泵、儲存罐和釋氣頭；微氣泡水管路和自來水管連接，文丘里...
  • 本申請涉及電纜生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電纜生產(chǎn)用連退連拔生產(chǎn)設(shè)備，該一種電纜生產(chǎn)用連退連拔生產(chǎn)設(shè)備包括拔絲機、退火機和收卷裝置，退火機設(shè)置在拔絲機與收卷裝置之間，銅絲依次穿過拔絲機、退火機和收卷裝置，銅絲與收卷裝置固定連接；拔絲機與退火機之...
  • 本發(fā)明提供一種高精度車輪輪轂孔精加工鏜床，涉及車輪加工技術(shù)領(lǐng)域，包括工作臺，所述工作臺的內(nèi)部開設(shè)有十字腔，所述十字腔的內(nèi)部設(shè)有轉(zhuǎn)柱，所述轉(zhuǎn)柱的表面套設(shè)并固定有轉(zhuǎn)件，所述轉(zhuǎn)件的下方且靠近一側(cè)設(shè)有轉(zhuǎn)盤，所述轉(zhuǎn)盤的頂部中心處固定有圓盤，所述轉(zhuǎn)件的...
  • 本申請公開了一種增強現(xiàn)實顯示裝置的制備方法、顯示裝置及注塑模具。其中，該方法包括：提供注塑模具，注塑模具包括注塑腔體，注塑腔體的內(nèi)表面至少包括第一注塑面、第二注塑面、第三注塑面和第四注塑面；在第一注塑面上放置顯示元件；對注塑腔體內(nèi)進行注塑，...
  • 本發(fā)明公開了一種聯(lián)動抽芯裝置以及注塑模具，涉及模具技術(shù)領(lǐng)域。該聯(lián)動抽芯裝置包括定模板、動模組件、鏟基、斜導柱、第一滑塊、限位座和成型鑲件。鏟基固定安裝于定模板上，且與斜導柱固定連接，斜導柱伸入第一滑塊設(shè)置，且與第一滑塊滑動配合，第一滑塊與限...
  • 車輛的位置調(diào)整裝置，用于調(diào)節(jié)車輛的車身和底盤的相對位置，包括升降單元（10）和減震單元（20）。升降單元包括設(shè)置于車身的第一升降磁體（11）和設(shè)置于底盤的第二升降磁體（12）。第一升降磁體與第二升降磁體沿車輛高度方向相對設(shè)置，調(diào)節(jié)通過第一升...
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