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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明提供負載型堿金屬氫化物作為芳烴加氫脫烷基化反應催化劑的應用。該催化劑成本低，可重復使用，能夠在溫和條件下催化碳碳鍵的斷裂，實現(xiàn)芳烴的加氫脫烷基化反應，例如，能夠在200℃?250℃實現(xiàn)C8?C10芳烴加氫脫烷基化反應的轉(zhuǎn)化率高于45％...
  • 本申請公開了一種虛擬對象模型的處理方法、裝置、電子設備和存儲介質(zhì)，包括：獲取目標虛擬服飾；基于目標虛擬服飾的服飾骨骼指示信息，根據(jù)第一虛擬對象的第一骨骼信息確定目標虛擬服飾所需的第一虛擬骨骼集；基于第一虛擬骨骼集以及第二虛擬對象的第二骨骼信...
  • 本發(fā)明提供了一種雙層片劑及其制備方法。所述雙層片劑包括第一層和第二層，第一層包括：多替拉韋或其藥學上可接受的鹽(以多替拉韋計)50份、改性介孔二氧化硅30?60份、第一填充劑60?80份、第一崩解劑30?50份、拉米夫定300份、第二填充劑...
  • 本發(fā)明公開了一種用于治療潰瘍性結(jié)腸炎的藥物，屬于醫(yī)藥技術(shù)領(lǐng)域。該藥物的制備方法如下：取3?7mg的BSA，加入6?10mg的BBR與1?3mg的DHCL，用純水與DMSO配4?6ml，純水與DMSO的比例為3?5：0.5?1.5，于55?6...
  • 本發(fā)明涉及一種面向磁共振系統(tǒng)的成像式非接觸門控信號獲取方法，屬于生理信號檢測領(lǐng)域，本發(fā)明通過相機對磁共振檢測患者進行脈搏和呼吸信號的采集，通過磁共振儀器腔體中的反射鏡獲取患者面部信息，利用活體皮膚檢測技術(shù)對患者面部的感興趣區(qū)域進行高效選取，...
  • 本發(fā)明公開了一種改善再造煙葉感官質(zhì)量的方法及應用，包括如下步驟：1)將煙梗原料進行水洗；2)將水洗后的煙梗使用高壓蒸梗機進行一次蒸梗；3)將一次蒸梗后的煙梗使用解纖機疏解解纖成梗絲；4)將疏解后的梗絲使用高壓蒸梗機進行二次蒸梗；5)將二次蒸...
  • 本發(fā)明提供一種能夠?qū)εＦぐ_起到抑制作用的飲料及其制備方法，涉及固體飲料技術(shù)領(lǐng)域。該一種能夠?qū)εＦぐ_起到抑制作用的飲料及其制備方法，由以下質(zhì)量組分的原料組成：二氫槲皮素5份、白砂糖3份、甘草粉3份和麥芽糊精1份。通過搞笑制備二氫槲皮素，結(jié)合白...
  • 本發(fā)明公開了采用豌豆替代玉米和豆粕配制的肉雞低蛋白日糧及其應用。先用商品肉雞測定豌豆凈能，建立豌豆凈能預測模型，再測定豌豆標準回腸氨基酸消化率，再根據(jù)肉雞凈能和標準回腸可消化氨基酸、鈣、磷和維生素、微量元素需要量，用不同豌豆替代豆粕和玉米形...
  • 本發(fā)明提供了一種利用陳化綠茶制備黑磚茶的方法，選用陳化綠茶與云南大葉種曬青毛茶和/或茶梗進行拼配，并采用普洱茶的生產(chǎn)工藝，經(jīng)拼配、潮水、渥堆、稱重、裝匣、汽蒸、制磚、烘干、陳化而成，所制產(chǎn)品具有黑茶特有的“金花”即冠突散囊菌，及普洱茶的湯色...
  • 本發(fā)明涉及茶葉開溝機技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種茶葉種植用開溝機，包括U型架，還包括：擋板，連接在U型架的頂部右側(cè)，用于遮擋泥土；兩個把手，分別連接在擋板的上方；開溝機構(gòu)，設置在所述U型架內(nèi)，用于地面開溝；遮擋機構(gòu)，設置在所述開溝機構(gòu)的上方，用于...
  • 本發(fā)明公開了一種單晶硅片的納微復合絨面制備方法及其在太陽能電池的應用，采用N型單晶硅片為襯底進行清洗制絨，再通過反應等離子刻蝕法、金屬催化化學腐蝕法、激光刻蝕法制備納微復合絨面的黑硅結(jié)構(gòu)，調(diào)整工藝參數(shù)，控制納微復合絨面尺寸，進一步降低硅片表...
  • 本申請?zhí)峁┮环N光感組件、顯示模組及電子裝置。該光感組件包括柔性電路板；光感器件，設于柔性電路板的第一區(qū)；粘接層，與柔性電路板的第二區(qū)粘接，開設有與光感器件對應的開口；其中，第一區(qū)的柔性電路板沿遠離粘接層的方向延伸，第二區(qū)的柔性電路板靠近開口...
  • 公開了半導體器件和制造半導體器件的方法。半導體器件包括：第一偽外延層和第二偽外延層，設置在第一基底結(jié)構(gòu)和第二基底結(jié)構(gòu)中；第一有源外延層和第二有源外延層，設置在第一偽外延層和第二偽外延層上；第一有源納米結(jié)構(gòu)層，設置為與第一有源外延層相鄰并且與...
  • 本發(fā)明公開了一種面向毫米波的低噪聲GaN HEMT器件及其制備方法，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，包括：依次層疊設置的襯底、成核層、溝道層、勢壘層、第一鈍化層和第二鈍化層；源極和漏極，分別位于第一鈍化層沿第一方向的兩側(cè)，且源極和漏極均與勢壘層接觸；柵...
  • 本發(fā)明涉及一種半導體相變存儲器及其制備方法，包括邏輯電路(201)、底部電極(202)、第一介質(zhì)層(203)、第二介質(zhì)層(204)、加熱電極(205)、阻擋層(206)、第三介質(zhì)層(207)、硫系化合物材料層(208)、硬掩模層(209)、...
  • 本發(fā)明公開了一種功率模塊的裝配方法，用于裝配包括外框架、電容組件、功率組件和母排組件的功率模塊，步驟依次為清理，外框架裝配，電容組件裝配，功率組件裝配，母排組件裝配，剩余零部件裝配。本發(fā)明制定了合適的裝配工藝方法，從而保證功率模塊的裝配質(zhì)量...
  • 本申請實施例提供了一種冷卻分發(fā)系統(tǒng)和數(shù)據(jù)中心。其中，冷卻分發(fā)系統(tǒng)包括：換熱池；與待散熱設備連通的回油管，回油管伸入換熱池內(nèi)，并與換熱池連通；進液管，進液管伸入換熱池內(nèi)，并與換熱池連通，回油管和進液管分別將冷卻油和冷卻水通入至換熱池中，并使冷...
  • 本發(fā)明公開了一種人工智能電氣自動化控制設備，其結(jié)構(gòu)包括主體、散熱孔、箱門、控制面板，主體的側(cè)端設有散熱孔，箱門與主體的前端轉(zhuǎn)動連接，控制面板設置在箱門的端面；主體設有防潮設備、壁掛架、支撐架、電子元件，防潮設備設置在主體的內(nèi)部底端，壁掛架設...
  • 本發(fā)明公開了一種線路板蝕刻裝置及其蝕刻方法，涉及線路板蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，包括底部底座，底部底座的上端固定安裝有頂部殼體，底部底座和頂部殼體內(nèi)安裝有鏈條輸送結(jié)構(gòu)，頂部殼體內(nèi)且在鏈條輸送結(jié)構(gòu)的左右兩側(cè)對稱設置有蝕刻液噴淋組件，底部底座的前端同時位于...
  • 本申請實施例提供了一種音箱設備的外殼及其制備方法和音箱設備；其中，所述音箱設備的外殼包括外殼本體及光柵層；所述外殼本體主要由多個蓋板拼接而成，其中，每個所述蓋板均由透明基板經(jīng)過加工形成特定的形狀；所述光柵層設置于所述外殼本體的表面上，所述光...
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