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  • 本發(fā)明公開了一種碲化鎘發(fā)電玻璃及其制備方法，涉及碲化鎘發(fā)電玻璃制備技術領域。本碲化鎘發(fā)電玻璃，包括依次層疊設置的玻璃襯底、前電極層、窗口層、吸收層、背接觸層、背電極層，背接觸層為P型重摻雜的ZnTe材料，光線可由玻璃襯底入射，以使其實施發(fā)電...
  • 本發(fā)明公開了一種高耐壓HEMT器件、及其驅動方法，涉及微電子技術領域，包括：多層主體材料層；源極和漏極，源極和漏極均與多層主體材料層層疊設置；沿第一方向，源極和漏極分別位于多層主體材料層的兩側；或者，源極和漏極位于多層主體材料層的同一側，且...
  • 本申請公開了一種域名的檢測方法、域名的檢測裝置、電子設備以及計算機可讀存儲介質，該域名的檢測方法包括：基于至少一種預設工具確定主域名下的至少一個子域名；對每個子域名進行分詞處理，得到對應的一組分詞結果，每組分詞結果包括至少一個基礎詞匯；從預...
  • 本發(fā)明提供了一種新型轉光EVA膠膜及其制備方法，使用該方法制備的轉光膠膜可解決傳統(tǒng)轉光膜中轉光劑易析出、膠膜壽命短、加工難度大的問題，同時不影響透光率、硫化性能的關鍵指標。其制備工藝包括：a)在引發(fā)劑作用下，EVA樹脂與含紫外吸收基團的烯烴...
  • 在一實例中，掃描觸發(fā)器(100)包含耦合到數(shù)據(jù)輸入(106)的第一晶體管(124)和第二晶體管(126)。所述掃描觸發(fā)器(100)包含耦合到時鐘輸入(110)的第三晶體管(132)和耦合到反時鐘輸入(112)的第四晶體管(134)。所述掃描...
  • 本發(fā)明涉及一種滾動軸承裝置(1)，所述滾動軸承裝置包括具有軸承環(huán)(3、4)和滾動元件(5)的滾動軸承(2)，其中，所述軸承環(huán)(3、4)中的一個軸承環(huán)被設計為內(nèi)環(huán)(3)，并且另一個軸承環(huán)被設計為外環(huán)(4)，并且其中，所述內(nèi)環(huán)(3)具有內(nèi)環(huán)滾道...
  • 一種噴霧分配器包括容器、閥體、閥桿、供應通道、致動器和噴嘴。該容器、該閥桿、該供應通道和該噴嘴流體連通。該閥桿能夠從閉合位置移動到完全打開位置，其中在該閉合位置，閥桿通道不與該容器的內(nèi)部流體連通，其中在該完全打開位置，該閥桿通道與該容器的該...
  • 本公開涉及一種半導體結構及其制備方法。半導體結構包括：基底；圖形化堆疊結構，位于基底上，包括交替堆疊設置的第一介質層與第一導電層，第一導電層包括導線連接部以及第一導電線，第一導電線在第一方向上連接至導線連接部；臺階結構，位于基底上，包括堆疊...
  • 本申請公開了一種電路板組件及電子設備，電路板組件包括：主電路板和轉接板。轉接板與主電路板電連接，轉接板包括位于主電路板投影區(qū)域外的第一部分；轉接板的第一部分被配置為與電子設備中的至少一個第一電子器件電連接，第一電子器件位于主電路板的投影區(qū)域...
  • 本申請?zhí)峁┮环N電路板組件及電子設備。電路板組件包括第一電路板、第二電路板、支撐件以及電連接組件。第一電路板和第二電路板層疊且間隔設置，第一電路板和第二電路板通過電連接組件電性連接。支撐件設置在第一電路板和第二電路板之間，并與第一電路板和第二...
  • 本申請實施例提供了一種通信方法及相關設備，可以應用于傳輸與測量間隔沖突的情況下。在該方法中，發(fā)送第一信息，所述第一信息用于指示以下一項或多項：第一數(shù)據(jù)的優(yōu)先級高于測量間隔的優(yōu)先級、第一通道的優(yōu)先級高于測量間隔的優(yōu)先級、第一資源的優(yōu)先級高于測...
  • 本申請公開了通信方法與裝置、網(wǎng)絡設備和終端設備，涉及通信技術領域；該方法包括：網(wǎng)絡設備第一配置信息，第一配置信息包括第一公共上行信號/信道的配置信息和/或第一公共下行信號/信道的配置信息；對應的，終端設備接收第一配置信息?？梢?，本申請的第一...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N雙向通信方法、裝置以及存儲介質，涉及數(shù)據(jù)傳輸技術領域。該雙向通信方法包括：針對待傳輸?shù)哪繕酥噶睿@取該目標指令的類型信息；若類型信息指示目標指令為第一預設指令，則以預設通信方式將目標指令傳輸給目標設備端；接收目標設備端基于目...
  • 本發(fā)明涉及分布式集群技術領域，具體公開了一種主從機運行控制方法、裝置、設備及可讀存儲介質，通過在創(chuàng)建分布式集群時對各節(jié)點進行業(yè)務處理能力測試，根據(jù)測試結果來劃分管理區(qū)域，使一個管理區(qū)域內(nèi)至少包括一個主機和一個從機且各節(jié)點的初始業(yè)務處理能力測...
  • 本發(fā)明針對6G網(wǎng)絡切片中共享緩存資源的虛擬節(jié)點間因資源分配不合理而帶來的性能下降問題，提出了一種6G切片緩存資源分配裝置；該裝置里的方法包括以下步驟：構建了基于緩存資源競爭的6G網(wǎng)絡切片模型，該模型刻畫了虛擬節(jié)點映射與資源共享關系，然后提出...
  • 本申請實施例應用于控制領域，提供了一種振蕩器控制方法及電子設備，該方法包括：在所述振蕩器穩(wěn)定運行的情況下，獲取第一頻偏，所述第一頻偏表示所述振蕩器的輸出信號的輸出頻率與預設參考頻率之間的差異；在所述第一頻偏大于或等于預設頻偏的情況下，控制所...
  • 本申請實施例提供一種充電方法、電子設備及相關裝置，電子設備包括一個或多個通用串行總線USB接口，電子設備通過一個或多個USB接口中的第一USB接口連接第一外接設備，該方法可以包括，電子設備和第一外接設備基于第一消息確定第一規(guī)格的充電功率，電...
  • 一種電池包箱體及車輛，包括底板、側板和吊耳結構，側板與底板連接，形成容納電池的內(nèi)腔，吊耳結構位于內(nèi)腔外，與側板連接；還包括：第一加強結構，第一加強結構位于內(nèi)腔內(nèi)，設置在底板上，與側板的第一面連接；第二加強結構，第二加強結構設置在吊耳結構上，...
  • 本公開提供一種封裝結構及其制作方法、電子設備，涉及半導體技術領域，用于解決封裝結構散熱性能差的技術問題。該封裝結構包括：基板；芯片堆疊體，設置在基板上；散熱層，設置在芯片堆疊體上；塑封層，設置在基板上，覆蓋芯片堆疊體；其中，塑封層接觸散熱層...
  • 本發(fā)明涉及一種共源共柵級聯(lián)結構GaN器件的封裝結構及封裝方法，所述封裝結構包括：芯片承載基底，具有導電材質；導電粘接層，設于芯片承載基底上；GaN HEMT芯片，通過導電粘接層與芯片承載基底電性連接；MOS芯片，通過導電粘接層與芯片承載基底...
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