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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明提供一種車輛仿真場(chǎng)景建模方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括獲取靜態(tài)場(chǎng)景數(shù)據(jù)，根據(jù)靜態(tài)場(chǎng)景數(shù)據(jù)構(gòu)建靜態(tài)場(chǎng)景模型；載入靜態(tài)場(chǎng)景模型與車輛運(yùn)動(dòng)學(xué)模型，以構(gòu)建仿真初始模型；獲取動(dòng)態(tài)環(huán)境數(shù)據(jù)，基于仿真初始模型對(duì)動(dòng)態(tài)環(huán)境數(shù)據(jù)進(jìn)行坐標(biāo)轉(zhuǎn)換...
  • 本發(fā)明涉復(fù)印機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)涉及一種調(diào)色劑容器以及安裝有該容器的復(fù)印機(jī)，其中調(diào)色劑容器，包括：一個(gè)容納調(diào)色劑的容器主體；一個(gè)支撐連接容器主體的支架，支架包括具有開口的嵌合部；一個(gè)閘板，用于將調(diào)色劑容器的開口打開和關(guān)閉；還包括一個(gè)阻隔件...
  • 本發(fā)明公開了一種鈣鈦礦量子點(diǎn)光刻膠及其制備方法和應(yīng)用。該鈣鈦礦量子點(diǎn)光刻膠的制備方法：S1：將含陽(yáng)離子B的物料I、含陽(yáng)離子A的物料II和單體I混合，加熱I，得到前驅(qū)體I；S2：將含陰離子X的物料III和單體II混合，加熱II，得到前驅(qū)體II...
  • 一種激光投射器、攝像頭組件和生成深度圖像的方法和裝置，該激光投射器包括一個(gè)第一發(fā)光部和至少一個(gè)第二發(fā)光部；該方法包括：獲取至少兩幅激光圖像；對(duì)至少兩幅激光圖像中的每幅激光圖像分別進(jìn)行編碼，得到每幅激光圖像的編碼結(jié)果；對(duì)所有激光圖像的編碼結(jié)果...
  • 本公開提供一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。所述陣列基板，具有顯示區(qū)，以及位于所述顯示區(qū)外圍的非顯示區(qū)，其中，包括：襯底；多條數(shù)據(jù)線，位于所述襯底一側(cè)的所述顯示區(qū)，所述多條數(shù)據(jù)線沿第一方向延伸；多條柵線，位于所述襯底一側(cè)的所述顯示區(qū)，所述多...
  • 本公開實(shí)施例提供的陣列基板、顯示面板及顯示裝置，包括襯底基板，該襯底基板包括陣列排布的多個(gè)子像素區(qū)；像素電極，位于子像素區(qū)內(nèi)；第一公共電壓線，在子像素區(qū)之間沿第一方向延伸，第一公共電壓線與像素電極同層設(shè)置，第一方向?yàn)樾蟹较蚧蛄蟹较颍粬啪€，在...
  • 本申請(qǐng)涉及一種硅基液晶面板的制備方法、裝置及硅基液晶面板、設(shè)備，包括：提供第一基板和第二基板；根據(jù)分割區(qū)域的分界線預(yù)切割部分厚度的第一基板，以在第一基板的第一表面形成第一切割槽；將第一基板的第一表面與第二基板的第一表面進(jìn)行貼合，以第一切割槽...
  • 本實(shí)施例提供了一種光芯片、光器件、制造方法、光模塊及光處理設(shè)備，應(yīng)用于光芯片和光器件設(shè)計(jì)制造領(lǐng)域。該光芯片包括晶粒基底、至少一個(gè)3D打印透鏡和內(nèi)設(shè)光處理器件。晶粒基底上設(shè)置有波導(dǎo)；晶粒基底的外表面形成有避讓槽。至少一個(gè)3D打印透鏡包括內(nèi)透鏡...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制備方法，應(yīng)用于光通信領(lǐng)域。該光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括：基板、波導(dǎo)、增益模塊和包層。其中，波導(dǎo)和增益模塊位于基板和包層之間，波導(dǎo)和增益模塊的折射率相同，且波導(dǎo)和增益模塊的折射率大于基板和包層的折射率。增益模塊與...
  • 本公開提供一種波長(zhǎng)選擇開關(guān)芯片及波長(zhǎng)選擇方法，涉及光子集成領(lǐng)域，其包括功分器，包含多個(gè)輸出端口，用于對(duì)輸入光信號(hào)進(jìn)行功分，分別輸出多個(gè)功率不同的第一光信號(hào)；波長(zhǎng)選擇輸出模塊，用于分別對(duì)每一第一光信號(hào)進(jìn)行波長(zhǎng)選擇性衰減后輸出。本公開中采用光子...
  • 本發(fā)明提供一種顯示裝置，其包括顯示面板與導(dǎo)光結(jié)構(gòu)。導(dǎo)光結(jié)構(gòu)具有第一入光面與出光面，且包括第一部分、第二部分、連接部分及多個(gè)第一光學(xué)微結(jié)構(gòu)。第一部分設(shè)置在顯示面板的第一表面的一側(cè)，且重疊于第一表面。第一部分在背對(duì)顯示面板的一側(cè)設(shè)有第一入光面。...
  • 本申請(qǐng)揭示了一種生物氣的測(cè)井識(shí)別方法、裝置、介質(zhì)及電子設(shè)備。該方法包括通過(guò)對(duì)煤系地層進(jìn)行取芯觀察，并結(jié)合地震資料和測(cè)井資料，對(duì)所述煤系地層進(jìn)行地質(zhì)分層，所述地質(zhì)分層用于消除所述煤系地層的空間結(jié)構(gòu)對(duì)聲波測(cè)井曲線的影響；獲取所述煤系地層的聲波測(cè)...
  • 本申請(qǐng)公開了一種測(cè)量方法、系統(tǒng)及相關(guān)裝置。電子設(shè)備包括第一飛行時(shí)間TOF模塊；方法包括：基于電子設(shè)備的第一設(shè)備標(biāo)識(shí)確定第一時(shí)刻；在第一時(shí)刻，控制第一TOF模塊發(fā)射第一信號(hào)；控制第一TOF模塊接收第二信號(hào)，并記錄接收第二信號(hào)的第二時(shí)刻，第二信...
  • 本發(fā)明涉及等離子技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種用于等離子體反應(yīng)器的故障識(shí)別系統(tǒng)與方法。所述故障識(shí)別系統(tǒng)包括：電壓檢測(cè)裝置，被配置為在所述等離子體反應(yīng)器處于檢測(cè)狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)所述等離子體反應(yīng)器在預(yù)設(shè)檢測(cè)環(huán)境下的起始放電電壓，其中所述檢測(cè)狀態(tài)是指所述等離子...
  • 本發(fā)明涉及等離子技術(shù)領(lǐng)域，公開一種電極故障識(shí)別系統(tǒng)、識(shí)別方法以及機(jī)器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。所述系統(tǒng)包括：輔助電極；電極位移裝置，用于將輔助電極移到距待識(shí)別電極預(yù)設(shè)距離的預(yù)設(shè)位置，該預(yù)設(shè)位置處的輔助電極與待識(shí)別電極形成待識(shí)別電極對(duì)；電壓檢測(cè)裝置，用于...
  • 本發(fā)明提出一種膨脹管彎曲膨脹實(shí)驗(yàn)裝置，涉及石油鉆探工具實(shí)驗(yàn)測(cè)試領(lǐng)域，該膨脹管彎曲膨脹實(shí)驗(yàn)裝置包括基座、支撐機(jī)構(gòu)和兩個(gè)夾持機(jī)構(gòu)，兩個(gè)夾持機(jī)構(gòu)分別設(shè)置于基座的兩端，各夾持機(jī)構(gòu)與膨脹管的端部能拆卸地連接并固定膨脹管的端部，支撐機(jī)構(gòu)包括設(shè)置在基座上...
  • 本發(fā)明涉及氣體泄漏監(jiān)測(cè)領(lǐng)域，其實(shí)施方式提供了一種復(fù)雜擴(kuò)散條件下的氣體污染泄漏溯源方法、裝置及電子設(shè)備。其中，復(fù)雜擴(kuò)散條件下的氣體污染泄漏溯源方法，包括：建立周邊污染源的指紋圖譜，并設(shè)定各污染源的典型因子；所述典型因子用于表征所述污染源的典型...
  • 本發(fā)明涉及一種電池或電池短節(jié)故障檢測(cè)方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備、介質(zhì)及應(yīng)用，池故障檢測(cè)方法，包括如下步驟：獲取經(jīng)過(guò)電池內(nèi)部透射后的超聲脈沖波的傳播時(shí)間和信號(hào)幅度；根據(jù)超聲脈沖波的傳播時(shí)間和信號(hào)幅度，對(duì)比預(yù)設(shè)傳播時(shí)間和預(yù)設(shè)信號(hào)幅度，判斷電池是否故...
  • 本發(fā)明涉及氣體傳感技術(shù)領(lǐng)域，公開了聚苯胺?雙金屬氧化物復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，該聚苯胺?雙金屬氧化物復(fù)合材料包括雙金屬氧化物以及負(fù)載在雙金屬氧化物上的聚苯胺，所述聚苯胺?雙金屬氧化物復(fù)合材料的比表面積為100?500m2
  • 本發(fā)明公開了一種基于熱輻射效應(yīng)的低溫方向發(fā)射率測(cè)試方法及測(cè)試系統(tǒng)，屬于空間探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，測(cè)試方法包括：建立熱輻射變化傳感器與輻射量調(diào)節(jié)裝置的光路連接；在輻射量調(diào)節(jié)裝置中設(shè)置包括黑體腔、樣品測(cè)試腔室和反射鏡試樣區(qū)域的樣品臺(tái)；改變輻射量調(diào)節(jié)裝置...
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