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  • 本申請?zhí)峁┝艘环N通信方法和通信裝置，包括：發(fā)送配置信息，配置信息包括第一信息，或者配置信息包括第一信息以及第二信息；其中，第一信息用于指示至少一個波束組的組標識ID以及波束的ID，第二信息用于指示波束組特征；接收測量反饋信息，測量反饋信息包...
  • 本申請公開了用于無線通信的節(jié)點中的與虛擬資源塊有關的方法和裝置。第一接收機，接收第一DCI，所述第一DCI指示第一虛擬資源塊集合，所述第一虛擬資源塊集合包括多個虛擬資源塊；第一處理機，操作第一信號；所述操作是接收，或者，所述操作是發(fā)送；其中...
  • 本申請?zhí)峁┮环N通信方法和通信裝置，用于實現(xiàn)AP之間的測量。其中，該通信方法包括：STA向第一AP發(fā)送第一消息，第一消息指示第一AP測量第一AP與第二AP之間的信道狀態(tài)信息；第一AP根據(jù)第一消息測量第一AP與第二AP之間的信道狀態(tài)信息并向ST...
  • 一種隨機接入方法及通信裝置，該方法包括：網(wǎng)絡設備發(fā)送第一資源信息和第二資源信息，終端設備根據(jù)第一資源信息和第二資源信息確定第三隨機接入資源，并使用第三隨機接入資源向網(wǎng)絡設備發(fā)送隨機接入前導。其中，第一資源信息用于指示第一隨機接入資源集，第二...
  • 本申請涉及一種電芯加熱控制方法及其控制裝置、系統(tǒng)和存儲介質(zhì)。該方法包括：將待加熱電芯分時移動至多個加熱位置；控制至少部分加熱位置的加熱裝置以不同的加熱參數(shù)對待加熱電芯進行加熱；其中，加熱參數(shù)包括加熱裝置結(jié)構(gòu)參數(shù)、加熱功率和加熱頻率中的一種或...
  • 本發(fā)明公開了一種單面雙接觸柔性電路板的制作方法，涉及印制電路板技術領域，具體及時方案，包括如下步驟：步驟一：將銅箔和承載膜結(jié)合，通過壓膜工藝將兩者壓合在一起，得到基材Ⅰ；步驟二：將基材Ⅰ依次經(jīng)過圖形曝光處理、顯影處理、貼干膜處理、蝕刻處理、...
  • 一種屏蔽裝置，適于應用在電子模塊，電子模塊設置于電子裝置的主板，電子裝置具有機殼底板，主板設有連接器，屏蔽裝置包含固定框及遮蔽蓋。固定框設有容置空間，適于容置連接器及電子模塊，固定框包含兩個第一側(cè)壁、兩個第二側(cè)壁以及抵壓片；抵壓片連接于兩個...
  • 一種半導體器件及其制造方法、電子設備，所述制造方法包括：在襯底上依次交替形成第一絕緣層和導電層，得到堆疊結(jié)構(gòu)；對堆疊結(jié)構(gòu)進行圖案化刻蝕，形成多個溝槽，導電層形成多個讀位線，在溝槽內(nèi)依次形成第二絕緣層和第一絕緣層，溝槽內(nèi)的第一絕緣層構(gòu)成絕緣部...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件及其制造方法、電子設備。該半導體器件可以包括襯底；所述襯底包括多個第一半導體柱，所述第一半導體柱在第一方向上和第二方向上間隔排列；多條位線，位于第一半導體柱的上方；第一隔離層，位于多條位線之上；第二隔離層，位于第一...
  • 一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底，包括存儲單元區(qū)；疊層柵結(jié)構(gòu)，位于存儲單元區(qū)的基底上，疊層柵結(jié)構(gòu)包括浮柵結(jié)構(gòu)、以及位于浮柵結(jié)構(gòu)上的控制柵結(jié)構(gòu)，浮柵結(jié)構(gòu)一側(cè)相對于控制柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁向外凸出，且在浮柵結(jié)構(gòu)的凸出部分，浮柵結(jié)構(gòu)的頂面與側(cè)壁...
  • 本申請涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制備方法。該橫向擴散金屬氧化物半導體器件包括至少一個元胞結(jié)構(gòu)，元胞結(jié)構(gòu)包括：襯底；N型的第一阱區(qū)，設于襯底內(nèi)；第一阱區(qū)內(nèi)設有沿第一方向依次排布的第一分區(qū)、隔斷區(qū)和第二分區(qū)；P型的第一摻雜區(qū)和P型...
  • 本申請涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件，包括：基底；體區(qū)和漂移區(qū)，沿第一方向排布于基底內(nèi)；漂移區(qū)內(nèi)設有漏區(qū)，體區(qū)內(nèi)設有源區(qū)；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介質(zhì)層，設于基底上，且至少覆蓋部分體區(qū)和部分漂移區(qū)；第一場板，設于第一介質(zhì)層遠...
  • 本發(fā)明提供一種碳納米管半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，碳納米管半導體結(jié)構(gòu)包括：基底；第一介質(zhì)層，位于基底，形成有多個具有第一開口尺寸的第一溝槽，第一溝槽底部部分區(qū)域形成有具有第二開口尺寸的第二溝槽，第二開口尺寸小于第一開口尺寸；碳納米管結(jié)構(gòu)，...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法，其先形成線寬小的第一柵極，后形成線寬大的第二柵極，繼而形成上寬下窄的柵極(例如呈“T”型)，由此在不改變溝道尺寸的情況下，可以通過較寬的第二柵極的頂部來避免形成金屬硅化物時的線寬效應，利于金屬硅化物從高阻...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件及其制作方法，所述方法包括：提供襯底，包括形成第一柵極凹槽的第一區(qū)域與形成第二柵極凹槽的第二區(qū)域；依次形成柵介質(zhì)層、蓋帽層、刻蝕停止層與第一功函數(shù)層在第一柵極凹槽與第二柵極凹槽的側(cè)壁和底部；去除第一柵極凹槽的側(cè)壁和底...
  • 本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)寬帶偏振光電探測器及其制備方法，屬于光電探測器技術領域。本發(fā)明的探測器包括：襯底；設置在襯底上的二維拓撲絕緣體材料；部分設置在二維拓撲絕緣體材料上方且與二維拓撲絕緣體材料能帶匹配的二維偏振材料；設置在二維拓撲絕緣體材料和...
  • 本發(fā)明公開了一種光伏組件的制作方法及光伏組件，光伏組件的制作方法步驟：在焊接機臺上鋪設第一蓋板；在第一蓋板上鋪設第一膠膜；在第一膠膜上排布第一電池串和第二電池串；通過焊接機的拾取部拾取提升第一電池串和第二電池串，并傳輸至焊接工位，在焊接工位...
  • 本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體涉及一種弱化結(jié)構(gòu)的制作方法、弱化結(jié)構(gòu)及巨量轉(zhuǎn)移方法，通過該弱化結(jié)構(gòu)的制作方法制作得到弱化結(jié)構(gòu)，并借由該弱化結(jié)構(gòu)實現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移方法；該弱化結(jié)構(gòu)的制作方法包括：提供一載有多顆發(fā)光芯片的基板，在基板載有多顆發(fā)光芯片的一面...
  • 本申請公開了一種光電器件及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域。光電器件包括層疊設置的第一電極、發(fā)光層和第二電極，發(fā)光層的材料包括量子點和功能修飾劑，所述功能修飾劑包括尼龍。本申請?zhí)峁┑墓怆娖骷校猃埧赦g化量子點表面的缺陷，進而提高量子...
  • 本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法及顯示裝置，發(fā)光器件包括依次層疊設置的基板、質(zhì)子交換層、第一電極、發(fā)光層和第二電極，所述質(zhì)子交換層包含H+基團和Si?OH+基團。質(zhì)子交換層可以改變基板表...
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