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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種聲波諧振器、聲波濾波器及聲波濾波器模組。聲波諧振器至少包括:壓電薄膜和叉指電極;以壓電薄膜內(nèi)的預(yù)設(shè)晶軸為第一參考軸,叉指電極對(duì)的法向?yàn)榈诙⒖驾S,第一參考軸與第二參考軸之間具有預(yù)設(shè)夾角;叉指電極中的第一...
  • 本申請(qǐng)涉及一種占空比失調(diào)矯正電路及光電終端設(shè)備。該占空比失調(diào)矯正電路用于連接光接收端前級(jí)電路,光接收端前級(jí)電路根據(jù)接收到的光信號(hào)輸出電信號(hào)。該占空比失調(diào)矯正電路包括檢測(cè)矯正模塊、矯正調(diào)整模塊和輸出緩沖處理模塊。檢測(cè)矯正模塊連接光接收端前級(jí)電...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了基于壓控振蕩器比較器的噪聲整形逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器,涉及電路技術(shù)領(lǐng)域,逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器包括:電容陣列、VCO比較器、SAR邏輯、計(jì)數(shù)器和移位寄存器。本申請(qǐng)利用VCO比較器的固有粗量化將余量信號(hào)量化成數(shù)字碼字,在數(shù)字域進(jìn)行儲(chǔ)存...
  • 本發(fā)明提供一種IIR濾波器,其基于N個(gè)輸入數(shù)據(jù)和N個(gè)前饋系數(shù)、N?1個(gè)反饋系數(shù)和反饋的N?1個(gè)先前濾波結(jié)果計(jì)算得到當(dāng)前濾波結(jié)果,其中N為所述IIR濾波器的階數(shù),N大于等于2,所述先前濾波結(jié)果中的整數(shù)部分以及部分小數(shù)被反饋以用于計(jì)算當(dāng)前濾波結(jié)...
  • 本發(fā)明提供一種單晶薄膜體聲波諧振器及其制備方法和應(yīng)用。該諧振器按照從下向上的順序依次包括襯底層、布拉格反射層、第一鍵合層、第二鍵合層、壓電層和電極層;所述電極層的寬度小于所述壓電層;所述諧振器還包括第一氧化硅層和第二氧化硅層,所述第一氧化硅...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N可變?cè)鲆娓呔€性差分放大器電路及接收機(jī),所述電路包括:主放大級(jí),其包括差分對(duì)以及設(shè)置于所述差分對(duì)輸入與輸出之間的負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò),所述差分對(duì)接差分輸入信號(hào);校準(zhǔn)級(jí),其將所述差分輸入信號(hào)反向接入到所述主放大級(jí)的輸出端以形成信號(hào)抵消通路。...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種晶振減振裝置,包括有抗振殼體、端蓋以及減振件,抗振殼體的頂部可拆卸的設(shè)置有用于密閉抗振殼體的端蓋,抗振殼體的內(nèi)部設(shè)置有晶體,晶體通過(guò)減振件固定在抗振殼體的內(nèi)部;減振件包括有第一減振件和第二減振件,第一減振件和第二減振件分別從...
  • 本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種聲波諧振器、聲波濾波器及通信設(shè)備。該聲波諧振器包括壓電薄膜,以及位于所述壓電薄膜上的頂電極和兩個(gè)反射柵;所述頂電極的兩側(cè)分別設(shè)有一個(gè)所述反射柵;所述頂電極為叉指電極;所述叉指電極包括多個(gè)電極指,且多個(gè)所...
  • 本發(fā)明涉及一種高壓大功率集成運(yùn)算放大器,包括高壓電源模塊、輸入端模塊、差分放大器模塊、功率放大器模塊、電源調(diào)節(jié)電路模塊、散熱模塊、過(guò)流和過(guò)熱保護(hù)電路模塊、反饋網(wǎng)絡(luò)模塊、輸出端模塊,保護(hù)電路模塊和控制接口模塊。該高壓大功率集成運(yùn)算放大器,通過(guò)...
  • 本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件包括三種類型的單元作為多個(gè)邏輯門。第一單元包括具有第一閾值電壓的p型MOSFET和具有第二閾值電壓的n型MOSFET。第二單元包括具有第三閾值電壓的p型MOSFET和具有第四閾值電壓的n型MOSF...
  • 本實(shí)用新型提供一種用于基帶線性抵消的差分功率放大器,包括驅(qū)動(dòng)級(jí)放大器、第一變壓器、基帶抵消模塊、功率級(jí)放大器,其特征在于:驅(qū)動(dòng)級(jí)放大器,其被配置為接收差分信號(hào)并且將放大的第一差分信號(hào)提供給第一變壓器;第一變壓器,其被配置在驅(qū)動(dòng)級(jí)放大器和功率...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N均衡器可調(diào)電路、放大器可調(diào)電路以及電子設(shè)備,屬于均衡器技術(shù)領(lǐng)域。交叉負(fù)阻抗模塊用于通過(guò)負(fù)阻抗對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償??烧{(diào)電流模塊與交叉負(fù)阻抗模塊連接??烧{(diào)電流模塊用于提供交叉負(fù)阻抗模塊的可調(diào)偏置電流,以通過(guò)可調(diào)偏置電流對(duì)交叉負(fù)阻抗...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于異構(gòu)集成的雙路濾波裝置及電子裝置,基于異構(gòu)集成的雙路濾波裝置包括:集合端口、第一分端口、第二分端口、干路模塊、第一支路模塊、第二支路模塊以及耦合在第一支路模塊和第二支路模塊之間的第十電感、第一電阻、第二電阻和第十電容;在...
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供一種聲表面波諧振器和射頻濾波器,聲表面波諧振器包括:襯底;位于襯底上的壓電層;電極層,電極層位于壓電層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè);電極層包括多個(gè)叉指式換能器,叉指式換能器包括:第一匯流條和交替排布連接至第一匯流條的第一電極指和第一虛設(shè)電...
  • 本發(fā)明涉及一種基于頻率自適應(yīng)技術(shù)的數(shù)字鎖相放大器與微弱信號(hào)采集系統(tǒng)及方法,該系統(tǒng)包括:前端信號(hào)處理模塊,用于獲取微弱待測(cè)信號(hào);頻率自適應(yīng)跟蹤模塊,用于對(duì)微弱待測(cè)信號(hào)的頻率進(jìn)行快速傅里葉變換,獲取最大譜線的位置,從而合成頻率控制字,進(jìn)一步生成...
  • 本發(fā)明提供一種能實(shí)現(xiàn)小型化的放大電路。放大電路具備:第一分配器;控制放大器;第二分配器;第一輔助放大器;第二輔助放大器;以及分支線耦合器,其中,第一傳輸線路和第三傳輸線路的中心頻率下的第一特性阻抗高于基準(zhǔn)阻抗,第二傳輸線路和第四傳輸線路的中...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種推挽有源差分箝位E類功率放大器,包括推挽E類功率放大器,推挽E類功率放大器包括實(shí)現(xiàn)直流到交流變換的主功率開(kāi)關(guān)Q1和Q2,結(jié)構(gòu)互補(bǔ)或?qū)ΨQ;輸出的差分電容CQ1的...
  • 本公開(kāi)涉及用于高速信號(hào)切換的升壓開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器。一種示例升壓開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器電路包含兩個(gè)分支。第一分支包含第一晶體管。第二分支包含第二晶體管和電平移位器電路。晶體管中的一者為N型晶體管并且另一者為P型晶體管。電路配置為在第一分支與第二分支之間分割輸入...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種IGBT溫度最大值的采樣電路及方法,通過(guò)實(shí)施本申請(qǐng),集成兩個(gè)相同的溫度采樣子電路,能夠?qū)蓚€(gè)獨(dú)立的溫度采樣電阻進(jìn)行信號(hào)采集,使得在只占用一路采樣電路PCB面積的基礎(chǔ)上,僅需一路MCU的數(shù)據(jù)處理端口,即可實(shí)現(xiàn)兩路甚至多路溫度信...
  • 放大電路具備:第一分配器,將輸入信號(hào)分配成第一信號(hào)和第二信號(hào);控制放大器,將第一信號(hào)放大,將放大后的信號(hào)作為第三信號(hào)輸出;第二分配器,將第二信號(hào)分配成工作頻帶的中心頻率下的相位不同的第四信號(hào)和第五信號(hào);第一輔助放大器,將第四信號(hào)放大,將放大...
技術(shù)分類
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