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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明公開了一種電子裝置,包括基板以及多個(gè)子像素。多個(gè)子像素設(shè)置在基板上,其中多個(gè)子像素沿著第一方向及第二方向排列,且第一方向不同于第二方向。多個(gè)子像素的其中一個(gè)在第一方向上具有第一寬度并在第二方向上具有第二寬度,且第一寬度對(duì)第二寬度的比值...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板、顯示面板的制備方法及電子設(shè)備,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,所述顯示面板包括陣列基板、隔離結(jié)構(gòu)、發(fā)光單元和折射層;隔離結(jié)構(gòu)和發(fā)光單元位于像素界定層遠(yuǎn)離陣列基板的一側(cè);隔離結(jié)構(gòu)圍合形成間隔設(shè)置的多個(gè)透鏡凹槽,發(fā)光單元在陣列...
  • 本發(fā)明公開了一種利用PbI2老化工藝制備高性能鈣鈦礦薄膜的方法。所述方法通過老化PbI2,老化后的PbI2表面孔洞增多且孔洞變大,增大PbI2與有機(jī)銨鹽...
  • 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種電容器件、其形成方法和電子設(shè)備,電容器件包括:底部導(dǎo)體層,位于基底上;位于基底上的多層導(dǎo)體層,多層導(dǎo)體層包括自所述基底依次層疊設(shè)置的底部導(dǎo)體層、至少一層中間導(dǎo)體層和頂部導(dǎo)體層;介電層,位于相鄰的所述底部...
  • 描述用于治療動(dòng)脈瘤的裝置和遞送方法,所述裝置包含具有敞開的遠(yuǎn)側(cè)端的可滲透外殼、具有管腔的內(nèi)部可壓縮網(wǎng)狀物結(jié)構(gòu)、以及包圍所述內(nèi)部可壓縮結(jié)構(gòu)的至少一部分的外部約束件。所述外部約束件可以具有變化的剛度。所述可滲透外殼的擴(kuò)張的構(gòu)造可以被成形為圓環(huán)體...
  • 具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)的合成單絲開放網(wǎng)格式的過濾織物,具有的經(jīng)線的線密度/cm不同于緯線的線密度/cm,并且其中經(jīng)線的直徑不同于緯線的直徑。本發(fā)明的合成單絲開放網(wǎng)格式的過濾織物在保證液體流量相等的情況下具有改進(jìn)的阻擋固體顆粒的能力;或可選擇地,與現(xiàn)...
  • 本發(fā)明公開了一種用于治療脫發(fā)的生物活性凝膠及其制備方法和應(yīng)用,其中用于治療脫發(fā)的生物活性凝膠制備原料包括:治療劑、脂質(zhì)體、氧化葡聚糖、羧甲基殼聚糖季銨鹽。所述生物活性凝膠的制備原料中,治療劑的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1~3wt%,氧化葡聚糖的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1...
  • 本發(fā)明涉及一種基于坡口重構(gòu)策略的焊接方法,工藝管道用于安裝于變位機(jī)的轉(zhuǎn)臺(tái)上,焊接機(jī)器人通過控制裝置與控制器電連接,變位機(jī)與控制器電連接,跟蹤傳感器設(shè)置于焊接機(jī)器人的機(jī)械臂末端、且與焊接機(jī)器人上的焊槍固定連接,跟蹤傳感器與控制器電連接;焊接方...
  • 本發(fā)明提供了一種高鎳正極材料及其制備方法和應(yīng)用,該制備方法包括以下步驟:(1)將高鎳前驅(qū)體材料與第一鋰鹽混合,于第一氧化性氣氛中進(jìn)行第一燒結(jié)處理,得到中間體材料;(2)將所述中間體材料與第二鋰鹽混合,于第二氧化性氣氛中進(jìn)行第二燒結(jié)處理,得到...
  • 本發(fā)明涉及尼龍6復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種尼龍6組合物及其制備方法和多層復(fù)合膜。該尼龍6組合物含有線性尼龍6樹脂、極性聚烯烴以及任選的抗氧劑,且相對(duì)于100重量份的所述線性尼龍6樹脂,所述極性聚烯烴的含量為5?40重量份,所述抗氧劑的含量...
  • 一種高效循環(huán)燃燒裝置,設(shè)置有若干段燃燒內(nèi)膽通道和若干段循環(huán)風(fēng)道,把固化爐內(nèi)的廢氣吸入到燃燒膽內(nèi)分段燃燒,燃燒膽內(nèi)產(chǎn)生高溫氣體,再由循環(huán)風(fēng)機(jī)輸送到固化爐里面循環(huán)供熱,燃燒膽分為多段式燃燒內(nèi)膽與多段循環(huán)風(fēng)道配合,把固化爐內(nèi)廢氣吸入到燃燒膽內(nèi)分段...
  • 本申請(qǐng)公開了一種應(yīng)用程序的靜態(tài)編譯方法、微服務(wù)的靜態(tài)編譯方法。其中,該方法包括:加載應(yīng)用程序待編譯的多個(gè)原始類,其中,多個(gè)原始類中包含目標(biāo)類;從預(yù)設(shè)配置文件中讀取應(yīng)用程序的變換類的配置信息,其中,變換類為對(duì)目標(biāo)類進(jìn)行動(dòng)態(tài)增強(qiáng)所得到的類;基于...
  • 本發(fā)明公開了一種觀點(diǎn)生成的方法和裝置,涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括:響應(yīng)于接收到觀點(diǎn)生成請(qǐng)求,獲取待推理文本數(shù)據(jù);將待推理文本數(shù)據(jù)輸入到預(yù)先構(gòu)建的觀點(diǎn)生成模型,得到待推理文本數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的觀點(diǎn),所述觀點(diǎn)生成模型是通過對(duì)觀點(diǎn)生成...
  • 本發(fā)明公開了物品攬派的裝置、方法、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì),涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括:物品攬派部件與所控制部件連接,控制部件控制物品攬派部件沿?cái)埮赏ǖ酪苿?dòng);攬派通道的設(shè)置與各用戶對(duì)應(yīng)的攬派接口,攬派口包括攬收口和派送口;攬收...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種角點(diǎn)特征檢測(cè)方法,該方法包括:基于目標(biāo)函數(shù)對(duì)初始預(yù)測(cè)模型進(jìn)行訓(xùn)練,確定目標(biāo)預(yù)測(cè)模型;其中,目標(biāo)函數(shù)為通過拍攝高度參數(shù)和拍攝縮放比例參數(shù)構(gòu)建的;根據(jù)目標(biāo)預(yù)測(cè)模型對(duì)待預(yù)測(cè)圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測(cè)處理,獲得待預(yù)測(cè)圖像對(duì)應(yīng)的角點(diǎn)特征。
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法,包括:提供待處理晶片;在離子注入腔室內(nèi)對(duì)所述待處理晶片進(jìn)行輕摻雜注入離子,在所述待處理晶片內(nèi)形成輕摻雜區(qū);在進(jìn)行所述輕摻雜漏離子注入工藝之后,將所述待處理晶片自離子注入腔室轉(zhuǎn)移至中轉(zhuǎn)腔室內(nèi);在所述待處理晶片被轉(zhuǎn)移至...
  • 本發(fā)明公開了一種槽形結(jié)構(gòu)的刻蝕控制方法以及槽型結(jié)構(gòu),涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,以提供一種能夠解決在利用等離子體刻蝕方法對(duì)柵槽進(jìn)行刻蝕時(shí),常規(guī)刻蝕利用固定值輸入功率射頻源對(duì)帽層勢(shì)壘層進(jìn)行刻蝕的方法在柵槽表面造成損傷,破壞界面,進(jìn)而影響高頻下的器...
  • 本發(fā)明提供了的一種碳化硅功率器件及其制備方法,應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。具體在提供一碳化硅基底之后,并沒有向現(xiàn)有技術(shù)直接采用熱氧化或化學(xué)氣相沉積工藝在碳化硅基底的表面上形成柵極氧化層,而是在形成柵極氧化層之前,先通入混合氣體高溫轟擊碳化硅基底的...
  • 本發(fā)明提供一種將樹脂面板、接合材、以及通過受光而發(fā)電的太陽能電池加熱接合的接合方法以及接合裝置,具有良好的組裝性。接合裝置包括下模;上模,與所述下模合模而形成成形空間;隔膜,配置于所述下模與所述上模之間,且分割所述成形空間;第一壓力調(diào)整部,...
  • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底,位于所述襯底上的緩沖層以及位于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的發(fā)光結(jié)構(gòu);所述緩沖層包括第一區(qū)域和環(huán)繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域;光阻結(jié)構(gòu),所述光阻結(jié)構(gòu)通過對(duì)所述緩沖層的第二區(qū)域選擇性刻蝕...
技術(shù)分類
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