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  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的一種陸相頁(yè)巖油儲(chǔ)層評(píng)估方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。本申請(qǐng)針對(duì)陸相頁(yè)巖油儲(chǔ)層的多個(gè)巖油參數(shù)，先構(gòu)建多個(gè)巖油參數(shù)在預(yù)設(shè)多個(gè)數(shù)據(jù)評(píng)估維度的評(píng)估矩陣，然后根據(jù)評(píng)估矩陣確定每一巖油參數(shù)對(duì)應(yīng)的權(quán)重值，之后根據(jù)陸相頁(yè)巖油儲(chǔ)層的地...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N救援輔助方法、裝置、系統(tǒng)、電子設(shè)備和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法應(yīng)用于計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：獲取目標(biāo)區(qū)域內(nèi)每個(gè)患者的位置信息以及可調(diào)度醫(yī)療資源的位置信息；對(duì)每個(gè)患者的位置信息和可調(diào)度醫(yī)療資源的位置信息進(jìn)行整合，并對(duì)整合后的信息...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)一種人群移動(dòng)趨勢(shì)的預(yù)測(cè)方法、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及人口預(yù)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：獲取預(yù)設(shè)區(qū)域中的目標(biāo)人群產(chǎn)生的移動(dòng)通信數(shù)據(jù)，移動(dòng)通信數(shù)據(jù)包括目標(biāo)人群的移動(dòng)位置；基于目標(biāo)人群的移動(dòng)位置，確定目標(biāo)人群的健康信息；在確定預(yù)設(shè)區(qū)域與樣本區(qū)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N核聚變反應(yīng)裝置、系統(tǒng)及方法；核聚變反應(yīng)裝置中真空室的外壁包括連接的內(nèi)環(huán)面和外環(huán)面，外環(huán)面包圍內(nèi)環(huán)面，內(nèi)環(huán)面朝真空室的中軸凸出；真空室包圍該多個(gè)第一線圈，該多個(gè)第一線圈中至少部分第一線圈沿內(nèi)環(huán)面的周向延伸，且在真空室的軸向上依...
  • 本發(fā)明涉及一種抗摩擦可拉伸電子皮膚及其制備方法與應(yīng)用，該可拉伸電子皮膚的制備方法包括以下步驟：取彈性基體材料分散于溶劑中，得到彈性基體溶液，再倒入容器中烘干成膜，得到可拉伸襯底薄膜；通過(guò)微納沉積工藝并結(jié)合圖案化掩模板工藝，在可拉伸襯底薄膜上...
  • 本申請(qǐng)涉及儲(chǔ)能器件正極材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及錳基正極材料及其制備方法與應(yīng)用。錳基正極材料的制備方法包括如下步驟：將包括錳氧化物和堿金屬源進(jìn)行燒結(jié)處理，得到燒結(jié)物；將燒結(jié)物進(jìn)行淬火處理，得到錳基正極材料。本申請(qǐng)可將堿金屬離子儲(chǔ)存在制得的錳基正...
  • 本發(fā)明提供一種無(wú)線傳輸多功能生命探測(cè)儀，涉及生命探測(cè)儀領(lǐng)域，包括：?jiǎn)㈤]組件，所述啟閉組件由安裝機(jī)構(gòu)、操作機(jī)構(gòu)和鎖控機(jī)構(gòu)組成，解決了現(xiàn)有生命探測(cè)儀的手持設(shè)備的開(kāi)關(guān)按鈕沒(méi)有防誤觸結(jié)構(gòu)，在攜帶、移動(dòng)過(guò)程中很容易出現(xiàn)誤碰誤觸意外關(guān)閉手持設(shè)備電源的現(xiàn)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種按鍵結(jié)構(gòu)及其升降機(jī)構(gòu)，該升降機(jī)構(gòu)包括第一樞接件及第二樞接件。第一樞接件具有樞接孔且包括第一樞接部。第二樞接件包括樞接軸及第二樞接部。樞接軸樞接于樞接孔，而第一樞接部及第二樞接部用以樞接于同一個(gè)滑槽。
  • 本發(fā)明提出一種多功能氣隙式熱開(kāi)關(guān)，具體涉及于熱開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,所述多功能氣隙式熱開(kāi)關(guān)包括開(kāi)關(guān)本體，所述開(kāi)關(guān)本體包括銅柱和殼體其中：所述銅柱包括冷端銅柱和熱端銅柱，所述銅柱與所述殼體固定連接，所述冷端銅柱和所述熱端銅柱均通過(guò)慢走絲切割加工而成，...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于單離子信號(hào)的高速數(shù)據(jù)采集方法，以單離子信號(hào)特征作為高速采集的硬件處理標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)置一個(gè)閾值，記錄從正往負(fù)穿過(guò)閾值到正向超過(guò)閾值期間的信號(hào)與起點(diǎn)為有效信號(hào)，記錄一次采集的觸發(fā)信號(hào)后預(yù)設(shè)采集長(zhǎng)度內(nèi)的上述若干組有效數(shù)據(jù)；在下次觸發(fā)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種可精確控制電子槍電子能量的方法，包括方法如下：S1，在電子槍工作過(guò)程中，先對(duì)電子槍的燈絲進(jìn)行加熱，不加電離能電場(chǎng)，不發(fā)射電子，直至加熱完成斷開(kāi)燈絲加熱電源，此時(shí)獲得激活態(tài)的電子；S2，在S1過(guò)程后再給燈絲和電離室加電離能電場(chǎng)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種介質(zhì)層的刻蝕方法、基片的刻蝕方法及等離子體刻蝕設(shè)備，其中，介質(zhì)層的刻蝕方法包括：提供一等離子體刻蝕反應(yīng)腔，所述等離子體刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)有一基座；將基片放置于所述基座上；所述基片的表面覆蓋介質(zhì)層，所述介質(zhì)層包括中心區(qū)和邊緣區(qū)，所...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種晶圓吸附裝置、吹掃盤及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，晶圓吸附裝置包括：第一盤體，包括相對(duì)設(shè)置的第一面和第二面；手臂桿，中空設(shè)置，且手臂桿一端由第一面的中心貫通至第二面，另一端用于連接機(jī)械手臂以及抽氣裝置，以通過(guò)抽氣裝置經(jīng)手臂桿對(duì)第一盤體的...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種集成電路及其制備方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。集成電路包括配電網(wǎng)絡(luò)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、柵線、第一極、第一電極接觸部、第二電極接觸部、電源連通部和隔離層。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。第一電極接觸部和第二電...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種集成電路及其制備方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。集成電路包括配電網(wǎng)絡(luò)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、柵線、第一極、電源連通部、第一電極接觸部、第二電極接觸部和隔離層。電源連通部位于相鄰兩條半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間，與配電網(wǎng)絡(luò)接觸。電源連通部將柵...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有可變封裝電容的射頻功率器件，包括法蘭和內(nèi)匹配射頻功率芯片電路，法蘭由金屬材料制成，法蘭上表面在內(nèi)匹配射頻功率芯片電路外圍設(shè)置有介質(zhì)層，介質(zhì)層上覆蓋有多個(gè)離散的金屬片，法蘭、介質(zhì)層和多個(gè)金屬片組成多個(gè)封裝電容器，法蘭和多個(gè)...
  • 本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板、專用集成電路、多個(gè)光電組件以及多個(gè)有機(jī)中介層。專用集成電路配置于封裝基板上且與封裝基板電性連接。光電組件彼此分離地配置于封裝基板上且圍繞專用集成電路。每一光電組件包括電子集成電路、光...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種負(fù)極片、電池以及車輛。所述負(fù)極片包括負(fù)極集流體以及位于所述負(fù)極集流體一側(cè)或兩側(cè)的負(fù)極活性材料層，所述負(fù)極片還包括位于所述負(fù)極集流體和所述負(fù)極活性材料層之間的底涂層，并且所述底涂層包括鎂鹽。本申請(qǐng)?zhí)峁┑呢?fù)極片能夠降低負(fù)極阻抗，...
  • 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種高性能鋰離子電池負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用。所述方法包括：對(duì)生物質(zhì)碳源進(jìn)行預(yù)碳化處理形成生物炭；將生物炭與活化劑置于球磨罐中進(jìn)行球磨，將球磨后的混合物置于管式爐中進(jìn)行碳化處理，將碳化處理的產(chǎn)物進(jìn)行酸洗、抽濾、烘干，形成多...
  • 提供一種復(fù)合負(fù)極活性材料，包括第一活性物質(zhì)和第二活性物質(zhì)；第一活性物質(zhì)為石墨材料；第二活性物質(zhì)為高容量材料；定義活性物質(zhì)的性能因子P，P＝SSA*(Dv10?Dv0)/Dn50，Dv10在0.5?10μm，Dv0在0.1?10μm，Dn50...
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