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  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N加熱爐出爐輥道能量回收系統(tǒng)，包括振動(dòng)能量回收裝置和熱量回收裝置。振動(dòng)能量回收裝置包括支撐部、傳動(dòng)部和回收電機(jī)，支撐部支撐出爐輥道的輥?zhàn)硬⒛茈S輥?zhàn)拥纳舷抡駝?dòng)而上下移動(dòng)，傳動(dòng)部連接支撐部和回收電機(jī)的輸入軸，傳動(dòng)部能將支撐部的上下移...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種移動(dòng)設(shè)備控制方法、裝置及電子設(shè)備。所述移動(dòng)設(shè)備上包括太陽(yáng)能電池板，該方法包括：獲取所述太陽(yáng)能電池板上的光照強(qiáng)度值，若所述太陽(yáng)能電池板上存在至少兩個(gè)不同光照強(qiáng)度值的區(qū)域，則根據(jù)所述光照強(qiáng)度值確定目標(biāo)移動(dòng)方向，控制所述移動(dòng)設(shè)...
  • 本公開(kāi)涉及一種問(wèn)題模塊定位方法、裝置、電子設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及車(chē)輛。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本公開(kāi)通過(guò)響應(yīng)于第一用戶(hù)輸入異常問(wèn)題的操作，獲取到當(dāng)前異常問(wèn)題，不需要人工識(shí)別問(wèn)題，節(jié)省人力資源，進(jìn)一步將所述當(dāng)前異常問(wèn)題與數(shù)據(jù)庫(kù)中各個(gè)模塊對(duì)應(yīng)的問(wèn)題進(jìn)行匹配，...
  • 本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例提供對(duì)話處理、文本生成以及目標(biāo)對(duì)話模型訓(xùn)練方法，其中對(duì)話處理方法包括：獲取對(duì)話文本和對(duì)話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)，其中，對(duì)話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)與對(duì)話文本的模態(tài)不同；將對(duì)話文本和對(duì)話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)輸入目標(biāo)對(duì)話模型，獲得對(duì)話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的第一模態(tài)特征和對(duì)話文本對(duì)...
  • 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種基于深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的巖石力學(xué)參數(shù)自動(dòng)計(jì)算方法，包括如下步驟：步驟100、通過(guò)現(xiàn)代成像技術(shù)獲取巖石表面的細(xì)觀結(jié)構(gòu)圖像，并對(duì)圖像進(jìn)行預(yù)處理；步驟200、利用U?Net深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對(duì)預(yù)處理后的圖像進(jìn)行訓(xùn)練和預(yù)測(cè)，并對(duì)圖...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池單體、電池和用電裝置。該正極活性材料包括Li1?xNaxNiaM1b...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種正極材料及其制備方法、正極，鈉電池和用電裝置。正極材料包括化學(xué)式NaaNibFecMndMeOf
  • 本發(fā)明涉及一種溝槽型肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法，所述溝槽型肖特基勢(shì)壘二極管包括：襯底，具有第一導(dǎo)電類(lèi)型；第一導(dǎo)電類(lèi)型層，位于所述襯底上，所述第一導(dǎo)電類(lèi)型層的摻雜濃度小于所述襯底的摻雜濃度；溝槽結(jié)構(gòu)，從所述第一導(dǎo)電類(lèi)型層的第一表面向所述襯底...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供襯底，襯底包括若干器件區(qū)、以及位于相鄰器件區(qū)之間的間隔區(qū)；在器件區(qū)上形成若干器件鰭部；在間隔區(qū)上形成若干輔助鰭部；在器件區(qū)上形成柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)橫跨器件鰭部；以柵極結(jié)構(gòu)為掩膜刻...
  • 本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件具有有源區(qū)和圍繞有源區(qū)的終端區(qū)且包括：基區(qū)，其位于有源區(qū)且位于第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底的第二面；多個(gè)環(huán)狀子區(qū)域，其位于終端區(qū)且位于襯底的第二面，且彼此間隔開(kāi)；絕緣層，其位于終端區(qū)且位于多個(gè)環(huán)狀...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS區(qū)與PMOS區(qū)的襯底，襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)、硬掩膜層、第一側(cè)墻以及第一保護(hù)層或第二側(cè)墻，NMOS區(qū)內(nèi)的硬掩膜層的厚度大于PMOS區(qū)內(nèi)的硬掩膜層的厚度；形成覆蓋襯底的填充層；...
  • 本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池的局部鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，在太陽(yáng)能電池需要制備局部鈍化接觸結(jié)構(gòu)的一面，先制備一層鈍化層，然后在鈍化層上貼合具備鏤空區(qū)域的掩膜；鏤空區(qū)域的形狀對(duì)應(yīng)電池片局部鈍化接觸電極區(qū)域或非局部鈍化接觸電極區(qū)域；掩膜由激光進(jìn)行圖...
  • 本發(fā)明涉及一種氣溶膠產(chǎn)生裝置（100），包括：縱向加熱腔體（10），該縱向加熱腔體由側(cè)向壁（12）界定，加熱腔體（10）在一個(gè)上端（10a）處設(shè)置有開(kāi)口（14），并且適于接納穿過(guò)所述開(kāi)口（14）插入的氣溶膠產(chǎn)生制品的至少一部分；以及加熱系統(tǒng)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NX射線成像系統(tǒng)以及X射線成像方法。X射線成像系統(tǒng)包括檢測(cè)床，X射線源以及控制器，檢測(cè)床內(nèi)安裝有探測(cè)器，且探測(cè)器能夠沿檢測(cè)床的長(zhǎng)度和寬度方向運(yùn)動(dòng)，X射線源和探測(cè)器能夠配合以獲取被檢測(cè)對(duì)象的X射線圖像，控制器能夠控制X射線源和探...
  • 本申請(qǐng)涉及血管支架輔助開(kāi)窗方法、裝置、系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)與計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。血管支架輔助開(kāi)窗方法包括：基于血管的三維影像構(gòu)建第一血管支架模型；將所述第一血管支架模型疊加顯示在第一血管支架實(shí)物上；使所述第一血管支架模型上預(yù)設(shè)周向范圍內(nèi)的...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備，該方法包括：獲取已修改的第一代碼段；確定所述第一代碼段的第一存儲(chǔ)位置；獲取第一對(duì)應(yīng)關(guān)系，所述第一對(duì)應(yīng)關(guān)系中包括多個(gè)存儲(chǔ)位置、以及每個(gè)存儲(chǔ)位置相對(duì)應(yīng)的用戶(hù)，所述存儲(chǔ)位置相對(duì)應(yīng)的用戶(hù)為檢查所述存...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種自動(dòng)化測(cè)試腳本生成方法及終端，包括將依賴(lài)數(shù)據(jù)進(jìn)行入庫(kù)，得到包含接口依賴(lài)信息和特征向量數(shù)據(jù)的向量數(shù)據(jù)庫(kù)以及包含樣本腳本代碼的腳本樣本庫(kù)；對(duì)用戶(hù)提供的文本測(cè)試用例進(jìn)行拆解，得到多個(gè)執(zhí)行步驟，并基于所述向量數(shù)據(jù)庫(kù)和所述腳本樣本庫(kù)，...
  • 本公開(kāi)涉及一種測(cè)試用例生成方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：獲取目標(biāo)創(chuàng)建的測(cè)試用例的測(cè)試步驟；對(duì)所述測(cè)試步驟與預(yù)設(shè)函數(shù)庫(kù)中存儲(chǔ)的測(cè)試函數(shù)的描述信息進(jìn)行模糊匹配，得到目標(biāo)測(cè)試函數(shù)；將預(yù)先獲取的所述目標(biāo)測(cè)試函數(shù)對(duì)應(yīng)的初始配置信息和預(yù)定義信...
  • 本公開(kāi)公開(kāi)了一種文本數(shù)據(jù)增強(qiáng)方法、裝置、系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：獲取文本數(shù)據(jù)；對(duì)所述文本數(shù)據(jù)進(jìn)行擴(kuò)增操作，得到增強(qiáng)文本數(shù)據(jù)；根據(jù)所述增強(qiáng)文本數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的特征數(shù)據(jù)對(duì)所述增強(qiáng)文本數(shù)據(jù)進(jìn)行聚類(lèi)，得到目標(biāo)文本數(shù)據(jù)。通過(guò)對(duì)文本數(shù)據(jù)進(jìn)行擴(kuò)增...
  • 本發(fā)明提供了一種制備碳化硅器件溝道注入掩膜的方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括以下步驟：在晶圓上形成Pwell區(qū)；在已形成Pwell區(qū)的晶圓上淀積氧化硅，形成掩膜介質(zhì)層；在淀積的氧化硅上光刻N(yùn)+圖形，并通過(guò)刻蝕的...
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