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  • 本申請的實施例提供了一種激光器陣列以及激光雷達，涉及光學感知技術領域。該激光器陣列的微分電阻可調(diào)，輸出的發(fā)射激光的光功率可調(diào)。該激光器陣列包括第一激光器以及第二激光器；第一激光器包括沿外延方向依次設置的第一反射層、第一有源層以及第二反射層，...
  • 本發(fā)明屬于石油修井作業(yè)領域，公開了一種井下高壓密封式插接器閥，導線A與中心插桿焊接，外套的左端設有螺紋，鎖緊環(huán)A和外套螺紋連接，鎖緊環(huán)A依次壓緊密封帽、螺母、扶正塊、密封環(huán)，螺母與中心插桿螺紋連接，上捕捉頭與活動套螺紋連接，外殼右端設有螺紋...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N電子設備，該電子設備包括：金屬地板；以及輻射體，所述輻射體的第一端通過第一開關與所述金屬地板連接，所述輻射體的第二端通過第二開關與所述金屬地板連接，所述輻射體具有饋電點，所述饋電點用于與饋源連接，且所述饋電點位于所述第一端與...
  • 本申請實施例提供一種介質(zhì)諧振器、介質(zhì)濾波器及通信設備，涉及通信技術領域，用于提高介質(zhì)諧振器的品質(zhì)因數(shù)。介質(zhì)諧振器包括第一介質(zhì)塊和第二介質(zhì)塊、第一導電層，以及第二導電層。第一介質(zhì)塊具有安裝孔，第二介質(zhì)塊位于安裝孔內(nèi)；第二介質(zhì)塊的介電常數(shù)大于第...
  • 本發(fā)明公開了一種電池單體、電池單體的制備方法、電池及其用電裝置，電池單體包括：殼體，包括第一壁；極柱，設置于第一壁，形成有貫通極柱的連接孔，連接孔的內(nèi)周壁的至少部分形成為第一斜面，第一斜面相對于連接孔的軸線傾斜布置；電極組件，包括活性物質(zhì)涂...
  • 本發(fā)明內(nèi)容提供一種復合固態(tài)電解質(zhì)。復合固態(tài)電解質(zhì)包括鋰鑭鋯氧化物粉體以及含磷酸鋰保護層。鋰鑭鋯氧化物粉體的平均粒徑小于500nm。含磷酸鋰保護層包覆鋰鑭鋯氧化物粉體的外表面。復合固態(tài)電解質(zhì)基于固態(tài)電解質(zhì)而可避免液態(tài)電解質(zhì)揮發(fā)、泄漏及在高溫使...
  • 本申請實施例提供一種電極組件制造裝置及方法、電池制造設備及方法，其中電極組件制造裝置包括卷針和多個放卷裝置，多個放卷裝置被配置為向卷針提供多個卷材，多個卷材卷繞至卷針上以形成電極組件，在卷繞過程中多個卷材對卷針產(chǎn)生多個作用力，多個放卷裝置的...
  • 本發(fā)明提供了一種燃料電池系統(tǒng)開機控制方法、設備及燃料電池系統(tǒng)，該方法在燃料電池系統(tǒng)接收到開機指令后，利用預設的供氣參數(shù)控制燃料電池系統(tǒng)中的燃料電池產(chǎn)生電勢并獲取燃料電池的平均電壓；當平均電壓達到預設的第一閾值時，利用預設的電流拉載參數(shù)控制燃...
  • 本申請?zhí)峁┮环N用于有燃料電池系統(tǒng)的燃料電池車輛的氫氣泄漏檢測方法，該方法包括：獲取第一供氫管路的第一氫氣壓力衰減值和第一氫氣監(jiān)測濃度；若第一氫氣壓力衰減值小于或等于第一預設閾值且第一氫氣監(jiān)測濃度小于或等于第二預設閾值，則在氫氣輸送至第二供氫...
  • 本發(fā)明提供了一種熱管理架構及其控制方法，該熱管理架構包括加熱器、換熱器以及分別與電堆連接的冷卻回路、氫氣入堆管路和氫氣循環(huán)管路，其中，冷卻回路的入口和出口分別連通電堆的冷卻液出、入口，加熱器并聯(lián)設置在冷卻回路上的冷卻液泵的兩端形成加熱回路，...
  • 本發(fā)明提供了一種扁管式固體氧化物燃料電池的陰極集流體及其制備方法，其中扁管式固體氧化物燃料電池的陰極集流體的制備方法包括：將三氧化二鈷、氧化鑭以及氧化銅進行混合，得到集流體粉體；將集流體粉體通過等離子噴涂技術沉積在電池陰極的表面，得到陰極集...
  • 本發(fā)明提供了一種氮硫共摻雜碳材料及其制備方法和應用，所述制備方法包括：(1)將具有孔道結構的碳前驅體、氮源、硫源和分散溶劑混合，干燥后進行熱處理，得到復合前驅體，其中，所述碳前驅體的質(zhì)量與氮源和硫源的質(zhì)量總和的比為(3～15):1；(2)對...
  • 本申請涉及固體氧化物電解池技術領域，提供了一種電池制備方法和電池，電池制備方法包括：將電極漿料均勻涂覆在模具棒上，在模具棒上形成陽極膜層，對陽極膜層進行第一階段燒結處理，以得到氫電極；將電解質(zhì)漿料均勻覆蓋在氫電極上，在氫電極上形成電解質(zhì)層，...
  • 本發(fā)明提供一種單層電池極片及其制備方法、裝置，方法包括以下步驟：S1：將電極基材進行預熱；S2：通過導電霧化針頭對電極漿料施加高壓電場，進行霧化；所述電極漿料包括電極活性物質(zhì)顆粒、粘結劑和溶劑；S3：將霧化后的電極漿料依次均勻噴涂在預熱的電...
  • 本發(fā)明公開了一種半導體裝置以及其制作方法，其中該半導體裝置包括裝置層、設置在裝置層之上的層間介電層、第一互連結構、第二互連結構以及第一介電層。層間介電層包括第一部分設置在第一裝置區(qū)之上以及第二部分設置在第二裝置區(qū)之上。第一部分的上表面在垂直...
  • 本申請涉及一種保護環(huán)結構的制備方法，包括：提供基底，所述基底包括半導體襯底、半導體器件以及第一介質(zhì)層，所述半導體器件基于所述半導體襯底加工形成，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述半導體襯底以及所述半導體器件；刻蝕所述第一介質(zhì)層以及所述半導體襯底，形成第...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N半導體封裝組件及其形成方法。所述方法包括：提供封裝基板，所述封裝基板包括第一區(qū)和第二區(qū)，其中至少一個第一類型電子元件安裝在所述第一區(qū)上；將保護層附接到所述第二區(qū)上；在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)上形成基底模蓋以封裝所述至少一個第一...
  • 本申請?zhí)峁┮环N芯片封裝結構及其制備方法。制備方法包括：在基板上形成盲孔，在盲孔內(nèi)設置導電材料，形成第一導電部；加熱，使第一導電部熱熔與芯片的第二導電部連接，第二導電部的熔點高于第一導電部的熔點。本申請利用低熔點的第一導電部熱熔與高熔點的第二...
  • 本發(fā)明公開了一種具有光學訪問通道的噴氣結構及噴氣系統(tǒng)，包括進氣連接件和氣體噴嘴，所述進氣連接件與氣體噴嘴相互連接；所述氣體噴嘴設有光學訪問通道、中間進氣氣路和邊緣進氣氣路，所述光學訪問通道位于所述氣體噴嘴的中心位置且豎直向下延伸，所述中間進...
  • 本發(fā)明公開了一種噴氣結構和等離子體刻蝕機。該噴氣結構包括進氣管套，能夠與氣源導通；噴氣件，與進氣管套可拆卸連接，且噴氣件與進氣管套連接后形成容納空間；氣路切換件，可動設置于容納空間內(nèi)；其中，氣路切換件設有氣體通孔組，噴氣件設有噴氣孔組，氣體...
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