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  • 本申請涉及一種外延片及其制作方法、發(fā)光芯片及其制作方法，外延片包括：襯底，所述襯底的一側(cè)具有多個凸起，所述凸起之間的所述襯底表面為平面區(qū)域；設于襯底上的形核引導層，形核引導層包括完全覆蓋所述平面區(qū)域的第一引導部，以及覆蓋所述凸起的部分側(cè)壁的...
  • 本申請實施例提供了一種多主柵P型電池片及其制作方法和裝置及光伏組件，所述多主柵P型電池片包括背離設置的受光面和背光面；所述受光面設有多個間隔設置的主柵，所述主柵沿第一方向延伸，所述多個主柵沿第二方向間隔設置，其中，所述第一方向垂直于所述第二...
  • 本公開提供一種光電集成探測器，包括殼體；無源光芯片組件，設置在殼體內(nèi)，并包括適用于將由外部輸入的光信號分解為不同波長的光信號的波分解復用芯片；可調(diào)光衰減芯片，適用于對不同波長的光信號進行功率調(diào)制；探測器陣列組件，設置在殼體內(nèi)，并包括：陣列載...
  • 本發(fā)明提供了一種制備碳化硅器件溝道注入掩膜的方法，屬于半導體制造技術領域，該方法包括以下步驟：在晶圓上形成Pwell區(qū)；在已形成Pwell區(qū)的晶圓上淀積氧化硅，形成掩膜介質(zhì)層；在淀積的氧化硅上光刻N+圖形，并通過刻蝕的...
  • 本公開公開了一種文本數(shù)據(jù)增強方法、裝置、系統(tǒng)和計算機可讀存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取文本數(shù)據(jù)；對所述文本數(shù)據(jù)進行擴增操作，得到增強文本數(shù)據(jù)；根據(jù)所述增強文本數(shù)據(jù)對應的特征數(shù)據(jù)對所述增強文本數(shù)據(jù)進行聚類，得到目標文本數(shù)據(jù)。通過對文本數(shù)據(jù)進行擴增...
  • 本公開涉及一種測試用例生成方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取目標創(chuàng)建的測試用例的測試步驟；對所述測試步驟與預設函數(shù)庫中存儲的測試函數(shù)的描述信息進行模糊匹配，得到目標測試函數(shù)；將預先獲取的所述目標測試函數(shù)對應的初始配置信息和預定義信...
  • 本發(fā)明公開了一種自動化測試腳本生成方法及終端，包括將依賴數(shù)據(jù)進行入庫，得到包含接口依賴信息和特征向量數(shù)據(jù)的向量數(shù)據(jù)庫以及包含樣本腳本代碼的腳本樣本庫；對用戶提供的文本測試用例進行拆解，得到多個執(zhí)行步驟，并基于所述向量數(shù)據(jù)庫和所述腳本樣本庫，...
  • 本公開實施例提供一種數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設備，該方法包括：獲取已修改的第一代碼段；確定所述第一代碼段的第一存儲位置；獲取第一對應關系，所述第一對應關系中包括多個存儲位置、以及每個存儲位置相對應的用戶，所述存儲位置相對應的用戶為檢查所述存...
  • 本申請涉及血管支架輔助開窗方法、裝置、系統(tǒng)、計算機設備、存儲介質(zhì)與計算機程序產(chǎn)品。血管支架輔助開窗方法包括：基于血管的三維影像構建第一血管支架模型；將所述第一血管支架模型疊加顯示在第一血管支架實物上；使所述第一血管支架模型上預設周向范圍內(nèi)的...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环NX射線成像系統(tǒng)以及X射線成像方法。X射線成像系統(tǒng)包括檢測床，X射線源以及控制器，檢測床內(nèi)安裝有探測器，且探測器能夠沿檢測床的長度和寬度方向運動，X射線源和探測器能夠配合以獲取被檢測對象的X射線圖像，控制器能夠控制X射線源和探...
  • 本發(fā)明涉及一種氣溶膠產(chǎn)生裝置（100），包括：縱向加熱腔體（10），該縱向加熱腔體由側(cè)向壁（12）界定，加熱腔體（10）在一個上端（10a）處設置有開口（14），并且適于接納穿過所述開口（14）插入的氣溶膠產(chǎn)生制品的至少一部分；以及加熱系統(tǒng)...
  • 本發(fā)明提供一種太陽能電池的局部鈍化接觸結構的制備方法，在太陽能電池需要制備局部鈍化接觸結構的一面，先制備一層鈍化層，然后在鈍化層上貼合具備鏤空區(qū)域的掩膜；鏤空區(qū)域的形狀對應電池片局部鈍化接觸電極區(qū)域或非局部鈍化接觸電極區(qū)域；掩膜由激光進行圖...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS區(qū)與PMOS區(qū)的襯底，襯底上形成有柵極結構、硬掩膜層、第一側(cè)墻以及第一保護層或第二側(cè)墻，NMOS區(qū)內(nèi)的硬掩膜層的厚度大于PMOS區(qū)內(nèi)的硬掩膜層的厚度；形成覆蓋襯底的填充層；...
  • 本公開提供一種半導體器件及其制造方法。半導體器件具有有源區(qū)和圍繞有源區(qū)的終端區(qū)且包括：基區(qū)，其位于有源區(qū)且位于第一導電類型的半導體襯底的第二面；多個環(huán)狀子區(qū)域，其位于終端區(qū)且位于襯底的第二面，且彼此間隔開；絕緣層，其位于終端區(qū)且位于多個環(huán)狀...
  • 一種半導體結構及其形成方法，其中半導體結構的形成方法包括：提供襯底，襯底包括若干器件區(qū)、以及位于相鄰器件區(qū)之間的間隔區(qū)；在器件區(qū)上形成若干器件鰭部；在間隔區(qū)上形成若干輔助鰭部；在器件區(qū)上形成柵極結構，柵極結構橫跨器件鰭部；以柵極結構為掩膜刻...
  • 本發(fā)明涉及一種溝槽型肖特基勢壘二極管及其制造方法，所述溝槽型肖特基勢壘二極管包括：襯底，具有第一導電類型；第一導電類型層，位于所述襯底上，所述第一導電類型層的摻雜濃度小于所述襯底的摻雜濃度；溝槽結構，從所述第一導電類型層的第一表面向所述襯底...
  • 本申請公開了一種正極材料及其制備方法、正極，鈉電池和用電裝置。正極材料包括化學式NaaNibFecMndMeOf
  • 本申請實施例提供了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池單體、電池和用電裝置。該正極活性材料包括Li1?xNaxNiaM1b...
  • 本發(fā)明實施例公開了一種基于深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡的巖石力學參數(shù)自動計算方法，包括如下步驟：步驟100、通過現(xiàn)代成像技術獲取巖石表面的細觀結構圖像，并對圖像進行預處理；步驟200、利用U?Net深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡對預處理后的圖像進行訓練和預測，并對圖...
  • 本說明書實施例提供對話處理、文本生成以及目標對話模型訓練方法，其中對話處理方法包括：獲取對話文本和對話關聯(lián)數(shù)據(jù)，其中，對話關聯(lián)數(shù)據(jù)與對話文本的模態(tài)不同；將對話文本和對話關聯(lián)數(shù)據(jù)輸入目標對話模型，獲得對話關聯(lián)數(shù)據(jù)對應的第一模態(tài)特征和對話文本對...
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