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  • 本說明書實(shí)施例提供對話處理、文本生成以及目標(biāo)對話模型訓(xùn)練方法，其中對話處理方法包括：獲取對話文本和對話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)，其中，對話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)與對話文本的模態(tài)不同；將對話文本和對話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)輸入目標(biāo)對話模型，獲得對話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一模態(tài)特征和對話文本對...
  • 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種基于深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的巖石力學(xué)參數(shù)自動計算方法，包括如下步驟：步驟100、通過現(xiàn)代成像技術(shù)獲取巖石表面的細(xì)觀結(jié)構(gòu)圖像，并對圖像進(jìn)行預(yù)處理；步驟200、利用U?Net深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對預(yù)處理后的圖像進(jìn)行訓(xùn)練和預(yù)測，并對圖...
  • 本申請實(shí)施例提供了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池單體、電池和用電裝置。該正極活性材料包括Li1?xNaxNiaM1b...
  • 本申請公開了一種正極材料及其制備方法、正極，鈉電池和用電裝置。正極材料包括化學(xué)式NaaNibFecMndMeOf
  • 本發(fā)明涉及一種溝槽型肖特基勢壘二極管及其制造方法，所述溝槽型肖特基勢壘二極管包括：襯底，具有第一導(dǎo)電類型；第一導(dǎo)電類型層，位于所述襯底上，所述第一導(dǎo)電類型層的摻雜濃度小于所述襯底的摻雜濃度；溝槽結(jié)構(gòu)，從所述第一導(dǎo)電類型層的第一表面向所述襯底...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供襯底，襯底包括若干器件區(qū)、以及位于相鄰器件區(qū)之間的間隔區(qū)；在器件區(qū)上形成若干器件鰭部；在間隔區(qū)上形成若干輔助鰭部；在器件區(qū)上形成柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)橫跨器件鰭部；以柵極結(jié)構(gòu)為掩膜刻...
  • 本公開提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件具有有源區(qū)和圍繞有源區(qū)的終端區(qū)且包括：基區(qū)，其位于有源區(qū)且位于第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底的第二面；多個環(huán)狀子區(qū)域，其位于終端區(qū)且位于襯底的第二面，且彼此間隔開；絕緣層，其位于終端區(qū)且位于多個環(huán)狀...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS區(qū)與PMOS區(qū)的襯底，襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)、硬掩膜層、第一側(cè)墻以及第一保護(hù)層或第二側(cè)墻，NMOS區(qū)內(nèi)的硬掩膜層的厚度大于PMOS區(qū)內(nèi)的硬掩膜層的厚度；形成覆蓋襯底的填充層；...
  • 本發(fā)明提供一種太陽能電池的局部鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，在太陽能電池需要制備局部鈍化接觸結(jié)構(gòu)的一面，先制備一層鈍化層，然后在鈍化層上貼合具備鏤空區(qū)域的掩膜；鏤空區(qū)域的形狀對應(yīng)電池片局部鈍化接觸電極區(qū)域或非局部鈍化接觸電極區(qū)域；掩膜由激光進(jìn)行圖...
  • 本發(fā)明涉及一種氣溶膠產(chǎn)生裝置（100），包括：縱向加熱腔體（10），該縱向加熱腔體由側(cè)向壁（12）界定，加熱腔體（10）在一個上端（10a）處設(shè)置有開口（14），并且適于接納穿過所述開口（14）插入的氣溶膠產(chǎn)生制品的至少一部分；以及加熱系統(tǒng)...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环NX射線成像系統(tǒng)以及X射線成像方法。X射線成像系統(tǒng)包括檢測床，X射線源以及控制器，檢測床內(nèi)安裝有探測器，且探測器能夠沿檢測床的長度和寬度方向運(yùn)動，X射線源和探測器能夠配合以獲取被檢測對象的X射線圖像，控制器能夠控制X射線源和探...
  • 本申請涉及血管支架輔助開窗方法、裝置、系統(tǒng)、計算機(jī)設(shè)備、存儲介質(zhì)與計算機(jī)程序產(chǎn)品。血管支架輔助開窗方法包括：基于血管的三維影像構(gòu)建第一血管支架模型；將所述第一血管支架模型疊加顯示在第一血管支架實(shí)物上；使所述第一血管支架模型上預(yù)設(shè)周向范圍內(nèi)的...
  • 本公開實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備，該方法包括：獲取已修改的第一代碼段；確定所述第一代碼段的第一存儲位置；獲取第一對應(yīng)關(guān)系，所述第一對應(yīng)關(guān)系中包括多個存儲位置、以及每個存儲位置相對應(yīng)的用戶，所述存儲位置相對應(yīng)的用戶為檢查所述存...
  • 本發(fā)明公開了一種自動化測試腳本生成方法及終端，包括將依賴數(shù)據(jù)進(jìn)行入庫，得到包含接口依賴信息和特征向量數(shù)據(jù)的向量數(shù)據(jù)庫以及包含樣本腳本代碼的腳本樣本庫；對用戶提供的文本測試用例進(jìn)行拆解，得到多個執(zhí)行步驟，并基于所述向量數(shù)據(jù)庫和所述腳本樣本庫，...
  • 本公開涉及一種測試用例生成方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取目標(biāo)創(chuàng)建的測試用例的測試步驟；對所述測試步驟與預(yù)設(shè)函數(shù)庫中存儲的測試函數(shù)的描述信息進(jìn)行模糊匹配，得到目標(biāo)測試函數(shù)；將預(yù)先獲取的所述目標(biāo)測試函數(shù)對應(yīng)的初始配置信息和預(yù)定義信...
  • 本公開公開了一種文本數(shù)據(jù)增強(qiáng)方法、裝置、系統(tǒng)和計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取文本數(shù)據(jù)；對所述文本數(shù)據(jù)進(jìn)行擴(kuò)增操作，得到增強(qiáng)文本數(shù)據(jù)；根據(jù)所述增強(qiáng)文本數(shù)據(jù)對應(yīng)的特征數(shù)據(jù)對所述增強(qiáng)文本數(shù)據(jù)進(jìn)行聚類，得到目標(biāo)文本數(shù)據(jù)。通過對文本數(shù)據(jù)進(jìn)行擴(kuò)增...
  • 本發(fā)明提供了一種制備碳化硅器件溝道注入掩膜的方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括以下步驟：在晶圓上形成Pwell區(qū)；在已形成Pwell區(qū)的晶圓上淀積氧化硅，形成掩膜介質(zhì)層；在淀積的氧化硅上光刻N(yùn)+圖形，并通過刻蝕的...
  • 本公開提供一種光電集成探測器，包括殼體；無源光芯片組件，設(shè)置在殼體內(nèi)，并包括適用于將由外部輸入的光信號分解為不同波長的光信號的波分解復(fù)用芯片；可調(diào)光衰減芯片，適用于對不同波長的光信號進(jìn)行功率調(diào)制；探測器陣列組件，設(shè)置在殼體內(nèi)，并包括：陣列載...
  • 本申請實(shí)施例提供了一種多主柵P型電池片及其制作方法和裝置及光伏組件，所述多主柵P型電池片包括背離設(shè)置的受光面和背光面；所述受光面設(shè)有多個間隔設(shè)置的主柵，所述主柵沿第一方向延伸，所述多個主柵沿第二方向間隔設(shè)置，其中，所述第一方向垂直于所述第二...
  • 本申請涉及一種外延片及其制作方法、發(fā)光芯片及其制作方法，外延片包括：襯底，所述襯底的一側(cè)具有多個凸起，所述凸起之間的所述襯底表面為平面區(qū)域；設(shè)于襯底上的形核引導(dǎo)層，形核引導(dǎo)層包括完全覆蓋所述平面區(qū)域的第一引導(dǎo)部，以及覆蓋所述凸起的部分側(cè)壁的...
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