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  • 本發(fā)明公開了一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管注入結(jié)構(gòu)及應用。本發(fā)明提供的注入結(jié)構(gòu)為周期性結(jié)構(gòu)，每個周期結(jié)構(gòu)包括如下組成：Al組分占比漸變的p?AlmGa1?mN層；每個周期結(jié)構(gòu)中，Al組分占比m沿...
  • 本申請?zhí)峁┮环N光電探測器及其制備方法。該光電探測器包括：第一光波導，其設置于襯底的表面，沿第一方向延伸；第一摻雜區(qū)，其具有第一摻雜類型，在第二方向上位于該第一光波導的一側(cè)；以及第二摻雜區(qū)，其具有不同于該第一摻雜類型的第二摻雜類型，在該第二方...
  • 本發(fā)明公開一種薄膜晶體管基板及包括其的電子裝置，其中該薄膜晶體管基板包括：基板、設置在基板上的第一金屬層、設置在第一金屬層上的第二金屬層、設置在基板與第一金屬層之間的半導體、以及設置于第一金屬層與第二金屬層之間第一絕緣層。第一金屬層包括柵極...
  • 本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法、電子設備。半導體結(jié)構(gòu)的制造方法包括：提供襯底；于襯底上形成第一垂直晶體管；于第一垂直晶體管上沉積一層或多層層間絕緣介質(zhì)材料層，對一層或多層層間絕緣介質(zhì)材料層進行等離子體處理，以形成一層或多層層間絕緣介質(zhì)...
  • 本發(fā)明公開了一種溝槽結(jié)構(gòu)的制造方法，該溝槽結(jié)構(gòu)的制造方法包括提供一待處理的半導體基底，該半導體基底包括半導體襯底以及間隔形成于半導體襯底的表面的上方的柵極結(jié)構(gòu)，相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的半導體襯底中形成有溝槽結(jié)構(gòu)，通入六氟化硫等離子體對溝槽結(jié)構(gòu)進行...
  • 本發(fā)明公開了一種半導體裝置及其制造方法，該半導體裝置包括一基底，具有一第一表面和一第二表面；一閘極接墊和一源極接墊，彼此側(cè)向分離，均設置于基底的第一表面之上；一汲極區(qū)，設置于基底的第二表面；一第一溝槽，設置于基底中，位于閘極接墊的正下方；一...
  • 本公開涉及一種表面硒摻雜的高鎳三元材料及其制備方法和應用，所述表面硒摻雜的高鎳三元材料包含化學式為LiNixCoyMnzO2?pSep
  • 本申請?zhí)峁┮环N顯示背板、背板制作方法及顯示設備。該顯示背板包括：基板；多顆IC，多顆所述IC間隔排列在所述基板上，每一所述IC的引腳背向所述基板；顯示層，所述顯示層設于所述IC上，所述顯示層包括多顆LED，至少一顆所述LED與一顆所述IC通...
  • 本發(fā)明涉及一種鍵合結(jié)構(gòu)及其制備方法、發(fā)光組件及其制作方法。該鍵合結(jié)構(gòu)制備方法包括：提供一生長襯底；其中，所述生長襯底上外延生長有預設厚度的犧牲層；對所述犧牲層進行圖案化處理，以使所述生長襯底的部分表面露出；于所述生長襯底露出的表面和所述犧牲...
  • 本申請實施例提供一種確定傷情等級的方法、裝置、計算機設備及存儲介質(zhì)，其中，確定傷情等級的方法包括：獲取傷員的生命體征數(shù)據(jù)和傷情信息；所述傷情信息用于描述所述傷員的傷情；基于所述生命體征數(shù)據(jù)和所述傷情信息，生成傷情文本；利用預訓練的檢傷分類模...
  • 本發(fā)明提供了一種測試數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設備，基于預設查詢語句和預設配置信息，從服務平臺獲取目標需求的需求信息；對獲取的全部需求信息進行分析統(tǒng)計，得到多個維度的統(tǒng)計信息；基于預設配置信息、獲取的全部需求信息以及多個維度的統(tǒng)計信息，生成包...
  • 本公開實施例涉及智能用例執(zhí)行優(yōu)先級評估機制。本文提供了用于測試選擇系統(tǒng)的方法、系統(tǒng)和非瞬態(tài)處理器可讀存儲介質(zhì)。一種示例方法包括由測試選擇系統(tǒng)從軟件測試生命周期系統(tǒng)中的多個回歸測試用例中選擇回歸測試用例。測試選擇系統(tǒng)基于與回歸測試用例相關(guān)聯(lián)的...
  • 本發(fā)明提供一種洗滌設備及其控制方法、電子設備及可讀存儲介質(zhì)。控制方法包括：在洗滌設備進入脫水程序后，并且在開始脫水前，控制所述洗滌設備進入脫水偏心預檢階段，所述脫水偏心預檢階段為所述洗滌設備以預設轉(zhuǎn)速運行至少一個轉(zhuǎn)停比的時間；在所述脫水偏心...
  • 本發(fā)明涉及電纜收納技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種用于船舶配件的電纜收納裝置及其使用方法，包括底座，底座頂端固定安裝有電機底座，電機底座呈倒U型，且凹陷處固定安裝有第一電機，第一電機輸出端連接有縱向移動結(jié)構(gòu)，縱向移動結(jié)構(gòu)正面連接有收卷結(jié)構(gòu)，且頂端連接...
  • 本發(fā)明提供了一種免示教自動焊接方法及系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括控制中心、焊接執(zhí)行機構(gòu)、焊機、3D傳感器、免示教控制系統(tǒng)。其中，控制中心對外連接焊接執(zhí)行機構(gòu)、3D傳感器，獲取其狀態(tài)和觀測數(shù)據(jù)；焊機為獨立電源，為焊槍供電，并由焊接執(zhí)行機構(gòu)控制焊槍位姿以完...
  • 本申請涉及一種電容結(jié)構(gòu)及其制備方法，電容結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供襯底，襯底上形成有第一擴散阻擋層；控制工藝腔室的溫度為第一溫度；在第一溫度的工藝條件下，于第一擴散阻擋層上形成第一極板層；于第一極板層上依次形成應力緩沖層與第二擴散阻擋層；在第...
  • 本申請涉及一種顯示面板及顯示裝置。其中，顯示面板包括相鄰的顯示區(qū)與傳感區(qū)。顯示面板還包括：襯底、發(fā)光層與濾光層。發(fā)光層位于襯底與濾光層之間，濾光層位于發(fā)光層背向襯底的一側(cè)。濾光層包括遮光部與濾光部。遮光部與濾光部相鄰，且圍繞濾光部。發(fā)光層包...
  • 本公開提供了一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法、三維存儲器、存儲系統(tǒng)、電子設備，涉及半導體芯片技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決制備工藝復雜的問題。半導體結(jié)構(gòu)包括：堆疊結(jié)構(gòu)、第一溝道層、選擇柵、第二溝道層、柵極介質(zhì)層以及位線接觸結(jié)構(gòu)。堆疊結(jié)構(gòu)包括交替層疊設置的第一...
  • 一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底；分柵結(jié)構(gòu)，分立于所述基底頂部，所述分柵結(jié)構(gòu)包括浮柵結(jié)構(gòu)和控制柵結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)沿第一方向和第二方向呈矩陣分布，所述第一方向與所述第二方向相垂直，所述控制柵結(jié)構(gòu)沿所述第二方向延伸且橫跨所述浮柵結(jié)構(gòu)...
  • 本發(fā)明涉及一種半導體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。半導體器件結(jié)構(gòu)包括襯底以及位于襯底上交替堆疊的層間介質(zhì)層和導電層的堆疊結(jié)構(gòu)，至少一個貫穿堆疊結(jié)構(gòu)的通孔，且通孔內(nèi)設置有第一字線、第一溝道層、第二字線、第二溝道層以及導電連接層；其中，第一字線與第二字...
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