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  • 本發明涉及一種用于電池包的熱失控抑制裝置，該電池包配備有用于冷卻電池包中的電池單元陣列的冷卻液回路，該熱失控抑制裝置包括：高壓泵，其輸入端與冷卻液回路的入口管段流體連接；與高壓泵輸出端流體連接的至少一個噴射器，其中所述噴射器設置在電池包內且...
  • 本申請公開了一種鋅鎳電池。所述鋅鎳電池包括含有添加劑的堿性電解液、正極和負極；所述添加劑選自具有式I結構的物質： 2025-06-11
  • 本申請公開了一種用于水系鋅離子電池的膜及其制備方法和應用。所述膜包括支撐層和功能層；支撐層的材料為纖維素納米纖維；功能層的材料為改性纖維素納米纖維，表面帶有陽離子基團和/或陰離子基團。本發明采用真空抽濾與相轉化、壓延法、流延法等方法結合的方...
  • 本申請提出了電解液、電池以及用電設備，所述電解液包括氧化還原介對，所述氧化還原介對僅具有一個氧化電位，所述氧化還原介對的氧化電位為3.4V?4.2V。由此，降低容量補償劑的分解電壓，提高電池的循環容量保持率。
  • 本發明涉及一種液流電池復合膜?電極及其制備方法、液流電池，該液流電池復合膜?電極，包括：表面涂覆有催化涂層的質子交換膜和兩個液體擴散層，其中，質子交換膜包括Nafion膜，質子交換膜包括主體部和位于主體部兩側的多個突觸部；每一側的多個突觸部...
  • 本申請涉及負極材料及其制備方法、鋰離子電池，負極材料包括碳基體及活性物質，碳基體具有孔隙，至少部分的活性物質分布于碳基體的孔隙內。本申請的負極材料中碳基體孔隙內的二氧化碳能夠快速的溶解于電解液中，并促進電解質進入到負極材料的孔隙中，同時，在...
  • 本申請公開了一種硅碳負極材料及其制備方法和應用。所述硅碳負極材料具有核殼結構，內核為納米硅，外殼為碳層；內核與所述外殼之間具有空隙；內核的粒徑為50～100nm；硅碳負極材料中，所述納米硅的質量含量為50～60wt％。所制備的鋰離子電池硅碳...
  • 本發明提供了一種環氧化天然橡膠包覆的鋰電池正極活性材料及其制備方法和應用，包括如下步驟：1)將環氧化天然橡膠溶解于甲苯，并加入過氧化二異丙苯(DCP)溶解；2)取步驟1)制備的溶液，加入正極活性材料顆粒，加熱攪拌；3)將步驟2)所得材料進行...
  • 本申請公開了一種鋅鎳電池的負極及其制備方法。所述負極包括鋅箔和覆蓋于所述鋅箔表面的界面層；該聚合物人工固體電解質界面層的制備方法簡單，產率高；通過旋涂的方法可以均勻的將材料旋涂在鋅箔上；該聚合物人工固體電解質界面層提高了堿性鋅鎳電池鋅負極的...
  • 本申請實施例提供了一種正極極片及其制備方法、電池單體、電池和用電裝置。該正極極片包括正極集流體和設置于正極集流體至少一側的正極膜層，正極膜層包括正極活性材料和疏水添加劑。本申請的技術方案可以降低正極極片中的含水量，從而提高電池的循環性能。
  • 本申請公開了一種負極極片、電池單體、電池和用電裝置，負極極片包括負極集流體以及位于負極集流體至少一個表面上的修飾層，修飾層包括堿金屬親和層以及位于堿金屬親和層遠離負極集流體表面上的非金屬導電層；堿金屬親和層的形核過電位記為V1
  • 本申請公開了一種正極的制備方法、正極及應用。包括以下步驟：將含有活性材料、導電劑、保液劑和粘結劑的原料混合，剪切攪拌、預成型、延壓，得到正極膜，將所述正極膜與集流體貼合，得到所述正極。
  • 本申請提供半導體結構及其形成方法，所述半導體結構包括：半導體襯底，所述半導體襯底的第一表面包括第一外延層和第二外延層以及相互垂直的x方向和y方向和若干沿x方向交替分布的第一區域和第二區域；位于所述若干第二區域的第二外延層中的若干第一溝槽；位...
  • 本發明涉及一種具有晶圓片定位功能的晶圓片承載裝置，用于固定晶圓片于其上，并且可對晶圓片進行定位，并且晶圓片的邊緣包含定位結構，晶圓片承載裝置包括有基座、承載盤、多個頂針、線性致動器以及對準器。承載盤設置于基座上。承載盤包含上表面以及下表面；...
  • 本發明提供一種半導體設備，包括反應腔室、組件腔室、旋轉伸縮機構和邊緣保護環，反應腔室內設置有用于承載晶圓的承載部件，組件腔室設置在反應腔室的周側，且組件腔室的第一側與反應腔室可選擇的通斷連接，組件腔室的第二側與外界環境可選擇的通斷；旋轉伸縮...
  • 本公開提供了一種芯片貼裝方法及芯片封裝方法，涉及半導體技術領域，以在保證芯片質量的同時，控制芯片貼裝的成本。芯片貼裝方法包括：提供設置有多個裸片的承載膜，多個裸片被劃分為多個等級；將目標等級的多個裸片移動至基板上，目標等級為多個等級中裸片數...
  • 本發明提供了一種金屬焊盤結構及其制備方法，所述制備方法包括：提供襯底，襯底中形成有金屬線及覆蓋金屬線的層間介質層；在金屬線上的層間介質層中形成第一開口暴露金屬線的表面，且第一開口的底部設有分隔圖形覆蓋金屬線的部分表面；形成第一焊盤層順形地覆...
  • 本發明提供一種半導體器件的制造方法，在已生成具有邊緣部的初始局部氧化結構的基礎上，形成圖案化掩膜層，該圖案化掩膜層的開口對準初始局部氧化結構的邊緣部，在該圖案化掩膜層和邊緣部的掩蔽作用下，對開口中的襯底進行用于提高氧化率的離子注入，利用開口...
  • 本發明半導體基片的表面處理方法，包括：在半導體基片的表面上形成氧化硅層；在所述氧化硅層上形成過渡層；在所述過渡層上形成硅基層；以及在所述硅基層上形成柵極絕緣層。本發明可在半導體基片上形成結構穩定的柵極絕緣膜，而且該方法操作簡單、成本低、生產...
  • 本發明提供一種改善薄膜均勻性的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底內形成有多個溝槽，使得所述襯底具有溝槽部以及位于相鄰所述溝槽部之間的凸起部；對所述襯底進行離子注入，以使所述凸起部的至少部分表面非晶化形成非晶層；對所述襯底以及所述非晶層進...
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