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  • 本申請(qǐng)涉及一種二次電池用負(fù)極活性材料及其制備方法、正極極片、負(fù)極極片、二次電池和用電裝置,其中的二次電池用負(fù)極活性材料包括多孔碳束,多孔碳束包含沿垂直于多孔碳束軸向的方向排布的微米碳管和納米碳管。通過(guò)將同時(shí)具有微米碳管和納米碳管的多孔碳束應(yīng)...
  • 本發(fā)明提供一種正極材料、正極極片、電化學(xué)裝置及正極材料的制備方法,屬于二次電池技術(shù)領(lǐng)域,所述正極材料包括第一活性物質(zhì)和第二活性物質(zhì),其中,所述第一活性物質(zhì)為三元材料;所述第二活性物質(zhì)為磷酸鐵鋰材料;所述第一活性物質(zhì)和所述第二活性物質(zhì)的質(zhì)量比...
  • 本發(fā)明提供一種二次電池,屬于二次電池技術(shù)領(lǐng)域,所述二次電池包括正極極片、隔膜和負(fù)極極片,所述正極極片中包括有正極材料,所述正極材料包括第一活性物質(zhì)和第二活性物質(zhì),其中,所述第一活性物質(zhì)為層狀結(jié)構(gòu)材料;所述第二活性物質(zhì)為橄欖石結(jié)構(gòu)材料;所述第...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了正極活性材料、正極極片、電池和用電裝置。該正極活性材料包括第一正極活性材料和第二正極活性材料,第一正極活性材料包括AxM11?a?bM2aM3b
  • 本發(fā)明屬于二次電池技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種硅基納米顆粒及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供的硅基納米顆粒具有核殼結(jié)構(gòu),核為非晶硅或晶態(tài)硅,殼為非晶硅碳復(fù)合物。其中,非晶硅碳復(fù)合物中碳原子呈梯度分布,從外向內(nèi),碳原子占比逐漸降低,非晶硅碳復(fù)合物包覆層...
  • 本發(fā)明提供了一種鈷酸鋰類(lèi)正極材料及其制備方法、正極極片、二次電池和用電裝置,其中鈷酸鋰類(lèi)正極材料,包括內(nèi)核和包覆在內(nèi)核至少部分表面上的包覆層;內(nèi)核包含摻雜有金屬元素或非金屬元素的鋰鈷氧化物,包覆層包含化學(xué)式為Mn+1X...
  • 本發(fā)明涉及鋰離子電池領(lǐng)域,公開(kāi)了正極補(bǔ)鋰添加劑及其制備方法和正極片和鋰離子電池。所述正極補(bǔ)鋰添加劑包括:含鋰化合物,以及依次包覆于所述含鋰化合物表面的第一包覆層和和第二包覆層;其中,所述第一包覆層包括磷酸鋁鈦鋰、鋰鑭鋯氧和鋰鑭鈦氧中的至少一...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N正極極片、卷繞式電極組件、二次電池和用電裝置。正極極片包括正極集流體,正極集流體包括相背的第一表面和第二表面;第一正極膜層,設(shè)于正極集流體的第一表面上;第二正極膜層,設(shè)于正極集流體的第二表面上;其中,第一正極膜層在電池滿(mǎn)充狀...
  • 本發(fā)明涉及鋰電池正極材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種摻雜鎳錳二元的鋰電池正極材料的加工方法。本發(fā)明包括如下步驟:S1、用光輻照包含鋰電池和n型摻雜鎳錳二元的膜,光的波長(zhǎng)在鋰電池的吸收范圍內(nèi),并且其中n型摻雜鎳錳二元的最大吸收波長(zhǎng)短于光的任何峰值波...
  • 本發(fā)明涉及鋰電池正極材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種在磷酸錳鐵鋰鋰電池正極材料摻雜加工的方法。步驟一:將磷酸錳鐵鋰粉末和摻雜元素粉末按照一定比例混合;步驟二:將混合后的粉末放入爐中進(jìn)行高溫焙燒;步驟三:焙燒后的粉末進(jìn)行冷卻,然后進(jìn)行機(jī)械研磨,研磨...
  • 本文公開(kāi)一種QFN封裝半導(dǎo)體裝置,其具有第一主表面、相對(duì)的第二主表面和在其間的側(cè)壁,且包括:引線框架,其具有引線框架下表面且包括中心管芯墊區(qū)和多個(gè)外圍平臺(tái)區(qū);半導(dǎo)體管芯,其頂表面附接到所述管芯墊;多個(gè)接合線,其提供所述半導(dǎo)體管芯與所述多個(gè)外...
  • 一種用于車(chē)載域控制器線芯片的散熱裝置,上金屬薄膜平行設(shè)置在下金屬薄膜的上方,上金屬薄膜的上側(cè)設(shè)置有一個(gè)上壓電陶瓷片,上壓電陶瓷片的下表面與上金屬薄膜的上表面連接,上壓電陶瓷片的上表面、下表面分別通過(guò)導(dǎo)線與一個(gè)第一正負(fù)極可轉(zhuǎn)換電源的兩端連接。...
  • 本公開(kāi)提供了一種晶圓位置校準(zhǔn)夾具及校準(zhǔn)方法、半導(dǎo)體設(shè)備,涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域,解決待校準(zhǔn)晶圓位置偏移的問(wèn)題。該晶圓位置校準(zhǔn)夾具包括透明區(qū)和非透明區(qū),非透明區(qū)位于透明區(qū)外圍,晶圓位置校準(zhǔn)夾具的中心位于透明區(qū);透明區(qū)設(shè)置有圍繞晶圓位置校準(zhǔn)夾具...
  • 本申請(qǐng)涉及一種鍵合晶圓分離設(shè)備及方法,包括:分離槽,用于容置分離液;夾持裝置,包括夾持底座以及支桿對(duì),夾持底座位于分離槽內(nèi),且與分離槽固定連接,支桿對(duì)位于夾持底座上,且與夾持底座活動(dòng)連接,支桿對(duì)包括相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)夾持支桿;超聲波發(fā)射器,用于...
  • 本申請(qǐng)涉及一種鍵合晶圓分離設(shè)備及方法,包括:承載裝置,用于承載并固定鍵合晶圓;吸附裝置,位于承載裝置上方;分離裝置,分離裝置包括多個(gè)噴嘴,多個(gè)噴嘴均勻分布在承載裝置周?chē)覈娮祛^朝向承載裝置與吸附裝置之間的區(qū)域。本申請(qǐng)的分離裝置設(shè)置有多個(gè)噴...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種芯片打線傳輸機(jī)構(gòu),包括:第一底座,在第一支撐架相對(duì)的兩個(gè)內(nèi)壁上均設(shè)置有一用于傳輸芯片基板的第一輸送履帶,且位于兩個(gè)第一輸送履帶之間且在第一支撐架的兩端分別安裝有一上料板,位于方形孔的上方且在相鄰兩個(gè)上料板之間設(shè)置有一波紋板,位...
  • 本發(fā)明涉及低壓電器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種消弧結(jié)構(gòu)及斷路器。所述消弧結(jié)構(gòu)用于和滅弧系統(tǒng)配合使用;所述消弧結(jié)構(gòu)包括消弧腔和設(shè)置于消弧腔內(nèi)并用于吸附帶電粒子的第一吸附件;消弧腔和滅弧腔沿第一方向排列設(shè)置,觸頭組件、滅弧室組件和外部接線端子沿第二方...
  • 本公開(kāi)提出一種操作機(jī)構(gòu),包括殼體和運(yùn)動(dòng)組件,運(yùn)動(dòng)組件包括手操件、中心板、傳動(dòng)組件、動(dòng)觸頭支架以及第一扭簧。第一扭簧的兩端分別連接至動(dòng)觸頭支架與中心板。使得中心板的樞轉(zhuǎn)能夠帶動(dòng)動(dòng)觸頭支架樞轉(zhuǎn)并且動(dòng)觸頭支架的樞轉(zhuǎn)能夠帶動(dòng)中心板的樞轉(zhuǎn)。其中,通過(guò)...
  • 本發(fā)明提供了一種重質(zhì)油基高容量電容炭材料及其制備方法與超級(jí)電容器。所述制備方法包括:將重質(zhì)油、含氧催化劑、活化劑混合得到復(fù)合物,并將復(fù)合物進(jìn)行成型處理;其中,所述重質(zhì)油和含氧催化劑的質(zhì)量比為1:1?1:10,所述重質(zhì)油和活化劑的質(zhì)量比為1:...
  • 本發(fā)明涉及一種干式變壓器及干式變壓器的抗震結(jié)構(gòu),屬于變壓器技術(shù)領(lǐng)域,傳統(tǒng)的變壓器在非靜止環(huán)境下運(yùn)行,可能導(dǎo)致變壓器緊固件松動(dòng),其鐵心和線圈部件移位,降低變壓器的運(yùn)行質(zhì)量,縮短變壓器的使用壽命,本發(fā)明包括底部用于固定變壓器底座的殼體,殼體相對(duì)...
技術(shù)分類(lèi)
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