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  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝吮４嬉骸⒈４娣椒ㄒ约皼](méi)食子酸烷基酯在保存液中的應(yīng)用。保存液成分中包含膠體物質(zhì)和沒(méi)食子酸烷基酯，所述保存液中所述沒(méi)食子酸烷基酯的濃度為0.1μmol/L～299μmol/L。該保存液可以用于保存細(xì)胞、組織、器官，能夠使細(xì)胞、組織、...
  • 本發(fā)明提供一種程序調(diào)試方法、系統(tǒng)、存儲(chǔ)介質(zhì)及設(shè)備，該方法包括如下步驟：將調(diào)試插件導(dǎo)入所述編程工具以獲取所述編程工具的編譯環(huán)境信息；解析所述編譯環(huán)境信息并提取出所述編程工具中的程序信息；基于所述程序信息生成調(diào)試工程；通過(guò)所述編程工具將所述調(diào)試...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N信息處理方法、系統(tǒng)、設(shè)備及介質(zhì)，應(yīng)用于數(shù)字助手的服務(wù)端，該方法包括：接收數(shù)字助手的客戶(hù)端發(fā)送的與第一任務(wù)主題關(guān)聯(lián)的第一請(qǐng)求；根據(jù)第一請(qǐng)求，確定第一任務(wù)主題的元信息，其中，第一任務(wù)主題的元信息存儲(chǔ)在數(shù)字助手的服務(wù)端中；根據(jù)第一...
  • 本發(fā)明提供一種鈷硅化物的制造方法及半導(dǎo)體器件的制造方法，在對(duì)沉積有金屬鈷的硅襯底進(jìn)行第一溫度下的快速熱處理并去除未反應(yīng)的鈷以及進(jìn)行第二溫度下的快速熱處理之后，沉積至少一層介電材料層，并在部分層或全部層的所述介電材料層沉積完成之后的任意合適節(jié)...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，該方法基于同一光罩形成中壓區(qū)N阱及高壓區(qū)N型調(diào)節(jié)區(qū)于半導(dǎo)體層中，其中，中壓區(qū)N阱位于中壓器件區(qū)域，高壓區(qū)N型調(diào)節(jié)區(qū)位于第一N型漂移區(qū)中并位于高壓區(qū)柵介質(zhì)層遠(yuǎn)離第二N型漂移區(qū)的一側(cè)，高壓區(qū)N型調(diào)節(jié)區(qū)的底面...
  • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。所述制造方法中，利用對(duì)器件區(qū)進(jìn)行的第一導(dǎo)電類(lèi)型離子注入在各多晶硅電阻內(nèi)形成相同摻雜劑量的第一導(dǎo)電類(lèi)型離子，并利用對(duì)器件區(qū)進(jìn)行的第二導(dǎo)電類(lèi)型離子注入在各多晶硅電阻內(nèi)形成不同摻雜劑量的第二導(dǎo)電類(lèi)型離子，經(jīng)過(guò)...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，將現(xiàn)有技術(shù)中在形成PMOS區(qū)的鍺硅源漏之后打開(kāi)NMOS區(qū)的第二硬掩膜層的步驟，調(diào)整到用于形成PMOS區(qū)的鍺硅源漏的光刻工藝之前，并采用化學(xué)機(jī)械拋光CMP的方法一道去除NMOS區(qū)和PMOS區(qū)的柵極頂部上的第...
  • 一種用于以開(kāi)環(huán)和閉環(huán)控制動(dòng)力工具、特別是手持式動(dòng)力工具的方法，該動(dòng)力工具包括動(dòng)力工具殼體、控制單元、驅(qū)動(dòng)裝置、工具配件、以及輸出裝置，該方法步驟為：?經(jīng)由至少一個(gè)加速度傳感器檢測(cè)至少一個(gè)加速度值；?如果檢測(cè)到的加速度值達(dá)到保存在存儲(chǔ)器裝置中...
  • 一種從廢膜中再循環(huán)氟化聚合物的方法，該氟化聚合物包含氟化聚合物主鏈和多個(gè)由式?SO3Z表示的基團(tuán)，其中Z是氫或陽(yáng)離子，該方法包括：使該廢膜與液體溶劑接觸，以將該廢膜分散在該溶劑中，從而形成該氟化聚合物在該液體溶劑中的分...
  • 本公開(kāi)的目的在于提供一種抑制在設(shè)置有液相色譜用檢測(cè)器的環(huán)境的氣壓變動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的噪聲的液相色譜用檢測(cè)器。液相色譜用檢測(cè)器具有：殼體；檢測(cè)元件，其配置于殼體內(nèi)；導(dǎo)入配管，其用于將流體向檢測(cè)元件導(dǎo)入；導(dǎo)入側(cè)熱交換部，其配置于殼體內(nèi)，且使導(dǎo)入配管中的...
  • 本發(fā)明涉及一種具有高配置性的定子或轉(zhuǎn)子繞組，以及使用這種繞組的定子或轉(zhuǎn)子，其中，使用了具有不同節(jié)距的單層發(fā)夾，以至少區(qū)別狹槽中的兩個(gè)位置。這種排布允許獲得更寬的繞組族，從而獲得電平衡的定子或轉(zhuǎn)子，優(yōu)選地保持氣隙處的直徑、狹槽的數(shù)量和導(dǎo)體的尺...
  • 本發(fā)明涉及一種用于氣溶膠產(chǎn)生制品的加熱單元，該加熱單元包括：加熱爐，該加熱爐包括爐部件，加熱爐被配置為至少在加熱模式和非加熱模式下操作，該加熱模式用于在氣溶膠產(chǎn)生制品被接納在加熱爐內(nèi)時(shí)加熱氣溶膠產(chǎn)生制品的氣溶膠形成基質(zhì)；爐支架，該爐支架被配...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種汽車(chē)座椅橫梁加強(qiáng)結(jié)構(gòu)焊接設(shè)備，包括料架、夾具、用于帶動(dòng)夾具在第一上料工位、第二上料工位、焊接工位和下料工位之間進(jìn)行切換的旋轉(zhuǎn)臺(tái)、用于將料架上擺放的加強(qiáng)盒放置在位于第一上料工位的夾具上的第一上料機(jī)械手、用于將固定板放置在位于第...
  • 本發(fā)明為一種轉(zhuǎn)爐煙氣全干法凈化系統(tǒng)及方法，該轉(zhuǎn)爐煙氣全干法凈化系統(tǒng)包括：第一煙氣降溫裝置，第一煙氣降溫裝置用于將回收自轉(zhuǎn)爐的煙氣降溫至第一預(yù)設(shè)溫度并分離煙氣中的第一雜質(zhì)；至少一個(gè)袋式除塵裝置，袋式除塵裝置的煙氣進(jìn)口與第一煙氣降溫裝置的煙氣出...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例涉及攝影輔助設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種三腳架及云臺(tái)。該三腳架包括：基座；所述基座上開(kāi)設(shè)有支腳安裝孔；所述支腳安裝孔連通所述基座的內(nèi)部空間和外部空間；刮擦部件；所述刮擦部件包覆所述支腳安裝孔的至少一部分邊緣；若干個(gè)支腳；所述支腳裝配...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N前端頁(yè)面的自動(dòng)化操作方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，可用于自動(dòng)化測(cè)試領(lǐng)域。在該方案中，包括自動(dòng)化操作處理平臺(tái)和前端頁(yè)面的服務(wù)端。自動(dòng)化操作處理平臺(tái)基于用戶(hù)所輸入的自動(dòng)化操作信息生成可執(zhí)行自動(dòng)化操作的json文件，并與前端頁(yè)面建立連...
  • 本公開(kāi)涉及一種大語(yǔ)言模型生成方法、問(wèn)答知識(shí)校驗(yàn)方法、裝置、車(chē)輛；方法包括：獲取從多個(gè)數(shù)據(jù)來(lái)源收集的目標(biāo)專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域知識(shí)數(shù)據(jù)，構(gòu)建第一訓(xùn)練數(shù)據(jù)集；所述目標(biāo)專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域知識(shí)數(shù)據(jù)為文本數(shù)據(jù)；基于所述第一訓(xùn)練數(shù)據(jù)集，對(duì)初始大語(yǔ)言模型進(jìn)行預(yù)訓(xùn)練，得到預(yù)設(shè)大語(yǔ)...
  • 本申請(qǐng)適用于圖片檢索技術(shù)領(lǐng)域，提供一種圖片檢索的方法、裝置、終端設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，所述方法包括：獲取待檢索圖片的檢索語(yǔ)句和預(yù)設(shè)圖片數(shù)據(jù)庫(kù)；基于檢索語(yǔ)句，通過(guò)已構(gòu)建的聯(lián)合語(yǔ)義預(yù)測(cè)模型預(yù)測(cè)檢索語(yǔ)句對(duì)應(yīng)的檢索要素，檢索要素包括檢索意圖、操作符、待檢...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓的制造方法及半導(dǎo)體集成電路芯片，晶圓的制造方法包括：提供一襯底，將所述襯底送入爐管中；在所述襯底上形成正面膜層，利用所述正面膜層的形成以同步形成包括至少一層背面膜層的背封；轉(zhuǎn)動(dòng)所述襯底，使所述晶圓與所述爐管的接觸位置不重...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種微發(fā)光器件顯示面板及其制備方法，包括基板、以陣列的方式設(shè)置在所述基板上的多個(gè)發(fā)光器件，多個(gè)所述發(fā)光器件包括第一發(fā)光器件、第二發(fā)光器件及第三發(fā)光器件，所述第一發(fā)光器件、所述第二發(fā)光器件及所述第三發(fā)光器件發(fā)出的光線的顏色均不相同...
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