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  • 本發(fā)明屬于空降空投領(lǐng)域，尤其是一種空降空投降落傘智能操縱系統(tǒng)，針對現(xiàn)有的不便于對空降的準(zhǔn)確性進(jìn)行把控問題，現(xiàn)提出如下方案，其包括存儲(chǔ)模塊、關(guān)聯(lián)模塊、差異度計(jì)算模塊、分析模塊、判斷模塊、報(bào)警監(jiān)測模塊、備用開傘模塊、投放定位模塊、環(huán)境分析模塊、...
  • 本申請?zhí)峁┮环N影像軟件的測試方法、裝置及電子設(shè)備。影像軟件的測試方法包括：檢測用戶輸入的操作指令，響應(yīng)于操作指令，運(yùn)行測試腳本，并顯示第一影像數(shù)據(jù)，運(yùn)行一級(jí)功能模塊處理第一影像數(shù)據(jù)，根據(jù)一級(jí)功能模塊對第一影像數(shù)據(jù)的第一處理結(jié)果，對二級(jí)功能模...
  • 本申請涉及可穿戴設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提供一種可穿戴設(shè)備的測試方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括：獲取測試用例，測試用例包括一個(gè)或多個(gè)測試場景；根據(jù)測試場景，控制終端設(shè)備向可穿戴設(shè)備發(fā)送操作指令，以使可穿戴設(shè)備根據(jù)操作指令執(zhí)行測試場景；獲取...
  • 本公開是關(guān)于一種知識(shí)問答方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。知識(shí)問答方法包括：獲取用戶輸入的原始知識(shí)文本以及問答數(shù)據(jù)。對所述原始知識(shí)文本中的內(nèi)容摘要進(jìn)行提取處理，得到第一文本片段；對所述第一文本片段進(jìn)行特征提取，得到特征向量，所述特征向量中包括關(guān)鍵字特征...
  • 本發(fā)明公開一種車輛的語音交互方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，方法包括：將接收到的用戶語音數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為用戶查詢文本，從用戶查詢文本中提取查詢關(guān)鍵信息并發(fā)送至內(nèi)容提供商；獲取內(nèi)容提供商反饋的對應(yīng)于查詢關(guān)鍵信息的信源內(nèi)容，并從信源內(nèi)容中提取回復(fù)關(guān)鍵信息；獲...
  • 本申請公開了一種自適應(yīng)內(nèi)容識(shí)別方法以及相關(guān)設(shè)備，可以采集預(yù)定數(shù)量的樣本，得到內(nèi)容安全樣本集；獲取不同量級(jí)的預(yù)訓(xùn)練的語言模型，分別作為學(xué)生模型和教師模型；采用所述學(xué)生模型識(shí)別所述內(nèi)容安全樣本集中的目標(biāo)樣本，以及所述目標(biāo)樣本的類別；基于所述教師...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，通過對有源區(qū)及電阻區(qū)上對應(yīng)的多晶半導(dǎo)體層同時(shí)進(jìn)行離子注入工藝，同時(shí)獲得有源區(qū)所需的多晶半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)和電阻區(qū)所需的多晶半導(dǎo)體電阻結(jié)構(gòu)，從而減少了在電阻區(qū)形成多晶半導(dǎo)體電阻結(jié)構(gòu)需要額外增加的一道離子注入工...
  • 本申請實(shí)施例提供了一種發(fā)光裝置和發(fā)光裝置的制備方法，涉及發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光裝置包括：驅(qū)動(dòng)基板，包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一凹槽，相鄰第一凹槽之間基于基板隔離結(jié)構(gòu)而間隔開；多個(gè)LED芯片，對應(yīng)電連接在驅(qū)動(dòng)基板的至少部分第一凹槽內(nèi)，LED芯片為不具...
  • 本申請?zhí)峁┮环N隨機(jī)接入方法、通信節(jié)點(diǎn)及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括：執(zhí)行第一隨機(jī)接入流程和第二隨機(jī)接入流程中至少之一；所述第一隨機(jī)接入流程中包括第一類消息集合，所述第一類消息集合中包括至少一個(gè)第一類消息，所述至少一個(gè)第一類消息采用第一處理方式；所述...
  • 本申請實(shí)施例提供一種晶體管、電子設(shè)備、晶體管的制備方法。涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。提供一種可以降低柵極漏電流的晶體管。該晶體管包括襯底、溝道層、勢壘層和柵極，溝道層形成在襯底上，勢壘層形成在溝道層上，自勢壘層指向溝道層的方向，柵極貫通勢壘層的...
  • 本發(fā)明公開了一種用于多晶硅刻蝕過程中減少缺陷產(chǎn)生的方法，至少包括：提供襯底；在所述襯底上形成第一介質(zhì)層和多晶硅層；在所述多晶硅層上形成圖形化的第一光阻層；對所述多晶硅層進(jìn)行至少含有F離子的注入；通過N2H2干法刻蝕去除經(jīng)過與F離子反應(yīng)后的第...
  • 本發(fā)明提供一種納米隧穿層的制備方法及其應(yīng)用，納米隧穿層的制備方法包括以下步驟：S1、采用具有氧化性的清洗液體對硅片進(jìn)行清洗，產(chǎn)生濕法原生氧化層；S2、將硅片置于管式PECVD的石英舟內(nèi)，通入反應(yīng)氣體進(jìn)行保溫，反應(yīng)氣體為氮?dú)夂脱趸詺怏w的混合...
  • 一種發(fā)光芯片、顯示裝置和制造方法。發(fā)光芯片包括第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，第一發(fā)光單元被配置為出射第一顏色光；第二發(fā)光單元包括第二發(fā)光層和第一透反層，第一透反層被配置為濾除第一顏色光，使第二發(fā)光單元出射第二顏色光；第三發(fā)光單元...
  • 本申請實(shí)施例提供一種顯示面板。該顯示面板包括設(shè)置于硅基電路基板上的發(fā)光器件，發(fā)光器件包括第一發(fā)光器件、第二發(fā)光器件以及第三發(fā)光器件，棱鏡組至少包括第一變向棱鏡、第二變向棱鏡以及聚合棱鏡。不同的棱鏡對應(yīng)設(shè)置在不同色的發(fā)光器件上，且第一變向棱鏡...
  • 一種磁性極化金屬及其制備方法和應(yīng)用，所述磁性極化金屬的化學(xué)式為A3B2Oa，A位的主體元素為Sr，B位的主體元素為Co，O為氧元素，a在6至7.3的范圍內(nèi)。本申請實(shí)施例的磁性...
  • 在現(xiàn)有技術(shù)中，無法獲得一種不使用光刻技術(shù)的半導(dǎo)體制造用導(dǎo)電柱模塊，該半導(dǎo)體制造用導(dǎo)電柱模塊可以用于倒裝芯片封裝的基板的二次布線，或用于在后芯片(RDL優(yōu)先)封裝中形成再配置層(RDL)。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體制造用導(dǎo)電柱模塊前體、半導(dǎo)體或半導(dǎo)...
  • 本發(fā)明公開了用于空心杯電機(jī)轉(zhuǎn)子烘烤的自動(dòng)烘烤設(shè)備的載具輸送機(jī)構(gòu)，包括隔熱外殼、鏈板式輸送帶、載具出入座、電機(jī)和齒輪傳動(dòng)機(jī)構(gòu)；電機(jī)通過齒輪傳動(dòng)機(jī)構(gòu)連接鏈板式輸送帶的鏈條；載具出入座有兩個(gè)，每個(gè)載具出入座上分別設(shè)置有載具出入通道；每個(gè)載具出入通...
  • 本發(fā)明提供了一種具有PTC效應(yīng)的聚烯烴組合物及其制備方法和制品，屬于高分子熱敏材料技術(shù)領(lǐng)域，所述組合物包括重量份數(shù)計(jì)的如下組分：聚烯烴樹脂100份，炭黑3.0～6.0份，水滑石包覆改性碳納米管2.0～4.0份，增韌劑3.0～5.0份，抗氧劑...
  • 本發(fā)明提供了一種滑油磨屑在線檢測方法和在線檢測系統(tǒng)，解決虛檢顆粒影響傳感器檢測的有效性的問題。滑油磨屑在線檢測方法包括：從第一金屬屑末檢測裝置獲取原始數(shù)據(jù)和第一顆粒檢測結(jié)果；將所述第一顆粒檢測結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)顆粒檢測結(jié)果作對比，分析出所述第一顆粒...
  • 本申請公開了一種飛行器控制方法、裝置以及飛行器，該方法包括：監(jiān)測主驅(qū)電機(jī)的工況情況；根據(jù)主驅(qū)電機(jī)的工況情況，以對應(yīng)的力矩分配控制策略，結(jié)合控制器輸出的期望偏航力矩對主驅(qū)電機(jī)和/或涵道電機(jī)進(jìn)行力矩分配控制。該方案在飛行器正常工況和電機(jī)故障工況...
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