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最新專利技術(shù)
  • 本揭示提供一種電子裝置,包括基板以及電子元件。電子元件設置在基板上且包括第一柵極、半導體圖案、源極、漏極以及第二柵極。半導體圖案包括重疊區(qū)、第一側(cè)邊區(qū)和第二側(cè)邊區(qū)。半導體圖案和第一柵極重疊的部分定義為重疊區(qū)。在第一方向上,第一側(cè)邊區(qū)和第二側(cè)...
  • 本申請公開了一種微發(fā)光器件顯示面板及其制備方法,包括基板、以陣列的方式設置在所述基板上的多個發(fā)光器件,多個所述發(fā)光器件包括第一發(fā)光器件、第二發(fā)光器件及第三發(fā)光器件,所述第一發(fā)光器件、所述第二發(fā)光器件及所述第三發(fā)光器件發(fā)出的光線的顏色均不相同...
  • 本發(fā)明公開了一種晶圓的制造方法及半導體集成電路芯片,晶圓的制造方法包括:提供一襯底,將所述襯底送入爐管中;在所述襯底上形成正面膜層,利用所述正面膜層的形成以同步形成包括至少一層背面膜層的背封;轉(zhuǎn)動所述襯底,使所述晶圓與所述爐管的接觸位置不重...
  • 本申請適用于圖片檢索技術(shù)領域,提供一種圖片檢索的方法、裝置、終端設備及存儲介質(zhì),所述方法包括:獲取待檢索圖片的檢索語句和預設圖片數(shù)據(jù)庫;基于檢索語句,通過已構(gòu)建的聯(lián)合語義預測模型預測檢索語句對應的檢索要素,檢索要素包括檢索意圖、操作符、待檢...
  • 本公開涉及一種大語言模型生成方法、問答知識校驗方法、裝置、車輛;方法包括:獲取從多個數(shù)據(jù)來源收集的目標專業(yè)領域知識數(shù)據(jù),構(gòu)建第一訓練數(shù)據(jù)集;所述目標專業(yè)領域知識數(shù)據(jù)為文本數(shù)據(jù);基于所述第一訓練數(shù)據(jù)集,對初始大語言模型進行預訓練,得到預設大語...
  • 本申請?zhí)峁┮环N前端頁面的自動化操作方法、裝置、設備及存儲介質(zhì),可用于自動化測試領域。在該方案中,包括自動化操作處理平臺和前端頁面的服務端。自動化操作處理平臺基于用戶所輸入的自動化操作信息生成可執(zhí)行自動化操作的json文件,并與前端頁面建立連...
  • 本申請實施例涉及攝影輔助設備技術(shù)領域,公開了一種三腳架及云臺。該三腳架包括:基座;所述基座上開設有支腳安裝孔;所述支腳安裝孔連通所述基座的內(nèi)部空間和外部空間;刮擦部件;所述刮擦部件包覆所述支腳安裝孔的至少一部分邊緣;若干個支腳;所述支腳裝配...
  • 本發(fā)明為一種轉(zhuǎn)爐煙氣全干法凈化系統(tǒng)及方法,該轉(zhuǎn)爐煙氣全干法凈化系統(tǒng)包括:第一煙氣降溫裝置,第一煙氣降溫裝置用于將回收自轉(zhuǎn)爐的煙氣降溫至第一預設溫度并分離煙氣中的第一雜質(zhì);至少一個袋式除塵裝置,袋式除塵裝置的煙氣進口與第一煙氣降溫裝置的煙氣出...
  • 本發(fā)明公開了一種汽車座椅橫梁加強結(jié)構(gòu)焊接設備,包括料架、夾具、用于帶動夾具在第一上料工位、第二上料工位、焊接工位和下料工位之間進行切換的旋轉(zhuǎn)臺、用于將料架上擺放的加強盒放置在位于第一上料工位的夾具上的第一上料機械手、用于將固定板放置在位于第...
  • 本發(fā)明涉及一種用于氣溶膠產(chǎn)生制品的加熱單元,該加熱單元包括:加熱爐,該加熱爐包括爐部件,加熱爐被配置為至少在加熱模式和非加熱模式下操作,該加熱模式用于在氣溶膠產(chǎn)生制品被接納在加熱爐內(nèi)時加熱氣溶膠產(chǎn)生制品的氣溶膠形成基質(zhì);爐支架,該爐支架被配...
  • 本發(fā)明涉及一種具有高配置性的定子或轉(zhuǎn)子繞組,以及使用這種繞組的定子或轉(zhuǎn)子,其中,使用了具有不同節(jié)距的單層發(fā)夾,以至少區(qū)別狹槽中的兩個位置。這種排布允許獲得更寬的繞組族,從而獲得電平衡的定子或轉(zhuǎn)子,優(yōu)選地保持氣隙處的直徑、狹槽的數(shù)量和導體的尺...
  • 本公開的目的在于提供一種抑制在設置有液相色譜用檢測器的環(huán)境的氣壓變動時產(chǎn)生的噪聲的液相色譜用檢測器。液相色譜用檢測器具有:殼體;檢測元件,其配置于殼體內(nèi);導入配管,其用于將流體向檢測元件導入;導入側(cè)熱交換部,其配置于殼體內(nèi),且使導入配管中的...
  • 一種從廢膜中再循環(huán)氟化聚合物的方法,該氟化聚合物包含氟化聚合物主鏈和多個由式?SO3Z表示的基團,其中Z是氫或陽離子,該方法包括:使該廢膜與液體溶劑接觸,以將該廢膜分散在該溶劑中,從而形成該氟化聚合物在該液體溶劑中的分...
  • 一種用于以開環(huán)和閉環(huán)控制動力工具、特別是手持式動力工具的方法,該動力工具包括動力工具殼體、控制單元、驅(qū)動裝置、工具配件、以及輸出裝置,該方法步驟為:?經(jīng)由至少一個加速度傳感器檢測至少一個加速度值;?如果檢測到的加速度值達到保存在存儲器裝置中...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法,將現(xiàn)有技術(shù)中在形成PMOS區(qū)的鍺硅源漏之后打開NMOS區(qū)的第二硬掩膜層的步驟,調(diào)整到用于形成PMOS區(qū)的鍺硅源漏的光刻工藝之前,并采用化學機械拋光CMP的方法一道去除NMOS區(qū)和PMOS區(qū)的柵極頂部上的第...
  • 本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法。所述制造方法中,利用對器件區(qū)進行的第一導電類型離子注入在各多晶硅電阻內(nèi)形成相同摻雜劑量的第一導電類型離子,并利用對器件區(qū)進行的第二導電類型離子注入在各多晶硅電阻內(nèi)形成不同摻雜劑量的第二導電類型離子,經(jīng)過...
  • 本發(fā)明提供一種半導體結(jié)構(gòu)及其制作方法,該方法基于同一光罩形成中壓區(qū)N阱及高壓區(qū)N型調(diào)節(jié)區(qū)于半導體層中,其中,中壓區(qū)N阱位于中壓器件區(qū)域,高壓區(qū)N型調(diào)節(jié)區(qū)位于第一N型漂移區(qū)中并位于高壓區(qū)柵介質(zhì)層遠離第二N型漂移區(qū)的一側(cè),高壓區(qū)N型調(diào)節(jié)區(qū)的底面...
  • 本發(fā)明提供一種鈷硅化物的制造方法及半導體器件的制造方法,在對沉積有金屬鈷的硅襯底進行第一溫度下的快速熱處理并去除未反應的鈷以及進行第二溫度下的快速熱處理之后,沉積至少一層介電材料層,并在部分層或全部層的所述介電材料層沉積完成之后的任意合適節(jié)...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N信息處理方法、系統(tǒng)、設備及介質(zhì),應用于數(shù)字助手的服務端,該方法包括:接收數(shù)字助手的客戶端發(fā)送的與第一任務主題關(guān)聯(lián)的第一請求;根據(jù)第一請求,確定第一任務主題的元信息,其中,第一任務主題的元信息存儲在數(shù)字助手的服務端中;根據(jù)第一...
  • 本發(fā)明提供一種程序調(diào)試方法、系統(tǒng)、存儲介質(zhì)及設備,該方法包括如下步驟:將調(diào)試插件導入所述編程工具以獲取所述編程工具的編譯環(huán)境信息;解析所述編譯環(huán)境信息并提取出所述編程工具中的程序信息;基于所述程序信息生成調(diào)試工程;通過所述編程工具將所述調(diào)試...
技術(shù)分類
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