国产精品天干天干在线播放,大尺度揉捏胸床戏视频,樱花草www日本在线观看,狠狠躁夜夜躁人人爽天天天天97

Document
拖動滑塊完成拼圖
首頁 專利交易 科技果 科技人才 科技服務 國際服務 商標交易 會員權益 IP管家助手 需求市場 關于龍圖騰
 /  免費注冊
到頂部 到底部
清空 搜索
最新專利技術
  • 本發明提供一種程序調試方法、系統、存儲介質及設備，該方法包括如下步驟：將調試插件導入所述編程工具以獲取所述編程工具的編譯環境信息；解析所述編譯環境信息并提取出所述編程工具中的程序信息；基于所述程序信息生成調試工程；通過所述編程工具將所述調試...
  • 本申請提供了保存液、保存方法以及沒食子酸烷基酯在保存液中的應用。保存液成分中包含膠體物質和沒食子酸烷基酯，所述保存液中所述沒食子酸烷基酯的濃度為0.1μmol/L～299μmol/L。該保存液可以用于保存細胞、組織、器官，能夠使細胞、組織、...
  • 一種電連接器的直角的公端子具有壓配在一起以形成一過盈配合的分體的第一、第二插針。一個插針具有一無螺紋插口而另一個插針具有對接突部。一個插針的對接突部通過一過盈配合連結于另一個插針的一插口，且兩插針的軸向中心線垂直。這種結構優化平直度和孔的真...
  • 本申請涉及垂直式半導體器件及其制造方法。垂直式半導體器件包括：半導體材料層；第一屏蔽結構，位于半導體材料層，包括第一屏蔽介電層，以及被第一屏蔽介電層圍繞的第一屏蔽電極；第一摻雜區，位于半導體材料層，第一摻雜區具有第一導電型；以及第一柵極結構...
  • 本發明提供一種MOS器件的制作方法，該方法依次形成第一氧化硅側墻、犧牲側墻及第二氧化硅側墻于柵極結構的Y方向兩側，犧牲側墻的頂面低于第一氧化硅側墻的頂面，第二氧化硅側墻的頂端與第二氧化硅側墻的頂端相接，后續通過去除位于柵極結構的X方向兩端的...
  • 本申請公開了一種隨機接入方法、裝置、終端及網絡側設備，屬于通信技術領域，本申請實施例的隨機接入方法，包括：終端接收網絡側設備發送的目標消息，所述目標消息攜帶物理隨機接入信道傳輸機會RO調度信息；所述終端基于所述RO調度信息確定目標RO，并基...
  • 本申請公開了一種基于多輪對話的評測方法、裝置、設備及存儲介質，屬于人工智能領域。該方法包括：獲取大語言模型的多輪對話文本；多輪對話文本中的每輪對話文本包括提問文本和回答文本，提問文本是輸入至大語言模型的文本，回答文本是大語言模型基于提問文本...
  • 本公開實施例提供了一種應用程序的劣化檢測方法、裝置、電子設備以及存儲介質。所述方法包括：確定目標應用程序運行時的目標運行狀態信息，所述目標運行狀態信息用于指示在不同檢測階段目標應用程序進行函數調用時的CPU耗時、函數調用次數以及目標應用程序...
  • 本申請涉及一種測試系統及測試方法，涉及測試技術領域，其中方法包括：獲取測試工況信息；將測試工況信息通過預設工具生成測試用例；基于測試用例調用Lauterbach仿真器的用于實現邊界掃描測試的API接口，讀取被測設備相關的芯片引腳和上位機模塊...
  • 本申請實施例提供一種顯示面板及電子設備，涉及顯示技術領域。隔離結構在第一顯示區包括第一隔離開口和第二隔離開口，對光線有阻擋作用的子像素器件只設置在第二隔離開口內，相對于第二隔離開口，第一隔離開口具有更強的光透過率，如此可以提升第一顯示區的光...
  • 本申請實施例提供一種顯示面板及電子設備，涉及顯示技術領域。在顯示面板中，隔離結構在第一顯示區形成第一隔離開口和第二隔離開口，對光線有阻擋作用的子像素器件只設置在第二隔離開口內，第一隔離開口內不設置透光率較差的子像素器件，相對于第二隔離開口，...
  • 本申請公開了一種發光組件及其制備方法、顯示面板，涉及顯示技術領域。該發光組件包括基底，驅動單元，發光單元以及封裝結構?；椎哪繕藚^域包圍驅動單元在基底上的正投影以及發光單元在基底上的正投影。封裝結構的第一部分和發光單元遠離基底的一側連接，第...
  • 本申請提供一種顯示面板和顯示裝置，顯示面板包括陣列基板和設置于陣列基板上的多個發光單元和多個阻擋件，多個發光單元間隔設置，每相鄰兩個發光單元之間設置有遮光層；多個發光單元與多個阻擋件一一對應地設置，阻擋件位于發光單元和遮光層背離陣列基板的一...
  • 本發明實施例提供了一種N型TOPCon電池及其制備方法，其中，本發明實施例所提供的N型TOPCon電池的制備方法中，在硼擴散及激光摻雜后，采用氧氣和水蒸汽的混合氣體對硅片進行氧化，增加了氧化速率，可以有效降低工藝溫度和時間，不僅使得硅片表面...
  • 本申請涉及溝槽型半導體功率器件。溝槽型半導體功率器件包括：襯底；外延層，位于襯底上；體摻雜區，位于外延層中；源極摻雜區，位于體摻雜區中；溝槽結構，在從源極摻雜區往襯底延伸的第一方向上具有第一深度，并包括沿第二方向延伸的第一半導體層。第一半導...
  • 一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供襯底和位于襯底上的鰭部結構，襯底包括沿鰭部結構延伸方向排列的器件區和隔離區，鰭部結構內具有第一離子；形成橫跨鰭部結構的柵極結構和位于襯底上的介質結構，柵極結構位于介質結構內；去除隔離區上的介質結構以...
  • 本發明提供一種半導體結構及其制作方法，該方法基于高壓器件第一導電類型輕摻雜源漏光罩形成第一導電類型摻雜區于P型半導體層中，其中，該光罩在本征器件區域增設有窗口，形成的第一導電類型摻雜區包括位于高壓器件區域的第一導電類型輕摻雜源漏區與位于本征...
  • 本申請公開了一種芯片、制備方法及電子設備，包括襯底及垂直傳輸場效應晶體管，垂直傳輸場效應晶體管中，垂直溝道結構包括沿垂直方向依次設置的第一源漏擴展區、溝道區及第二源漏擴展區，堆疊結構包括沿垂直方向依次設置的第一側墻隔離層、柵極結構及第二側墻...
  • 本申請公開了一種輕質光伏組件、加工裝置及光伏建筑，屬于太陽能電池領域。該輕質光伏組件包括：邊框、電池片以及瓦楞金屬板；電池片安裝于邊框中，且電池片具有受光面以及背光面，受光面與背光面位置相對，瓦楞金屬板連接于背光面，瓦楞金屬板用于增加電池片...
  • 本發明提供了一種相摻雜的鈷酸鋰正極材料及其制備方法與鋰離子電池，所述鈷酸鋰正極材料包括鈷酸鋰及所述鈷酸鋰的晶體結構內部的摻雜相，所述摻雜相包括Li2Co[M2]3O8、Li<...
首頁 上一頁 54 下一頁
技術分類
主站蜘蛛池模板： 渝北区| 巴林左旗| 游戏| 汝州市| 文安县| 湖南省| 边坝县| 颍上县| 潼关县| 金秀| 衡南县| 南木林县| 江西省| 米易县| 高雄市| 汾阳市| 舒城县| 马鞍山市| 马山县| 阿图什市| 翼城县| 巨野县| 滨海县| 绥滨县| 齐齐哈尔市| 洞口县| 江都市| 平陆县| 辽中县| 新沂市| 龙游县| 屏东市| 深水埗区| 望都县| 伊金霍洛旗| 方正县| 桓台县| 太原市| 汉川市| 垦利县| 平罗县|