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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明涉及一種基于坡口重構(gòu)策略的焊接方法，工藝管道用于安裝于變位機的轉(zhuǎn)臺上，焊接機器人通過控制裝置與控制器電連接，變位機與控制器電連接，跟蹤傳感器設(shè)置于焊接機器人的機械臂末端、且與焊接機器人上的焊槍固定連接，跟蹤傳感器與控制器電連接；焊接方...
  • 本發(fā)明公開了一種用于治療脫發(fā)的生物活性凝膠及其制備方法和應用，其中用于治療脫發(fā)的生物活性凝膠制備原料包括：治療劑、脂質(zhì)體、氧化葡聚糖、羧甲基殼聚糖季銨鹽。所述生物活性凝膠的制備原料中，治療劑的質(zhì)量分數(shù)為1～3wt％，氧化葡聚糖的質(zhì)量分數(shù)為1...
  • 具有不對稱結(jié)構(gòu)的合成單絲開放網(wǎng)格式的過濾織物，具有的經(jīng)線的線密度/cm不同于緯線的線密度/cm，并且其中經(jīng)線的直徑不同于緯線的直徑。本發(fā)明的合成單絲開放網(wǎng)格式的過濾織物在保證液體流量相等的情況下具有改進的阻擋固體顆粒的能力；或可選擇地，與現(xiàn)...
  • 描述用于治療動脈瘤的裝置和遞送方法，所述裝置包含具有敞開的遠側(cè)端的可滲透外殼、具有管腔的內(nèi)部可壓縮網(wǎng)狀物結(jié)構(gòu)、以及包圍所述內(nèi)部可壓縮結(jié)構(gòu)的至少一部分的外部約束件。所述外部約束件可以具有變化的剛度。所述可滲透外殼的擴張的構(gòu)造可以被成形為圓環(huán)體...
  • 本申請涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電容器件、其形成方法和電子設(shè)備，電容器件包括：底部導體層，位于基底上；位于基底上的多層導體層，多層導體層包括自所述基底依次層疊設(shè)置的底部導體層、至少一層中間導體層和頂部導體層；介電層，位于相鄰的所述底部...
  • 本發(fā)明公開了一種利用PbI2老化工藝制備高性能鈣鈦礦薄膜的方法。所述方法通過老化PbI2，老化后的PbI2表面孔洞增多且孔洞變大，增大PbI2與有機銨鹽...
  • 本申請實施例提供的一種顯示面板、顯示面板的制備方法及電子設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，所述顯示面板包括陣列基板、隔離結(jié)構(gòu)、發(fā)光單元和折射層；隔離結(jié)構(gòu)和發(fā)光單元位于像素界定層遠離陣列基板的一側(cè)；隔離結(jié)構(gòu)圍合形成間隔設(shè)置的多個透鏡凹槽，發(fā)光單元在陣列...
  • 本發(fā)明公開了一種電子裝置，包括基板以及多個子像素。多個子像素設(shè)置在基板上，其中多個子像素沿著第一方向及第二方向排列，且第一方向不同于第二方向。多個子像素的其中一個在第一方向上具有第一寬度并在第二方向上具有第二寬度，且第一寬度對第二寬度的比值...
  • 本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法及顯示裝置，發(fā)光器件包括依次層疊設(shè)置的基板、質(zhì)子交換層、第一電極、發(fā)光層和第二電極，所述質(zhì)子交換層包含H+基團和Si?OH+基團。質(zhì)子交換層可以改變基板表...
  • 本申請公開了一種光電器件及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。光電器件包括層疊設(shè)置的第一電極、發(fā)光層和第二電極，發(fā)光層的材料包括量子點和功能修飾劑，所述功能修飾劑包括尼龍。本申請?zhí)峁┑墓怆娖骷校猃埧赦g化量子點表面的缺陷，進而提高量子...
  • 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種弱化結(jié)構(gòu)的制作方法、弱化結(jié)構(gòu)及巨量轉(zhuǎn)移方法，通過該弱化結(jié)構(gòu)的制作方法制作得到弱化結(jié)構(gòu)，并借由該弱化結(jié)構(gòu)實現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移方法；該弱化結(jié)構(gòu)的制作方法包括：提供一載有多顆發(fā)光芯片的基板，在基板載有多顆發(fā)光芯片的一面...
  • 本發(fā)明公開了一種光伏組件的制作方法及光伏組件，光伏組件的制作方法步驟：在焊接機臺上鋪設(shè)第一蓋板；在第一蓋板上鋪設(shè)第一膠膜；在第一膠膜上排布第一電池串和第二電池串；通過焊接機的拾取部拾取提升第一電池串和第二電池串，并傳輸至焊接工位，在焊接工位...
  • 本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)寬帶偏振光電探測器及其制備方法，屬于光電探測器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的探測器包括：襯底；設(shè)置在襯底上的二維拓撲絕緣體材料；部分設(shè)置在二維拓撲絕緣體材料上方且與二維拓撲絕緣體材料能帶匹配的二維偏振材料；設(shè)置在二維拓撲絕緣體材料和...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件及其制作方法，所述方法包括：提供襯底，包括形成第一柵極凹槽的第一區(qū)域與形成第二柵極凹槽的第二區(qū)域；依次形成柵介質(zhì)層、蓋帽層、刻蝕停止層與第一功函數(shù)層在第一柵極凹槽與第二柵極凹槽的側(cè)壁和底部；去除第一柵極凹槽的側(cè)壁和底...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法，其先形成線寬小的第一柵極，后形成線寬大的第二柵極，繼而形成上寬下窄的柵極(例如呈“T”型)，由此在不改變溝道尺寸的情況下，可以通過較寬的第二柵極的頂部來避免形成金屬硅化物時的線寬效應，利于金屬硅化物從高阻...
  • 本發(fā)明提供一種碳納米管半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，碳納米管半導體結(jié)構(gòu)包括：基底；第一介質(zhì)層，位于基底，形成有多個具有第一開口尺寸的第一溝槽，第一溝槽底部部分區(qū)域形成有具有第二開口尺寸的第二溝槽，第二開口尺寸小于第一開口尺寸；碳納米管結(jié)構(gòu)，...
  • 本申請涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件，包括：基底；體區(qū)和漂移區(qū)，沿第一方向排布于基底內(nèi)；漂移區(qū)內(nèi)設(shè)有漏區(qū)，體區(qū)內(nèi)設(shè)有源區(qū)；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介質(zhì)層，設(shè)于基底上，且至少覆蓋部分體區(qū)和部分漂移區(qū)；第一場板，設(shè)于第一介質(zhì)層遠...
  • 本申請涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制備方法。該橫向擴散金屬氧化物半導體器件包括至少一個元胞結(jié)構(gòu)，元胞結(jié)構(gòu)包括：襯底；N型的第一阱區(qū)，設(shè)于襯底內(nèi)；第一阱區(qū)內(nèi)設(shè)有沿第一方向依次排布的第一分區(qū)、隔斷區(qū)和第二分區(qū)；P型的第一摻雜區(qū)和P型...
  • 一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底，包括存儲單元區(qū)；疊層柵結(jié)構(gòu)，位于存儲單元區(qū)的基底上，疊層柵結(jié)構(gòu)包括浮柵結(jié)構(gòu)、以及位于浮柵結(jié)構(gòu)上的控制柵結(jié)構(gòu)，浮柵結(jié)構(gòu)一側(cè)相對于控制柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁向外凸出，且在浮柵結(jié)構(gòu)的凸出部分，浮柵結(jié)構(gòu)的頂面與側(cè)壁...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件及其制造方法、電子設(shè)備。該半導體器件可以包括襯底；所述襯底包括多個第一半導體柱，所述第一半導體柱在第一方向上和第二方向上間隔排列；多條位線，位于第一半導體柱的上方；第一隔離層，位于多條位線之上；第二隔離層，位于第一...
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