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  • 本發(fā)明提供了一種縱向非均質(zhì)性地層模擬物理模型及其制備方法。本發(fā)明的物理模型是由包括由均質(zhì)性模擬材料制備的地層和金屬箔片材料制得，并金屬箔片嵌于地層內(nèi)。本發(fā)明提供的物理模型的制備方法避免了金屬箔片受固化放熱影響而產(chǎn)生褶皺變形，提高了對(duì)陸相頁(yè)巖...
  • 本公開(kāi)提出一種屏幕顯示方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：確定第一溫度值，所述第一溫度值為屏幕的當(dāng)前溫度值；所述屏幕包括像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路中包括至少一個(gè)薄膜晶體管TFT，所述像素驅(qū)動(dòng)電路連接至第一電壓和第二電壓，所述第一...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁?shí)施例屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，提供一種顯示設(shè)備、顯示設(shè)備的控制方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)，該顯示設(shè)備包括顯示屏、LED、電壓控制電路以及背光驅(qū)動(dòng)組件。其中，顯示屏用于顯示圖像，LED用于在點(diǎn)亮?xí)r為顯示屏提供背光的光源，電壓控制電路被配置為根據(jù)第一...
  • 本公開(kāi)是關(guān)于一種顯示調(diào)節(jié)方法、顯示調(diào)節(jié)裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。顯示調(diào)節(jié)方法包括：響應(yīng)于當(dāng)前使用環(huán)境為室外環(huán)境，根據(jù)光線傳感器采集到的光強(qiáng)數(shù)據(jù)和慣性測(cè)量模塊采集到的終端角度數(shù)據(jù)，通過(guò)光強(qiáng)補(bǔ)償函數(shù)獲取當(dāng)前環(huán)境光強(qiáng)。響應(yīng)于所述當(dāng)前環(huán)境光強(qiáng)小于光強(qiáng)閾值，獲...
  • 本公開(kāi)是關(guān)于一種顯示控制方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。顯示控制方法包括：響應(yīng)于第一操作，獲取第一圖像；基于顯示屏的亮度參數(shù)，對(duì)第一圖像進(jìn)行色彩校正處理，獲得目標(biāo)圖像；在目標(biāo)視頻幀切換至第二播放狀態(tài)之前，以目標(biāo)圖像覆蓋目標(biāo)視頻幀顯示于顯示屏。本...
  • 本公開(kāi)是關(guān)于一種亮度調(diào)節(jié)方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。亮度調(diào)節(jié)方法包括：獲取目標(biāo)調(diào)節(jié)參數(shù)，基于起始亮度值和目標(biāo)亮度值，確定亮度調(diào)節(jié)規(guī)律，基于亮度調(diào)節(jié)規(guī)律，確定與亮度調(diào)節(jié)規(guī)律對(duì)應(yīng)的亮度調(diào)節(jié)模型，基于亮度調(diào)節(jié)模型，確定調(diào)節(jié)時(shí)長(zhǎng)中目標(biāo)顯示幀的亮度值...
  • 本發(fā)明提供了一種DAS數(shù)據(jù)中背景噪音的壓制方法、系統(tǒng)、介質(zhì)及設(shè)備，屬于DAS數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域。所述方法為：首先獲取DAS背景噪音的ARMA模型參數(shù)，再利用ARMA模型參數(shù)對(duì)DAS數(shù)據(jù)進(jìn)行降噪處理，得到降噪后的DAS數(shù)據(jù)。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了對(duì)DAS...
  • 本公開(kāi)提供了一種存儲(chǔ)芯片測(cè)試方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：對(duì)存儲(chǔ)芯片執(zhí)行M次崩應(yīng)循環(huán)測(cè)試，M為大于0的正整數(shù)，每次崩應(yīng)循環(huán)測(cè)試包括如下步驟：對(duì)存儲(chǔ)芯片執(zhí)行N次寫(xiě)操作，其中，N為大于1的正整數(shù)；在執(zhí)行完N次寫(xiě)...
  • 本發(fā)明屬于植物保護(hù)領(lǐng)域，具體涉及小分子物質(zhì)TH287在防治稻瘟病中的應(yīng)用。本發(fā)明的小分子抑制劑TH287是基于稻瘟病菌NUDIX水解酶結(jié)構(gòu)篩選獲得，具有很強(qiáng)的特異性。可應(yīng)用于抑制稻瘟病菌NUDIX水解酶活性、抑制稻瘟病菌的致病力、增強(qiáng)水稻對(duì)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N營(yíng)養(yǎng)泵的控制方法、裝置、營(yíng)養(yǎng)泵及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括：獲取時(shí)鐘時(shí)間；獲取目標(biāo)喂養(yǎng)方案，目標(biāo)喂養(yǎng)方案包括至少一個(gè)喂養(yǎng)餐次信息，喂養(yǎng)餐次信息包括喂養(yǎng)參數(shù)、餐次周期和喂養(yǎng)時(shí)間；響應(yīng)時(shí)鐘時(shí)間符合一個(gè)喂養(yǎng)餐次信息中的餐次周期和喂養(yǎng)時(shí)間，...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N營(yíng)養(yǎng)輸注設(shè)備及其控制方法，涉及醫(yī)療設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取喂養(yǎng)參數(shù)；根據(jù)所述喂養(yǎng)參數(shù)和預(yù)設(shè)沖洗規(guī)則，確定第一沖洗參數(shù)；根據(jù)所述第一沖洗參數(shù)，控制所述營(yíng)養(yǎng)輸注設(shè)備進(jìn)行沖洗。本申請(qǐng)的方法，醫(yī)護(hù)人員在進(jìn)行參數(shù)設(shè)置時(shí)，僅需設(shè)置喂...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N營(yíng)養(yǎng)泵的控制方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括：響應(yīng)于目標(biāo)對(duì)象的喂養(yǎng)指令，獲取目標(biāo)對(duì)象的喂養(yǎng)方案，所述喂養(yǎng)方案包括：多個(gè)喂養(yǎng)階段，不同喂養(yǎng)階段的至少一個(gè)喂養(yǎng)參數(shù)不同。根據(jù)所述喂養(yǎng)方案，控制營(yíng)養(yǎng)泵輸出營(yíng)養(yǎng)品。本申請(qǐng)的方法，提...
  • 本申請(qǐng)涉及一種手術(shù)室管理系統(tǒng)、手術(shù)室管理方法及計(jì)算機(jī)設(shè)備。系統(tǒng)包括：圖像采集設(shè)備和管理設(shè)備；圖像采集設(shè)備包括全景圖像采集裝置、手術(shù)床圖像采集裝置及術(shù)野圖像采集裝置；圖像采集設(shè)備，用于采集手術(shù)室的場(chǎng)景圖像；場(chǎng)景圖像包括手術(shù)行為圖像和手術(shù)環(huán)境圖...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N檢測(cè)方法、醫(yī)療設(shè)備以及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，檢測(cè)方法應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備，醫(yī)療設(shè)備包括控制器、驅(qū)動(dòng)件、驅(qū)動(dòng)控制件，控制器控制驅(qū)動(dòng)控制件驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)件運(yùn)行，包括獲得驅(qū)動(dòng)件的運(yùn)行狀態(tài)參數(shù)，根據(jù)驅(qū)動(dòng)件的運(yùn)行狀態(tài)參數(shù)和預(yù)設(shè)判斷規(guī)則，確定醫(yī)療設(shè)備的狀態(tài)信...
  • 本發(fā)明涉及用于永磁體的罩體及其制造方法，更詳細(xì)地，涉及一種形成得包圍為了對(duì)普通船舶或各種戰(zhàn)艦、海洋設(shè)施等因各種原因產(chǎn)生的破洞部位進(jìn)行封閉及防水措施等而在水中作業(yè)時(shí)使用的永磁體的外周面，從而不僅可以保護(hù)內(nèi)部容納的永磁體免受沖擊、摩擦等外部刺激...
  • 一種電感結(jié)構(gòu)，其于絕緣體中埋設(shè)電感本體及具有多個(gè)穿孔的磁芯結(jié)構(gòu)，以借由該多個(gè)穿孔提升該磁芯結(jié)構(gòu)與該絕緣體之間的結(jié)合力，故本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)能避免剝離現(xiàn)象的發(fā)生。
  • 本發(fā)明涉及電子控制器件技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種推動(dòng)結(jié)構(gòu)及繼電器。推動(dòng)結(jié)構(gòu)包括推動(dòng)桿，推動(dòng)桿具有第一端和第二端，推動(dòng)桿的周向表面設(shè)置有環(huán)形槽，用于安裝擋圈；沿推動(dòng)桿的軸向，環(huán)形槽的槽底與推動(dòng)桿的軸線之間的垂直距離不完全相等；擋圈能夠與環(huán)形...
  • 本發(fā)明公開(kāi)的半導(dǎo)體襯底的制造方法包括：提供半導(dǎo)體襯底基材，所述半導(dǎo)體襯底基材包括含硅材料；在真空環(huán)境下，照射所述半導(dǎo)體襯底基材的表面使所述表面熔融形成液態(tài)表面；以及在所述液態(tài)表面沉積薄膜層以獲得半導(dǎo)體襯底，所述薄膜層為氮化硅和/氧化硅。本發(fā)...
  • 本發(fā)明提供一種改善薄膜均勻性的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)形成有多個(gè)溝槽，使得所述襯底具有溝槽部以及位于相鄰所述溝槽部之間的凸起部；對(duì)所述襯底進(jìn)行離子注入，以使所述凸起部的至少部分表面非晶化形成非晶層；對(duì)所述襯底以及所述非晶層進(jìn)...
  • 本發(fā)明半導(dǎo)體基片的表面處理方法，包括：在半導(dǎo)體基片的表面上形成氧化硅層；在所述氧化硅層上形成過(guò)渡層；在所述過(guò)渡層上形成硅基層；以及在所述硅基層上形成柵極絕緣層。本發(fā)明可在半導(dǎo)體基片上形成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的柵極絕緣膜，而且該方法操作簡(jiǎn)單、成本低、生產(chǎn)...
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