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  • 本發(fā)明涉及儀表技術領域。本發(fā)明公開了一種燃氣泄漏報警裝置，該燃氣泄漏報警裝置包括檢測模塊和處理模塊；檢測模塊用于檢測環(huán)境中的至少兩種特征氣體的濃度，特征氣體包括第一特征氣體，燃氣的組分包括第一特征氣體；處理模塊在第一特征氣體的濃度高于預設濃...
  • 本發(fā)明涉及地震勘探技術領域，具體涉及一種頁巖油物理模型制作方法。所述方法包括以下步驟：獲取模擬區(qū)塊信息；確定物理模型相似系數(shù)，根據(jù)相似系數(shù)換算得到物理模型各地層參數(shù)；制作薄層、裂縫模具和裂縫塊，將所述物理模型材料放入模具中，嵌入裂縫塊，固化...
  • 本申請公開了一種柵極驅(qū)動電路及顯示面板，該柵極驅(qū)動電路包括多個級電路，級電路包括輸入模塊、第一輸出模塊根、第二輸出模塊、穩(wěn)壓模塊、第一驅(qū)動控制；其中，穩(wěn)壓模塊包括第六晶體管，第六晶體管的柵極用于接收時鐘信號，柵極驅(qū)動電路的工作模式包括低功耗...
  • 本申請?zhí)峁嵤├龑儆陲@示技術，提供一種顯示設備及插黑顯示方法。顯示設備包括顯示面板、背光模組、時序控制板與處理器，背光模組包括驅(qū)動電路和背光源。處理器獲取到當前幀圖像對應的像素點的液晶響應時間后，根據(jù)顯示面板的不同分區(qū)內(nèi)像素點的液晶響應時間...
  • 本發(fā)明公開了一種內(nèi)膽水盒泄壓閥裝置及包含其的防護存儲器，所述內(nèi)膽水盒泄壓閥裝置包括泄壓閥容納部件和易熔金屬部件，所述泄壓閥容納部件的材料為彈性材料，所述泄壓閥容納部件的內(nèi)部具有容納腔，所述泄壓閥容納部件的內(nèi)壁和外壁均開設有泄壓孔，所述易熔金...
  • 本公開提供了一種存儲器裝置及其操作方法、存儲器系統(tǒng)，存儲器裝置包括存儲陣列和外圍電路；存儲陣列包括第一指存儲區(qū)和第二指存儲區(qū)；第一指存儲區(qū)和第二指存儲區(qū)包括多個存儲單元串；每個存儲單元串均包括第一底部選擇晶體管；第一指存儲區(qū)中的第一底部選擇...
  • 本申請?zhí)峁┮环N存儲器的功耗檢測方法、電子設備及存儲介質(zhì)，其中，上述存儲器的功耗檢測方法中，通過獲取存儲器的多個訪問操作對應的訪問信息后，將多個訪問信息按照預設分類條件進行分類匯總，獲得多個匯總后的數(shù)據(jù)，從而減少訪問信息的數(shù)據(jù)參數(shù)的類別，減少...
  • 本發(fā)明公開一種遠程智能控制的經(jīng)顱磁刺激失眠治療系統(tǒng)及其方法，該方法基于一種遠程智能控制的經(jīng)顱磁刺激失眠治療系統(tǒng)，包含設備控制端和云服務器，該方法包括以下步驟：系統(tǒng)的設備控制端的腦電采集模塊定時采集睡眠者的腦電數(shù)據(jù)，系統(tǒng)的遠程傳輸模塊將采集的...
  • 本發(fā)明提供了一種基于改進輕量級網(wǎng)絡的多模型融合肌肉骨骼異常診斷方法。基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡的方法可以自動提取特征并解決復雜的肌肉骨骼異常診斷問題，但是卷積神經(jīng)網(wǎng)絡的高準確性往往依賴于復雜的網(wǎng)絡架構，這就意味著需要更大的計算量和參數(shù)量。除此之外，現(xiàn)...
  • 根據(jù)本公開的實施例，提供了繼電器組件、控制繼電器組件的方法及儲存介質(zhì)。該繼電器組件包括第一繼電器，適于被布置在供電電路和負載之間；輔助開關電路，與第一繼電器并聯(lián)地布置在供電電路和負載之間，并且包括串聯(lián)連接的第二繼電器和晶體管部件，晶體管部件...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結構及芯片封裝方法，應用于芯片封裝領域。芯片封裝結構包括：銅框架、裸芯片、有機密封劑層、以及塑封層。其中，裸芯片位于銅框架和塑封層之間。裸芯片的正面包括焊盤，焊盤通過引線與銅框架相連接。裸芯片的背面與銅框架連接。裸芯...
  • 本發(fā)明提供一種電子封裝組件和一種形成所述電子封裝組件的方法。所述電子封裝組件包括：第一電子封裝，其包括第一封裝基板和形成于所述第一封裝基板上的第一模蓋，其中所述第一模蓋在其外圍處有第一缺口；以及第二電子封裝，其包括第二封裝基板和形成于所述第...
  • 本發(fā)明為一種具平坦引腳的扁平式封裝器件及其制法，其中，該封裝器件包含有一晶墊、一設置在該晶墊上的芯片、多個分布在該晶墊周圍且電連接該芯片的引腳、一封膠層包覆該晶墊、該多個引腳及該芯片，其中，該封膠層為一扁平矩形立方體，各該引腳從該封膠層的側...
  • 本發(fā)明涉及一種對準標記制作方法、對準標記，包括：提供襯底，襯底正面具有芯片區(qū)和標記區(qū)，芯片區(qū)用于制作半導體器件，標記區(qū)用于在芯片區(qū)制作半導體器件時膜層之間的對準，然后形成覆蓋芯片區(qū)與標記區(qū)的功能層，根據(jù)目標蓋層的厚度確定前層對準標記的目標占...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N負極極片、二次電池以及用電裝置。負極極片包括負極集流體、緩沖層以及活性層，所述緩沖層位于所述負極集流體和所述活性層之間；所述緩沖層包含第一粘結劑；所述活性層的活性材料包括硅碳復合物顆粒，所述硅碳復合物顆粒包括多孔碳材料和位于...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N鈉離子電池、電池包和儲能系統(tǒng)。該復合正極材料包括正極活性材料和穩(wěn)定劑，正極活性材料為鈉離子層狀氧化物，穩(wěn)定劑填充于正極活性材料的顆粒之間，穩(wěn)定劑的顆粒粒徑小于正極活性材料的顆粒粒徑，穩(wěn)定劑的分子結構中含有(XO4<...
  • 本發(fā)明屬于能源材料技術領域，進一步的說是堿金屬電池領域，具體涉及一種堿金屬?亞硫酰氯二次電池用電解液及其應用。電解液為可傳輸堿金屬離子的鹽、亞硫酰氯和添加劑；所述添加劑為有機苯胺陽離子的鹽。所述添加劑添加到堿金屬?亞硫酰氯二次電池采用的基礎...
  • 本發(fā)明屬于能源材料和器件技術領域，進一步的說是堿金屬電池領域，具體涉及一種電解液添加劑及其在堿金屬?亞硫酰氯二次電池中的應用。堿金屬?亞硫酰氯二次電池用電解液中添加劑為含苯亞砜類有機物；所述添加劑在電解液中的濃度為0.05?1.0mol/L...
  • 本發(fā)明提供一種儲能裝置及電力系統(tǒng)，涉及儲能裝置技術領域。儲能裝置，包括：殼體；容納槽，設置于殼體的內(nèi)部，容納槽被配置為收容電池包；通風組件，設置于殼體的至少一個界面上，通風組件被配置為允許至少部分空氣自通風組件的旁側進入或流出殼體；第一疏水...
  • 本申請公開了一種數(shù)據(jù)存儲設備轉接裝置，包括殼體和設置在殼體上的第一硬件接口和第二硬件接口，第一硬件接口與列車運行監(jiān)控裝置的硬件接口相匹配，并設置有多個第一接線端子；第二硬件接口與數(shù)據(jù)存儲設備的硬件接口相匹配，并設置在殼體的內(nèi)腔，且設置有多個...
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