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  • 本公開提供了一種放療設備與輻射遞送方法，涉及醫療技術領域。放療設備包括機架與設置于機架上的放射治療頭，其中，放射治療頭包括多個輻射源，多個輻射源沿放療設備的IEC坐標系的Y軸方向或與Y軸方向呈預設角度的方向分布，其中，機架中任一個與Y軸垂直...
  • 本公開提供了一種定位方法、電子設備和定位系統，涉及醫療技術領域，尤其涉及腫瘤定位技術領域。具體實現方案為：利用成像裝置獲取當前時刻目標對象的投影圖像，并利用光學追蹤裝置獲取當前時刻目標對象在預設三維坐標系的至少一個方向發生偏移的位置偏移量，...
  • 本發明提供了2?羥基戊二酸在制備CAR?T細胞效應功能增效劑中的應用。所述2?羥基戊二酸作為增效劑能提高CAR?T細胞的腫瘤殺傷效率；促進CAR?T細胞向效應T細胞分化。本發明還提供了一種提升CAR?T細胞效應功能的方法，采用2?羥基戊二酸...
  • 本申請公開了一種球囊回抽設備、球囊充打設備、手術器械和手術裝置。球囊回抽設備包括基座組件、注射器和回抽裝置。注射器設置在基座組件，注射器的注射口用于與球囊的內腔連通，注射器的注射器推桿具有從注射器的管部伸出的伸出狀態和縮進管部的收回狀態；回...
  • 本申請涉及一種芯片組件及其制作方法以及巨量轉移方法。芯片組件包括襯底；外延結構，設置在襯底上；內縮結構，位于襯底與外延結構之間，內縮結構尺寸小于外延結構并相對于外延結構內縮，以使外延結構的邊緣與襯底形成空隙；鈍化層，覆蓋外延結構的至少一部分...
  • 本申請涉及一種外延片及其制作方法、發光芯片及其制作方法，外延片包括：襯底，所述襯底的一側具有多個凸起，所述凸起之間的所述襯底表面為平面區域；設于襯底上的形核引導層，形核引導層包括完全覆蓋所述平面區域的第一引導部，以及覆蓋所述凸起的部分側壁的...
  • 本申請實施例提供了一種多主柵P型電池片及其制作方法和裝置及光伏組件，所述多主柵P型電池片包括背離設置的受光面和背光面；所述受光面設有多個間隔設置的主柵，所述主柵沿第一方向延伸，所述多個主柵沿第二方向間隔設置，其中，所述第一方向垂直于所述第二...
  • 本公開提供一種光電集成探測器，包括殼體；無源光芯片組件，設置在殼體內，并包括適用于將由外部輸入的光信號分解為不同波長的光信號的波分解復用芯片；可調光衰減芯片，適用于對不同波長的光信號進行功率調制；探測器陣列組件，設置在殼體內，并包括：陣列載...
  • 本發明提供了一種制備碳化硅器件溝道注入掩膜的方法，屬于半導體制造技術領域，該方法包括以下步驟：在晶圓上形成Pwell區；在已形成Pwell區的晶圓上淀積氧化硅，形成掩膜介質層；在淀積的氧化硅上光刻N+圖形，并通過刻蝕的...
  • 本公開公開了一種文本數據增強方法、裝置、系統和計算機可讀存儲介質，該方法包括：獲取文本數據；對所述文本數據進行擴增操作，得到增強文本數據；根據所述增強文本數據對應的特征數據對所述增強文本數據進行聚類，得到目標文本數據。通過對文本數據進行擴增...
  • 本公開涉及一種測試用例生成方法、裝置、設備及存儲介質，該方法包括：獲取目標創建的測試用例的測試步驟；對所述測試步驟與預設函數庫中存儲的測試函數的描述信息進行模糊匹配，得到目標測試函數；將預先獲取的所述目標測試函數對應的初始配置信息和預定義信...
  • 本發明公開了一種自動化測試腳本生成方法及終端，包括將依賴數據進行入庫，得到包含接口依賴信息和特征向量數據的向量數據庫以及包含樣本腳本代碼的腳本樣本庫；對用戶提供的文本測試用例進行拆解，得到多個執行步驟，并基于所述向量數據庫和所述腳本樣本庫，...
  • 本公開實施例提供一種數據處理方法、裝置及電子設備，該方法包括：獲取已修改的第一代碼段；確定所述第一代碼段的第一存儲位置；獲取第一對應關系，所述第一對應關系中包括多個存儲位置、以及每個存儲位置相對應的用戶，所述存儲位置相對應的用戶為檢查所述存...
  • 本申請涉及血管支架輔助開窗方法、裝置、系統、計算機設備、存儲介質與計算機程序產品。血管支架輔助開窗方法包括：基于血管的三維影像構建第一血管支架模型；將所述第一血管支架模型疊加顯示在第一血管支架實物上；使所述第一血管支架模型上預設周向范圍內的...
  • 本申請提供了一種X射線成像系統以及X射線成像方法。X射線成像系統包括檢測床，X射線源以及控制器，檢測床內安裝有探測器，且探測器能夠沿檢測床的長度和寬度方向運動，X射線源和探測器能夠配合以獲取被檢測對象的X射線圖像，控制器能夠控制X射線源和探...
  • 本發明涉及一種氣溶膠產生裝置（100），包括：縱向加熱腔體（10），該縱向加熱腔體由側向壁（12）界定，加熱腔體（10）在一個上端（10a）處設置有開口（14），并且適于接納穿過所述開口（14）插入的氣溶膠產生制品的至少一部分；以及加熱系統...
  • 本發明提供一種太陽能電池的局部鈍化接觸結構的制備方法，在太陽能電池需要制備局部鈍化接觸結構的一面，先制備一層鈍化層，然后在鈍化層上貼合具備鏤空區域的掩膜；鏤空區域的形狀對應電池片局部鈍化接觸電極區域或非局部鈍化接觸電極區域；掩膜由激光進行圖...
  • 本發明提供一種半導體器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS區與PMOS區的襯底，襯底上形成有柵極結構、硬掩膜層、第一側墻以及第一保護層或第二側墻，NMOS區內的硬掩膜層的厚度大于PMOS區內的硬掩膜層的厚度；形成覆蓋襯底的填充層；...
  • 本公開提供一種半導體器件及其制造方法。半導體器件具有有源區和圍繞有源區的終端區且包括：基區，其位于有源區且位于第一導電類型的半導體襯底的第二面；多個環狀子區域，其位于終端區且位于襯底的第二面，且彼此間隔開；絕緣層，其位于終端區且位于多個環狀...
  • 一種半導體結構及其形成方法，其中半導體結構的形成方法包括：提供襯底，襯底包括若干器件區、以及位于相鄰器件區之間的間隔區；在器件區上形成若干器件鰭部；在間隔區上形成若干輔助鰭部；在器件區上形成柵極結構，柵極結構橫跨器件鰭部；以柵極結構為掩膜刻...
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