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  • 本發明提供一種半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括集成在一個晶片中的絕緣柵雙極晶體管IGBT結構和金屬氧化物半導體MOS晶體管結構，所述MOS晶體管結構與所述IGBT結構并聯。所述MOS晶體管結構中的溝槽絕緣層的厚度小于所述IGBT結構...
  • 本發明提供一種半導體器件及其制造方法，在形成高壓柵氧化層之前，先刻蝕器件隔離結構的頂部中央區域形成第一凹槽，并形成圖案化阻擋層覆蓋在第一凹槽的內表面上，在熱氧化形成高壓柵氧化層的過程中，第一凹槽側壁上的阻擋層在橫向上相當于額外增加了兩層阻擋...
  • 本發明涉及集成電路制造領域，具體公開一種異質結雙極晶體管電容及制造方法，該電容包括依次排布的犧牲介質層、下極板層、電容介質層和上極板層；所述犧牲介質層的一面設置于異質結雙極晶體管的器件面上，另一面設置有多個凹槽；所述下極板層、電容介質層和上...
  • 本申請提供了一種IBC電池串串接方法，包括：獲取構成IBC電池串的N+1個焊帶組；將N個IBC電池片背面朝上鋪放至焊接輸送裝置上；將N+1個焊帶組、N個膠膜片按照IBC電池串的預定疊放規則疊放至N個IBC電池片上，使得各膠膜片將對應的焊帶組...
  • 本申請公開了一種太陽能電池制備方法及太陽能電池，包括以下步驟：提供制絨后的N型原料硅片；將所述制絨后的N型原料硅片裝入石英玻璃；通源溫度上升過程分為四個升溫階段，且設置每個升溫階段的加熱絲加熱總功率的百分比以及升溫速率，對所述N型原料硅片進...
  • 公開基于二維圖像的手術計劃方法以及系統。計劃方法包括：從脊椎手術部位獲得第一圖像和第二圖像的步驟；定義虛擬三維手術空間并對第一圖像和第二圖像進行配準的步驟；從第一圖像提取第一脊椎骨區域和第一椎弓根區域，并從所述第二圖像提取第二脊椎體區域和第...
  • 本發明涉及一種用于離合器(2)的具有致動方向(3)的調節裝置(1)并且涉及包括該調節裝置(1)的離合器(2)。本發明還涉及一種用于調節裝置(1)的推動元件(4)，所述推動元件在相對于所述致動方向(3)的橫向方向(5)上具有至少兩個驅動斜坡(...
  • 本公開的各個方面涉及支持定時對準獲取的方法、裝置和系統。例如，實現提供了針對早期獲取早期定時對準信息(例如，在切換發生之前)的UE能力信令和對應的網絡行為。此外，實現提供了用于UE連接性重建的上行鏈路同步過程。
  • 本發明提供了一種電氣裝置，該電氣裝置包括：至少第一組件和第二組件，以及第一組件和第二組件之間的接口，其中該裝置進一步包括：(a)在接口處的ta?C涂層，用于密封接口，以防止流體的進入和/或逸出，或者(b)在接口處的墊圈，其中該墊圈包括ta?...
  • 本申請提供一種加熱爐出爐輥道能量回收系統，包括振動能量回收裝置和熱量回收裝置。振動能量回收裝置包括支撐部、傳動部和回收電機，支撐部支撐出爐輥道的輥子并能隨輥子的上下振動而上下移動，傳動部連接支撐部和回收電機的輸入軸，傳動部能將支撐部的上下移...
  • 本申請實施例提供一種移動設備控制方法、裝置及電子設備。所述移動設備上包括太陽能電池板，該方法包括：獲取所述太陽能電池板上的光照強度值，若所述太陽能電池板上存在至少兩個不同光照強度值的區域，則根據所述光照強度值確定目標移動方向，控制所述移動設...
  • 本公開涉及一種問題模塊定位方法、裝置、電子設備、存儲介質及車輛。相較于現有技術，本公開通過響應于第一用戶輸入異常問題的操作，獲取到當前異常問題，不需要人工識別問題，節省人力資源，進一步將所述當前異常問題與數據庫中各個模塊對應的問題進行匹配，...
  • 本說明書實施例提供對話處理、文本生成以及目標對話模型訓練方法，其中對話處理方法包括：獲取對話文本和對話關聯數據，其中，對話關聯數據與對話文本的模態不同；將對話文本和對話關聯數據輸入目標對話模型，獲得對話關聯數據對應的第一模態特征和對話文本對...
  • 本發明實施例公開了一種基于深度卷積神經網絡的巖石力學參數自動計算方法，包括如下步驟：步驟100、通過現代成像技術獲取巖石表面的細觀結構圖像，并對圖像進行預處理；步驟200、利用U?Net深度卷積神經網絡對預處理后的圖像進行訓練和預測，并對圖...
  • 本申請實施例提供了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池單體、電池和用電裝置。該正極活性材料包括Li1?xNaxNiaM1b...
  • 本申請公開了一種正極材料及其制備方法、正極，鈉電池和用電裝置。正極材料包括化學式NaaNibFecMndMeOf
  • 本發明涉及一種溝槽型肖特基勢壘二極管及其制造方法，所述溝槽型肖特基勢壘二極管包括：襯底，具有第一導電類型；第一導電類型層，位于所述襯底上，所述第一導電類型層的摻雜濃度小于所述襯底的摻雜濃度；溝槽結構，從所述第一導電類型層的第一表面向所述襯底...
  • 一種半導體結構及其形成方法，其中半導體結構的形成方法包括：提供襯底，襯底包括若干器件區、以及位于相鄰器件區之間的間隔區；在器件區上形成若干器件鰭部；在間隔區上形成若干輔助鰭部；在器件區上形成柵極結構，柵極結構橫跨器件鰭部；以柵極結構為掩膜刻...
  • 本公開提供一種半導體器件及其制造方法。半導體器件具有有源區和圍繞有源區的終端區且包括：基區，其位于有源區且位于第一導電類型的半導體襯底的第二面；多個環狀子區域，其位于終端區且位于襯底的第二面，且彼此間隔開；絕緣層，其位于終端區且位于多個環狀...
  • 本發明提供一種半導體器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS區與PMOS區的襯底，襯底上形成有柵極結構、硬掩膜層、第一側墻以及第一保護層或第二側墻，NMOS區內的硬掩膜層的厚度大于PMOS區內的硬掩膜層的厚度；形成覆蓋襯底的填充層；...
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