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最新專利技術(shù)
  • 本公開是關于一種顯示控制方法、裝置、電子設備及介質(zhì)。顯示控制方法包括：響應于第一操作，獲取第一圖像；基于顯示屏的亮度參數(shù)，對第一圖像進行色彩校正處理，獲得目標圖像；在目標視頻幀切換至第二播放狀態(tài)之前，以目標圖像覆蓋目標視頻幀顯示于顯示屏。本...
  • 本公開是關于一種亮度調(diào)節(jié)方法、裝置、電子設備及介質(zhì)。亮度調(diào)節(jié)方法包括：獲取目標調(diào)節(jié)參數(shù)，基于起始亮度值和目標亮度值，確定亮度調(diào)節(jié)規(guī)律，基于亮度調(diào)節(jié)規(guī)律，確定與亮度調(diào)節(jié)規(guī)律對應的亮度調(diào)節(jié)模型，基于亮度調(diào)節(jié)模型，確定調(diào)節(jié)時長中目標顯示幀的亮度值...
  • 本發(fā)明提供了一種DAS數(shù)據(jù)中背景噪音的壓制方法、系統(tǒng)、介質(zhì)及設備，屬于DAS數(shù)據(jù)處理技術(shù)領域。所述方法為：首先獲取DAS背景噪音的ARMA模型參數(shù)，再利用ARMA模型參數(shù)對DAS數(shù)據(jù)進行降噪處理，得到降噪后的DAS數(shù)據(jù)。本發(fā)明實現(xiàn)了對DAS...
  • 本公開提供了一種存儲芯片測試方法、裝置、計算機設備及存儲介質(zhì)，涉及半導體技術(shù)領域。方法包括：對存儲芯片執(zhí)行M次崩應循環(huán)測試，M為大于0的正整數(shù)，每次崩應循環(huán)測試包括如下步驟：對存儲芯片執(zhí)行N次寫操作，其中，N為大于1的正整數(shù)；在執(zhí)行完N次寫...
  • 本發(fā)明屬于植物保護領域，具體涉及小分子物質(zhì)TH287在防治稻瘟病中的應用。本發(fā)明的小分子抑制劑TH287是基于稻瘟病菌NUDIX水解酶結(jié)構(gòu)篩選獲得，具有很強的特異性。可應用于抑制稻瘟病菌NUDIX水解酶活性、抑制稻瘟病菌的致病力、增強水稻對...
  • 本申請?zhí)峁┮环N營養(yǎng)泵的控制方法、裝置、營養(yǎng)泵及存儲介質(zhì)。該方法包括：獲取時鐘時間；獲取目標喂養(yǎng)方案，目標喂養(yǎng)方案包括至少一個喂養(yǎng)餐次信息，喂養(yǎng)餐次信息包括喂養(yǎng)參數(shù)、餐次周期和喂養(yǎng)時間；響應時鐘時間符合一個喂養(yǎng)餐次信息中的餐次周期和喂養(yǎng)時間，...
  • 本申請?zhí)峁┮环N營養(yǎng)輸注設備及其控制方法，涉及醫(yī)療設備技術(shù)領域。該方法包括：獲取喂養(yǎng)參數(shù)；根據(jù)所述喂養(yǎng)參數(shù)和預設沖洗規(guī)則，確定第一沖洗參數(shù)；根據(jù)所述第一沖洗參數(shù)，控制所述營養(yǎng)輸注設備進行沖洗。本申請的方法，醫(yī)護人員在進行參數(shù)設置時，僅需設置喂...
  • 本申請?zhí)峁┮环N營養(yǎng)泵的控制方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)。該方法包括：響應于目標對象的喂養(yǎng)指令，獲取目標對象的喂養(yǎng)方案，所述喂養(yǎng)方案包括：多個喂養(yǎng)階段，不同喂養(yǎng)階段的至少一個喂養(yǎng)參數(shù)不同。根據(jù)所述喂養(yǎng)方案，控制營養(yǎng)泵輸出營養(yǎng)品。本申請的方法，提...
  • 本申請涉及一種手術(shù)室管理系統(tǒng)、手術(shù)室管理方法及計算機設備。系統(tǒng)包括：圖像采集設備和管理設備；圖像采集設備包括全景圖像采集裝置、手術(shù)床圖像采集裝置及術(shù)野圖像采集裝置；圖像采集設備，用于采集手術(shù)室的場景圖像；場景圖像包括手術(shù)行為圖像和手術(shù)環(huán)境圖...
  • 本申請?zhí)峁┮环N檢測方法、醫(yī)療設備以及可讀存儲介質(zhì)，檢測方法應用于醫(yī)療設備，醫(yī)療設備包括控制器、驅(qū)動件、驅(qū)動控制件，控制器控制驅(qū)動控制件驅(qū)動驅(qū)動件運行，包括獲得驅(qū)動件的運行狀態(tài)參數(shù)，根據(jù)驅(qū)動件的運行狀態(tài)參數(shù)和預設判斷規(guī)則，確定醫(yī)療設備的狀態(tài)信...
  • 本發(fā)明涉及用于永磁體的罩體及其制造方法，更詳細地，涉及一種形成得包圍為了對普通船舶或各種戰(zhàn)艦、海洋設施等因各種原因產(chǎn)生的破洞部位進行封閉及防水措施等而在水中作業(yè)時使用的永磁體的外周面，從而不僅可以保護內(nèi)部容納的永磁體免受沖擊、摩擦等外部刺激...
  • 一種電感結(jié)構(gòu)，其于絕緣體中埋設電感本體及具有多個穿孔的磁芯結(jié)構(gòu)，以借由該多個穿孔提升該磁芯結(jié)構(gòu)與該絕緣體之間的結(jié)合力，故本發(fā)明的電感結(jié)構(gòu)能避免剝離現(xiàn)象的發(fā)生。
  • 本發(fā)明涉及電子控制器件技術(shù)領域，具體而言，涉及一種推動結(jié)構(gòu)及繼電器。推動結(jié)構(gòu)包括推動桿，推動桿具有第一端和第二端，推動桿的周向表面設置有環(huán)形槽，用于安裝擋圈；沿推動桿的軸向，環(huán)形槽的槽底與推動桿的軸線之間的垂直距離不完全相等；擋圈能夠與環(huán)形...
  • 本發(fā)明公開的半導體襯底的制造方法包括：提供半導體襯底基材，所述半導體襯底基材包括含硅材料；在真空環(huán)境下，照射所述半導體襯底基材的表面使所述表面熔融形成液態(tài)表面；以及在所述液態(tài)表面沉積薄膜層以獲得半導體襯底，所述薄膜層為氮化硅和/氧化硅。本發(fā)...
  • 本發(fā)明提供一種改善薄膜均勻性的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)形成有多個溝槽，使得所述襯底具有溝槽部以及位于相鄰所述溝槽部之間的凸起部；對所述襯底進行離子注入，以使所述凸起部的至少部分表面非晶化形成非晶層；對所述襯底以及所述非晶層進...
  • 本發(fā)明半導體基片的表面處理方法，包括：在半導體基片的表面上形成氧化硅層；在所述氧化硅層上形成過渡層；在所述過渡層上形成硅基層；以及在所述硅基層上形成柵極絕緣層。本發(fā)明可在半導體基片上形成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的柵極絕緣膜，而且該方法操作簡單、成本低、生產(chǎn)...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法，在已生成具有邊緣部的初始局部氧化結(jié)構(gòu)的基礎上，形成圖案化掩膜層，該圖案化掩膜層的開口對準初始局部氧化結(jié)構(gòu)的邊緣部，在該圖案化掩膜層和邊緣部的掩蔽作用下，對開口中的襯底進行用于提高氧化率的離子注入，利用開口...
  • 本發(fā)明提供了一種金屬焊盤結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述制備方法包括：提供襯底，襯底中形成有金屬線及覆蓋金屬線的層間介質(zhì)層；在金屬線上的層間介質(zhì)層中形成第一開口暴露金屬線的表面，且第一開口的底部設有分隔圖形覆蓋金屬線的部分表面；形成第一焊盤層順形地覆...
  • 本公開提供了一種芯片貼裝方法及芯片封裝方法，涉及半導體技術(shù)領域，以在保證芯片質(zhì)量的同時，控制芯片貼裝的成本。芯片貼裝方法包括：提供設置有多個裸片的承載膜，多個裸片被劃分為多個等級；將目標等級的多個裸片移動至基板上，目標等級為多個等級中裸片數(shù)...
  • 本發(fā)明提供一種半導體設備，包括反應腔室、組件腔室、旋轉(zhuǎn)伸縮機構(gòu)和邊緣保護環(huán)，反應腔室內(nèi)設置有用于承載晶圓的承載部件，組件腔室設置在反應腔室的周側(cè)，且組件腔室的第一側(cè)與反應腔室可選擇的通斷連接，組件腔室的第二側(cè)與外界環(huán)境可選擇的通斷；旋轉(zhuǎn)伸縮...
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