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  • 本發(fā)明公開了一種觀點生成的方法和裝置，涉及計算機技術領域。該方法的一具體實施方式包括：響應于接收到觀點生成請求，獲取待推理文本數(shù)據(jù)；將待推理文本數(shù)據(jù)輸入到預先構建的觀點生成模型，得到待推理文本數(shù)據(jù)對應的觀點，所述觀點生成模型是通過對觀點生成...
  • 本發(fā)明公開了物品攬派的裝置、方法、電子設備和存儲介質，涉及計算機技術領域。該方法的一具體實施方式包括：物品攬派部件與所控制部件連接，控制部件控制物品攬派部件沿攬派通道移動；攬派通道的設置與各用戶對應的攬派接口，攬派口包括攬收口和派送口；攬收...
  • 本申請實施例提供了一種角點特征檢測方法，該方法包括：基于目標函數(shù)對初始預測模型進行訓練，確定目標預測模型；其中，目標函數(shù)為通過拍攝高度參數(shù)和拍攝縮放比例參數(shù)構建的；根據(jù)目標預測模型對待預測圖像數(shù)據(jù)進行檢測處理，獲得待預測圖像對應的角點特征。
  • 一種半導體結構的形成方法，包括：提供待處理晶片；在離子注入腔室內(nèi)對所述待處理晶片進行輕摻雜注入離子，在所述待處理晶片內(nèi)形成輕摻雜區(qū)；在進行所述輕摻雜漏離子注入工藝之后，將所述待處理晶片自離子注入腔室轉移至中轉腔室內(nèi)；在所述待處理晶片被轉移至...
  • 本發(fā)明公開了一種槽形結構的刻蝕控制方法以及槽型結構，涉及半導體器件技術領域，以提供一種能夠解決在利用等離子體刻蝕方法對柵槽進行刻蝕時，常規(guī)刻蝕利用固定值輸入功率射頻源對帽層勢壘層進行刻蝕的方法在柵槽表面造成損傷，破壞界面，進而影響高頻下的器...
  • 本發(fā)明提供了的一種碳化硅功率器件及其制備方法，應用于半導體技術領域。具體在提供一碳化硅基底之后，并沒有向現(xiàn)有技術直接采用熱氧化或化學氣相沉積工藝在碳化硅基底的表面上形成柵極氧化層，而是在形成柵極氧化層之前，先通入混合氣體高溫轟擊碳化硅基底的...
  • 本發(fā)明提供一種將樹脂面板、接合材、以及通過受光而發(fā)電的太陽能電池加熱接合的接合方法以及接合裝置，具有良好的組裝性。接合裝置包括下模；上模，與所述下模合模而形成成形空間；隔膜，配置于所述下模與所述上模之間，且分割所述成形空間；第一壓力調(diào)整部，...
  • 本發(fā)明公開了一種半導體結構及其制備方法，半導體結構包括：襯底，位于所述襯底上的緩沖層以及位于所述緩沖層遠離所述襯底一側的發(fā)光結構；所述緩沖層包括第一區(qū)域和環(huán)繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域；光阻結構，所述光阻結構通過對所述緩沖層的第二區(qū)域選擇性刻蝕...
  • 一種移動通信終端，該移動通信終端包括：天線，該天線被配置為發(fā)送和接收無線信號；氣溶膠生成器，該氣溶膠生成器配置為在該氣溶膠生成器中容置氣溶膠生成制品并且通過感應加熱對氣溶膠生成制品進行加熱；以及控制器，該控制器配置為控制氣溶膠生成器的溫度，...
  • 本發(fā)明提供了一種基于圖論的飛機路徑規(guī)劃方法、裝置和電子設備。該方法包括：獲取指定機型在一時間段內(nèi)的航班信息；把每一個航班與所述航班按航班銜接原則來建立銜接，形成航班圖；確定所述一段時間的首發(fā)航班，找出與首發(fā)航班銜接時間最短的后續(xù)航班，形成首...
  • 本發(fā)明涉及了一種調(diào)節(jié)睡眠質量的益生菌復合產(chǎn)品及其制備方法，所述益生菌復合產(chǎn)品包括以下組分：γ?氨基丁酸、短雙歧桿菌CCFM1025、嗜酸乳桿菌TYCA06、植物乳桿菌LPL28、抗性糊精、低聚木糖、低聚果糖、水蘇糖。短雙歧桿菌CCFM102...
  • 本發(fā)明涉及了一種改善情緒的益生菌復合產(chǎn)品及其制備方法，所述益生菌復合產(chǎn)品包括以下益生菌組分：瑞士乳桿菌R0052、植物乳桿菌R1012和長雙歧桿菌R0175。三種益生菌組合具有協(xié)同效應，能夠降低人體中犬尿氨酸/色氨酸的比值，減少代謝犬尿氨酸...
  • 本發(fā)明涉及了一種緩解壓力的益生菌復合產(chǎn)品及其制備方法，所述益生菌復合產(chǎn)品包括以下益生菌組分：副干酪乳桿菌Lpc?37、植物乳桿菌N13和乳雙歧桿菌BLa80。三種益生菌組合具有協(xié)同效應，能夠調(diào)節(jié)腸道菌群，緩解炎癥癥狀，降低機體對壓力的感知，...
  • 本發(fā)明提供了一種生產(chǎn)碳纖維的碳化爐爐口用排風罩，包括排風罩本體、可移動插板和位移控制器；排風罩本體上端與風管連通、下端為罩口，罩口呈長方形；可移動插板可移動連接于所述罩口；可移動插板的長度不小于罩口的長度，可移動插板的寬度不小于罩口的寬度；...
  • 對話系統(tǒng)中按照建模方式可以分為兩種：基于流水線的方法和基于端到端的方法。然而在基于流水線的方法中，各個模塊只能分別優(yōu)化，存在誤差疊加問題，基于端到端的方法利用歷史對話來直接生成系統(tǒng)回復。但由于基于端到端方法的對話系統(tǒng)沒有全面考慮知識庫中的信...
  • 本發(fā)明公開了一種基于DEM技術的任務自動分配方法和裝置、設備、介質，屬于石油地球物理勘探處理技術領域。本發(fā)明利用DEM技術中的高程信息，對各任務點間的距離、高程、地表坡度和相對坡度進行綜合計算，確定各其余任務點的得分，通過k均值聚類算法，對...
  • 本發(fā)明公開了一種所述的氟磷酸鈣包覆鎳鈷錳酸鋰正極材料的方法，屬于鋰電池技術領域。其技術方案為：（1）提供鎳鈷錳酸鋰正極材料，（2）將鑭源和鈦源在醇類溶劑中攪拌至形成溶膠，然后將鎳鈷錳酸鋰正極材料加入該溶膠體系中，室溫下攪拌1?8小時，再經(jīng)過...
  • 本發(fā)明公開了一種鋰電池正極材料及其制備方法，屬于鋰電池技術領域。其技術方案為：（1）所述鋰電池正極材料包括鋰活性材料和復合導電層，所述復合導電層包覆在鋰活性材料的外表面；所述復合導電層由包括導電高分子膠與導電碳按質量比1:(0.4～2)復合...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括集成在一個晶片中的絕緣柵雙極晶體管IGBT結構和金屬氧化物半導體MOS晶體管結構，所述MOS晶體管結構與所述IGBT結構并聯(lián)。所述MOS晶體管結構中的溝槽絕緣層的厚度小于所述IGBT結構...
  • 本發(fā)明提供一種半導體器件及其制造方法，在形成高壓柵氧化層之前，先刻蝕器件隔離結構的頂部中央?yún)^(qū)域形成第一凹槽，并形成圖案化阻擋層覆蓋在第一凹槽的內(nèi)表面上，在熱氧化形成高壓柵氧化層的過程中，第一凹槽側壁上的阻擋層在橫向上相當于額外增加了兩層阻擋...
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