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  • 本公開提供一種固化物具有高折射率、且能夠抑制變形時的固化物破損的光固化性樹脂組合物。光固化性樹脂組合物含有自由基聚合性化合物（A）和光自由基聚合引發(fā)劑（B）。自由基聚合性化合物（A）含有式（1）所示的第1單官能自由基聚合性化合物（A1）、與...
  • 本申請?zhí)峁┝?，一種閾值開關材料、閾值開關器件及其制備方法。該閾值開關材料的化學通式為(InxTe100?x)100?z(As100?ySey<...
  • 本發(fā)明設計了一種在中高溫區(qū)具有高熱電轉換效率的硒氯化銦二維材料。利用第一性原理方法設計了一類具有良好的動力學穩(wěn)定性、熱力學穩(wěn)定性，并且在中高溫區(qū)域具有很高熱電性能的二維材料硒氯化銦。所設計出的二維硒氯化銦導帶結構在費米面附近具有多能谷特性，...
  • 本申請實施例提供一種薄膜及其制備方法、光電器件及其制備方法、顯示裝置。薄膜的制備方法包括：提供基板和成膜蓋板，成膜蓋板包括板體，將成膜蓋板設于基板上，使板體與基板之間形成間距；在板體和基板之間施加功能溶液，形成功能液膜；對功能液膜進行干燥處...
  • 本發(fā)明公開了一種基于電噴印工藝的低粗糙度AgNW電極及其在本征柔性聚合物發(fā)光二極管中的應用。本發(fā)明提供的AgNW薄膜電極的制備方法包括如下步驟：采用電噴印的方法將AgNW墨水在基底上進行圖案化打印即得。本發(fā)明提供的高拉伸性、高導電性、低粗糙...
  • 本申請公開了一種顯示面板和顯示裝置。顯示面板具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，顯示面板包括陣列基板、隔離結構、多個子像素和多個虛擬像素、觸控組件，陣列基板報驅動電路層，隔離結構包括位于顯示區(qū)的第一隔離結構和位于非顯示區(qū)的第二隔離結構，第一隔離結構與第二...
  • 本申請實施例提供了像素驅動電路膜層、顯示屏及顯示設備，包括：柵極部分、層間介質層、第一走線層、第二走線層及第一平坦化層；層間介質層設置在柵極部分上，第一走線層設置在層間介質層遠離柵極部分的一側，第二走線層設置在第一走線層遠離柵極部分的一側，...
  • 本發(fā)明提供一種顯示基板和顯示裝置，涉及顯示技術領域，能夠實現(xiàn)高頻率的觸控使用，以及在外電場和外磁場的影響下，以及高溫和高濕等苛刻環(huán)境下，保證晶體管的特性保持穩(wěn)定。所述顯示基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周邊的周邊區(qū)域，還包括位于所述顯示區(qū)...
  • 本申請?zhí)峁┮环N顯示面板、顯示面板的制作方法及車尾燈，顯示面板包括襯底基板、陽極、像素界定層、發(fā)光單元、陰極、絕緣層和輔助陰極。陽極設于襯底基板的一側且間隔排布。像素界定層設于陽極遠離襯底基板的一側，包括本體部和開口部，開口部與陽極一一對應，...
  • 本申請公開了一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法，顯示面板包括基板、隔離結構和觸控層。隔離結構設置于基板上并圍合形成多個隔離開口，用于將發(fā)光層進行隔斷形成相互斷開的發(fā)光單元。隔離結構上開設有透光開口，能夠提高顯示面板的透過率。觸控層位...
  • 本發(fā)明提出了一種顯示面板及顯示裝置，所述顯示面板包括基底和多個發(fā)光單元；介質層，所述介質層設置在所述發(fā)光單元遠離所述基底的一側，所述介質層包括靠近所述發(fā)光單元的第一表面和遠離所述發(fā)光單元的第二表面，所述第一表面與所述基底所在的平面平行，在沿...
  • 本申請公開了一種光電器件及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域。光電器件包括依次層疊設置的第一電極、活性層、穩(wěn)壓層和第二電極；穩(wěn)壓層包括載流子功能單元以及穩(wěn)壓單元，穩(wěn)壓單元包括沿活性層至第二電極方向依次層疊設置的第一導電板、介質膜和第二導...
  • 本申請公開了一種薄膜及其制備方法、光電器件及顯示裝置，涉及顯示技術領域。薄膜的材料包括第一量子點材料和第二量子點材料，第一量子點材料包括第一量子點和結合在第一量子點表面的路易斯酸配體，第二量子點材料包括第二量子點和結合在第二量子點表面的路易...
  • 本申請公開了一種發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置，所述發(fā)光器件包括依次層疊的陰極、發(fā)光層、光轉換層和陽極，光轉換層中包括光轉換材料和吸電子材料，所述吸電子材料包括具有吸電子基團的芳香化合物。所述光轉換層中包括所述光轉換材料和吸電子材料，一方面...
  • 本申請實施例提供一種LED顯示屏，包括基板、封裝層和非透光層。其中，封裝層覆蓋于基板上的多個發(fā)光元件，且封裝層的頂面設置有多個第一溝槽，非透光層形成于多個第一溝槽內，并且在第一溝槽內形成第二溝槽，使非透光層阻隔于多個發(fā)光元件之間，增加封裝產...
  • 本發(fā)明公開了一種RC?IGBT器件及其制備方法，包括：n?fs層采用局部摻雜的形式設置在集電極側；p浮置區(qū)設置在集電極側的n+短路區(qū)的上方；淺溝槽介質隔離區(qū)設置在集電極側的p+集電區(qū)與n...
  • 本申請實施例提供了一種存儲陣列及其制備方法、電子設備，涉及存儲技術領域。該存儲陣列包括鐵電層、第一電極層、第二電極層和至少一個功能層。第一電極層和第二電極層分設于鐵電層的兩側。至少一個功能層嵌設在第一電極層和/或第二電極層中中，且至少一個功...
  • 本公開提供了一種半導體器件及其制備方法、存儲系統(tǒng)、電子設備，涉及半導體芯片技術領域，旨在解決半導體器件穩(wěn)定性較差的問題。所述半導體器件包括：存儲堆疊結構和溝道接觸部。存儲堆疊結構包括疊層結構和多個溝道結構，多個溝道結構沿疊層結構的層疊方向貫...
  • 本申請實施例提供了一種半導體結構及其制備方法、存儲系統(tǒng)，旨在減小相鄰兩個導線之間的漏電。本申請實施例提供的半導體結構中，位線層通過布線層中的導線與外圍電路層連接，位線層包括第一位線和第二位線，而第一位線中第一子位線和第二子位線之間的第一間隔...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N能源管理系統(tǒng)及其控制方法和控制裝置，能夠實現(xiàn)逆變器與電池的聯(lián)動控溫，有利于提高能源利用率。能源管理系統(tǒng)包括：電池；逆變器，逆變器設置成與電池聯(lián)動控溫；和換熱裝置，包括制熱流路、制冷流路、第一余熱流路和控制閥組件，制熱流路設置...
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