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  • 本發(fā)明實施例提供了一種N型TOPCon電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實施例所提供的N型TOPCon電池的制備方法中，在硼擴散及激光摻雜后，采用氧氣和水蒸汽的混合氣體對硅片進行氧化，增加了氧化速率，可以有效降低工藝溫度和時間，不僅使得硅片表面...
  • 本申請?zhí)峁┮环N顯示面板和顯示裝置，顯示面板包括陣列基板和設(shè)置于陣列基板上的多個發(fā)光單元和多個阻擋件，多個發(fā)光單元間隔設(shè)置，每相鄰兩個發(fā)光單元之間設(shè)置有遮光層；多個發(fā)光單元與多個阻擋件一一對應(yīng)地設(shè)置，阻擋件位于發(fā)光單元和遮光層背離陣列基板的一...
  • 本申請公開了一種發(fā)光組件及其制備方法、顯示面板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光組件包括基底，驅(qū)動單元，發(fā)光單元以及封裝結(jié)構(gòu)。基底的目標(biāo)區(qū)域包圍驅(qū)動單元在基底上的正投影以及發(fā)光單元在基底上的正投影。封裝結(jié)構(gòu)的第一部分和發(fā)光單元遠離基底的一側(cè)連接，第...
  • 本申請實施例提供一種顯示面板及電子設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。在顯示面板中，隔離結(jié)構(gòu)在第一顯示區(qū)形成第一隔離開口和第二隔離開口，對光線有阻擋作用的子像素器件只設(shè)置在第二隔離開口內(nèi)，第一隔離開口內(nèi)不設(shè)置透光率較差的子像素器件，相對于第二隔離開口，...
  • 本申請實施例提供一種顯示面板及電子設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。隔離結(jié)構(gòu)在第一顯示區(qū)包括第一隔離開口和第二隔離開口，對光線有阻擋作用的子像素器件只設(shè)置在第二隔離開口內(nèi)，相對于第二隔離開口，第一隔離開口具有更強的光透過率，如此可以提升第一顯示區(qū)的光...
  • 本申請涉及一種測試系統(tǒng)及測試方法，涉及測試技術(shù)領(lǐng)域，其中方法包括：獲取測試工況信息；將測試工況信息通過預(yù)設(shè)工具生成測試用例；基于測試用例調(diào)用Lauterbach仿真器的用于實現(xiàn)邊界掃描測試的API接口，讀取被測設(shè)備相關(guān)的芯片引腳和上位機模塊...
  • 本公開實施例提供了一種應(yīng)用程序的劣化檢測方法、裝置、電子設(shè)備以及存儲介質(zhì)。所述方法包括：確定目標(biāo)應(yīng)用程序運行時的目標(biāo)運行狀態(tài)信息，所述目標(biāo)運行狀態(tài)信息用于指示在不同檢測階段目標(biāo)應(yīng)用程序進行函數(shù)調(diào)用時的CPU耗時、函數(shù)調(diào)用次數(shù)以及目標(biāo)應(yīng)用程序...
  • 本申請公開了一種基于多輪對話的評測方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，屬于人工智能領(lǐng)域。該方法包括：獲取大語言模型的多輪對話文本；多輪對話文本中的每輪對話文本包括提問文本和回答文本，提問文本是輸入至大語言模型的文本，回答文本是大語言模型基于提問文本...
  • 本申請公開了一種隨機接入方法、裝置、終端及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備，屬于通信技術(shù)領(lǐng)域，本申請實施例的隨機接入方法，包括：終端接收網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備發(fā)送的目標(biāo)消息，所述目標(biāo)消息攜帶物理隨機接入信道傳輸機會RO調(diào)度信息；所述終端基于所述RO調(diào)度信息確定目標(biāo)RO，并基...
  • 本發(fā)明提供一種MOS器件的制作方法，該方法依次形成第一氧化硅側(cè)墻、犧牲側(cè)墻及第二氧化硅側(cè)墻于柵極結(jié)構(gòu)的Y方向兩側(cè)，犧牲側(cè)墻的頂面低于第一氧化硅側(cè)墻的頂面，第二氧化硅側(cè)墻的頂端與第二氧化硅側(cè)墻的頂端相接，后續(xù)通過去除位于柵極結(jié)構(gòu)的X方向兩端的...
  • 本申請涉及垂直式半導(dǎo)體器件及其制造方法。垂直式半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體材料層；第一屏蔽結(jié)構(gòu)，位于半導(dǎo)體材料層，包括第一屏蔽介電層，以及被第一屏蔽介電層圍繞的第一屏蔽電極；第一摻雜區(qū)，位于半導(dǎo)體材料層，第一摻雜區(qū)具有第一導(dǎo)電型；以及第一柵極結(jié)構(gòu)...
  • 一種電連接器的直角的公端子具有壓配在一起以形成一過盈配合的分體的第一、第二插針。一個插針具有一無螺紋插口而另一個插針具有對接突部。一個插針的對接突部通過一過盈配合連結(jié)于另一個插針的一插口，且兩插針的軸向中心線垂直。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)化平直度和孔的真...
  • 本申請?zhí)峁┝吮４嬉骸⒈４娣椒ㄒ约皼]食子酸烷基酯在保存液中的應(yīng)用。保存液成分中包含膠體物質(zhì)和沒食子酸烷基酯，所述保存液中所述沒食子酸烷基酯的濃度為0.1μmol/L～299μmol/L。該保存液可以用于保存細胞、組織、器官，能夠使細胞、組織、...
  • 本發(fā)明提供一種程序調(diào)試方法、系統(tǒng)、存儲介質(zhì)及設(shè)備，該方法包括如下步驟：將調(diào)試插件導(dǎo)入所述編程工具以獲取所述編程工具的編譯環(huán)境信息；解析所述編譯環(huán)境信息并提取出所述編程工具中的程序信息；基于所述程序信息生成調(diào)試工程；通過所述編程工具將所述調(diào)試...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N信息處理方法、系統(tǒng)、設(shè)備及介質(zhì)，應(yīng)用于數(shù)字助手的服務(wù)端，該方法包括：接收數(shù)字助手的客戶端發(fā)送的與第一任務(wù)主題關(guān)聯(lián)的第一請求；根據(jù)第一請求，確定第一任務(wù)主題的元信息，其中，第一任務(wù)主題的元信息存儲在數(shù)字助手的服務(wù)端中；根據(jù)第一...
  • 本發(fā)明提供一種鈷硅化物的制造方法及半導(dǎo)體器件的制造方法，在對沉積有金屬鈷的硅襯底進行第一溫度下的快速熱處理并去除未反應(yīng)的鈷以及進行第二溫度下的快速熱處理之后，沉積至少一層介電材料層，并在部分層或全部層的所述介電材料層沉積完成之后的任意合適節(jié)...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，該方法基于同一光罩形成中壓區(qū)N阱及高壓區(qū)N型調(diào)節(jié)區(qū)于半導(dǎo)體層中，其中，中壓區(qū)N阱位于中壓器件區(qū)域，高壓區(qū)N型調(diào)節(jié)區(qū)位于第一N型漂移區(qū)中并位于高壓區(qū)柵介質(zhì)層遠離第二N型漂移區(qū)的一側(cè)，高壓區(qū)N型調(diào)節(jié)區(qū)的底面...
  • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。所述制造方法中，利用對器件區(qū)進行的第一導(dǎo)電類型離子注入在各多晶硅電阻內(nèi)形成相同摻雜劑量的第一導(dǎo)電類型離子，并利用對器件區(qū)進行的第二導(dǎo)電類型離子注入在各多晶硅電阻內(nèi)形成不同摻雜劑量的第二導(dǎo)電類型離子，經(jīng)過...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，將現(xiàn)有技術(shù)中在形成PMOS區(qū)的鍺硅源漏之后打開NMOS區(qū)的第二硬掩膜層的步驟，調(diào)整到用于形成PMOS區(qū)的鍺硅源漏的光刻工藝之前，并采用化學(xué)機械拋光CMP的方法一道去除NMOS區(qū)和PMOS區(qū)的柵極頂部上的第...
  • 一種用于以開環(huán)和閉環(huán)控制動力工具、特別是手持式動力工具的方法，該動力工具包括動力工具殼體、控制單元、驅(qū)動裝置、工具配件、以及輸出裝置，該方法步驟為：?經(jīng)由至少一個加速度傳感器檢測至少一個加速度值；?如果檢測到的加速度值達到保存在存儲器裝置中...
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