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  • 本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，具體公開一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管電容及制造方法，該電容包括依次排布的犧牲介質(zhì)層、下極板層、電容介質(zhì)層和上極板層；所述犧牲介質(zhì)層的一面設(shè)置于異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的器件面上，另一面設(shè)置有多個凹槽；所述下極板層、電容介質(zhì)層和上...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环NIBC電池串串接方法，包括：獲取構(gòu)成IBC電池串的N+1個焊帶組；將N個IBC電池片背面朝上鋪放至焊接輸送裝置上；將N+1個焊帶組、N個膠膜片按照IBC電池串的預(yù)定疊放規(guī)則疊放至N個IBC電池片上，使得各膠膜片將對應(yīng)的焊帶組...
  • 本申請公開了一種太陽能電池制備方法及太陽能電池，包括以下步驟：提供制絨后的N型原料硅片；將所述制絨后的N型原料硅片裝入石英玻璃；通源溫度上升過程分為四個升溫階段，且設(shè)置每個升溫階段的加熱絲加熱總功率的百分比以及升溫速率，對所述N型原料硅片進...
  • 公開基于二維圖像的手術(shù)計劃方法以及系統(tǒng)。計劃方法包括：從脊椎手術(shù)部位獲得第一圖像和第二圖像的步驟；定義虛擬三維手術(shù)空間并對第一圖像和第二圖像進行配準的步驟；從第一圖像提取第一脊椎骨區(qū)域和第一椎弓根區(qū)域，并從所述第二圖像提取第二脊椎體區(qū)域和第...
  • 本發(fā)明涉及一種用于離合器(2)的具有致動方向(3)的調(diào)節(jié)裝置(1)并且涉及包括該調(diào)節(jié)裝置(1)的離合器(2)。本發(fā)明還涉及一種用于調(diào)節(jié)裝置(1)的推動元件(4)，所述推動元件在相對于所述致動方向(3)的橫向方向(5)上具有至少兩個驅(qū)動斜坡(...
  • 本公開的各個方面涉及支持定時對準獲取的方法、裝置和系統(tǒng)。例如，實現(xiàn)提供了針對早期獲取早期定時對準信息(例如，在切換發(fā)生之前)的UE能力信令和對應(yīng)的網(wǎng)絡(luò)行為。此外，實現(xiàn)提供了用于UE連接性重建的上行鏈路同步過程。
  • 本發(fā)明提供了一種電氣裝置，該電氣裝置包括：至少第一組件和第二組件，以及第一組件和第二組件之間的接口，其中該裝置進一步包括：(a)在接口處的ta?C涂層，用于密封接口，以防止流體的進入和/或逸出，或者(b)在接口處的墊圈，其中該墊圈包括ta?...
  • 本申請?zhí)峁┮环N加熱爐出爐輥道能量回收系統(tǒng)，包括振動能量回收裝置和熱量回收裝置。振動能量回收裝置包括支撐部、傳動部和回收電機，支撐部支撐出爐輥道的輥子并能隨輥子的上下振動而上下移動，傳動部連接支撐部和回收電機的輸入軸，傳動部能將支撐部的上下移...
  • 本申請實施例提供一種移動設(shè)備控制方法、裝置及電子設(shè)備。所述移動設(shè)備上包括太陽能電池板，該方法包括：獲取所述太陽能電池板上的光照強度值，若所述太陽能電池板上存在至少兩個不同光照強度值的區(qū)域，則根據(jù)所述光照強度值確定目標移動方向，控制所述移動設(shè)...
  • 本公開涉及一種問題模塊定位方法、裝置、電子設(shè)備、存儲介質(zhì)及車輛。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本公開通過響應(yīng)于第一用戶輸入異常問題的操作，獲取到當前異常問題，不需要人工識別問題，節(jié)省人力資源，進一步將所述當前異常問題與數(shù)據(jù)庫中各個模塊對應(yīng)的問題進行匹配，...
  • 本說明書實施例提供對話處理、文本生成以及目標對話模型訓(xùn)練方法，其中對話處理方法包括：獲取對話文本和對話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)，其中，對話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)與對話文本的模態(tài)不同；將對話文本和對話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)輸入目標對話模型，獲得對話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一模態(tài)特征和對話文本對...
  • 本發(fā)明實施例公開了一種基于深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的巖石力學(xué)參數(shù)自動計算方法，包括如下步驟：步驟100、通過現(xiàn)代成像技術(shù)獲取巖石表面的細觀結(jié)構(gòu)圖像，并對圖像進行預(yù)處理；步驟200、利用U?Net深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對預(yù)處理后的圖像進行訓(xùn)練和預(yù)測，并對圖...
  • 本申請實施例提供了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池單體、電池和用電裝置。該正極活性材料包括Li1?xNaxNiaM1b...
  • 本申請公開了一種正極材料及其制備方法、正極，鈉電池和用電裝置。正極材料包括化學(xué)式NaaNibFecMndMeOf
  • 本發(fā)明涉及一種溝槽型肖特基勢壘二極管及其制造方法，所述溝槽型肖特基勢壘二極管包括：襯底，具有第一導(dǎo)電類型；第一導(dǎo)電類型層，位于所述襯底上，所述第一導(dǎo)電類型層的摻雜濃度小于所述襯底的摻雜濃度；溝槽結(jié)構(gòu)，從所述第一導(dǎo)電類型層的第一表面向所述襯底...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供襯底，襯底包括若干器件區(qū)、以及位于相鄰器件區(qū)之間的間隔區(qū)；在器件區(qū)上形成若干器件鰭部；在間隔區(qū)上形成若干輔助鰭部；在器件區(qū)上形成柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)橫跨器件鰭部；以柵極結(jié)構(gòu)為掩膜刻...
  • 本公開提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件具有有源區(qū)和圍繞有源區(qū)的終端區(qū)且包括：基區(qū)，其位于有源區(qū)且位于第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底的第二面；多個環(huán)狀子區(qū)域，其位于終端區(qū)且位于襯底的第二面，且彼此間隔開；絕緣層，其位于終端區(qū)且位于多個環(huán)狀...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS區(qū)與PMOS區(qū)的襯底，襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)、硬掩膜層、第一側(cè)墻以及第一保護層或第二側(cè)墻，NMOS區(qū)內(nèi)的硬掩膜層的厚度大于PMOS區(qū)內(nèi)的硬掩膜層的厚度；形成覆蓋襯底的填充層；...
  • 本發(fā)明提供一種太陽能電池的局部鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，在太陽能電池需要制備局部鈍化接觸結(jié)構(gòu)的一面，先制備一層鈍化層，然后在鈍化層上貼合具備鏤空區(qū)域的掩膜；鏤空區(qū)域的形狀對應(yīng)電池片局部鈍化接觸電極區(qū)域或非局部鈍化接觸電極區(qū)域；掩膜由激光進行圖...
  • 本發(fā)明涉及一種氣溶膠產(chǎn)生裝置（100），包括：縱向加熱腔體（10），該縱向加熱腔體由側(cè)向壁（12）界定，加熱腔體（10）在一個上端（10a）處設(shè)置有開口（14），并且適于接納穿過所述開口（14）插入的氣溶膠產(chǎn)生制品的至少一部分；以及加熱系統(tǒng)...
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