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最新專利技術(shù)
  • 一種生產(chǎn)流程歸類方法及系統(tǒng)、存儲介質(zhì)及終端，其中方法包括：獲取若干生產(chǎn)流程的流程文本數(shù)據(jù)，每個生產(chǎn)流程包括若干生產(chǎn)步驟，流程文本數(shù)據(jù)包括每個生產(chǎn)步驟的步驟文本數(shù)據(jù)；建立空間向量模型，空間向量模型包括n維度的特征參數(shù)，每個維度的特征參數(shù)由數(shù)字...
  • 本申請屬于智能家電技術(shù)領(lǐng)域，提供一種參數(shù)校驗方法、裝置、設(shè)備和計算機存儲介質(zhì)。獲取家用電器的標準參數(shù)表及標準參數(shù)表轉(zhuǎn)化得到的初版標準代碼，隨后，獲取功能優(yōu)化信息并根據(jù)所述功能優(yōu)化信息修改電腦板中的初版標準代碼，得到優(yōu)化標準代碼；控制所述家用...
  • 本發(fā)明公開了一種程序調(diào)試的方法和裝置，涉及軟件測試技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實施方式包括：響應于接收到程序的本地調(diào)試請求，從預先錄制的數(shù)據(jù)文件中獲取所述程序?qū)木€上錄制數(shù)據(jù)；通過對所述線上錄制數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)回放處理來運行所述程序，以便進行所述程...
  • 本申請?zhí)峁┮环N控制方法及裝置，控制方法包括：根據(jù)可移動平臺移動作業(yè)的路徑信息生成初始作業(yè)軌跡；獲取所述可移動平臺移動作業(yè)的過程中多個作業(yè)模塊的作業(yè)狀態(tài)信息；將多個所述作業(yè)模塊的所述作業(yè)狀態(tài)信息疊加于所述初始作業(yè)軌跡，用以對多個所述作業(yè)模塊在...
  • 本發(fā)明公開了一種紡織品水溶液中纖維微塑料的顯微鏡測定方法，涉及環(huán)境污染物檢測技術(shù)領(lǐng)域，包括：采集水樣；配制尼羅紅染色液；將配制好的尼羅紅染色液加入水樣對其進行熒光染色；用放置了玻璃纖維濾膜的微量玻璃抽濾裝置對熒光染色后水樣進行過濾；用丙酮溶...
  • 本發(fā)明涉及催化劑領(lǐng)域及高分子材料回收利用領(lǐng)域，公開了一種復合分子篩催化劑及其制備方法以及在廢塑料直接催化裂解制低碳烯烴反應中的應用。該復合分子篩催化劑包括SSZ?13分子篩、類球形超大孔介孔分子篩和金屬氧化物，類球形超大孔介孔分子篩的比表面...
  • 本申請?zhí)峁┮环N顯示裝置，包括驅(qū)動基板、第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元。第一發(fā)光單元鍵合在驅(qū)動基板的一側(cè)且包括第一陽極、第一發(fā)光層、第一陰極和連接第一陽極的第一接觸孔，第二發(fā)光單元鍵合在第一發(fā)光單元背離驅(qū)動基板的一側(cè)且包括第二陽極、...
  • 本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件，發(fā)光器件的制備方法包括：提供襯底，襯底包括相對的正面和背面；圖形化處理襯底的正面，形成凸起部和凹槽；在凸起部和/或凹槽生長半導體外延層，并在生長半導體外延層過程中摻雜第一元素，以形成多個第一發(fā)光...
  • 本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件，發(fā)光器件的制備方法包括：提供襯底；于襯底的正面形成第一掩膜層，并圖形化處理第一掩膜層，以在第一掩膜層中形成多個正面掩膜開口；基于圖形化處理后的第一掩膜層，在襯底的正面生長半導體外延層，并在生長半...
  • 本發(fā)明公開了一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管注入結(jié)構(gòu)及應用。本發(fā)明提供的注入結(jié)構(gòu)為周期性結(jié)構(gòu)，每個周期結(jié)構(gòu)包括如下組成：Al組分占比漸變的p?AlmGa1?mN層；每個周期結(jié)構(gòu)中，Al組分占比m沿...
  • 本申請?zhí)峁┮环N光電探測器及其制備方法。該光電探測器包括：第一光波導，其設(shè)置于襯底的表面，沿第一方向延伸；第一摻雜區(qū)，其具有第一摻雜類型，在第二方向上位于該第一光波導的一側(cè)；以及第二摻雜區(qū)，其具有不同于該第一摻雜類型的第二摻雜類型，在該第二方...
  • 本發(fā)明公開一種薄膜晶體管基板及包括其的電子裝置，其中該薄膜晶體管基板包括：基板、設(shè)置在基板上的第一金屬層、設(shè)置在第一金屬層上的第二金屬層、設(shè)置在基板與第一金屬層之間的半導體、以及設(shè)置于第一金屬層與第二金屬層之間第一絕緣層。第一金屬層包括柵極...
  • 本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法、電子設(shè)備。半導體結(jié)構(gòu)的制造方法包括：提供襯底；于襯底上形成第一垂直晶體管；于第一垂直晶體管上沉積一層或多層層間絕緣介質(zhì)材料層，對一層或多層層間絕緣介質(zhì)材料層進行等離子體處理，以形成一層或多層層間絕緣介質(zhì)...
  • 本發(fā)明公開了一種溝槽結(jié)構(gòu)的制造方法，該溝槽結(jié)構(gòu)的制造方法包括提供一待處理的半導體基底，該半導體基底包括半導體襯底以及間隔形成于半導體襯底的表面的上方的柵極結(jié)構(gòu)，相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的半導體襯底中形成有溝槽結(jié)構(gòu)，通入六氟化硫等離子體對溝槽結(jié)構(gòu)進行...
  • 本發(fā)明公開了一種半導體裝置及其制造方法，該半導體裝置包括一基底，具有一第一表面和一第二表面；一閘極接墊和一源極接墊，彼此側(cè)向分離，均設(shè)置于基底的第一表面之上；一汲極區(qū)，設(shè)置于基底的第二表面；一第一溝槽，設(shè)置于基底中，位于閘極接墊的正下方；一...
  • 本公開涉及一種表面硒摻雜的高鎳三元材料及其制備方法和應用，所述表面硒摻雜的高鎳三元材料包含化學式為LiNixCoyMnzO2?pSep
  • 本申請?zhí)峁┮环N顯示背板、背板制作方法及顯示設(shè)備。該顯示背板包括：基板；多顆IC，多顆所述IC間隔排列在所述基板上，每一所述IC的引腳背向所述基板；顯示層，所述顯示層設(shè)于所述IC上，所述顯示層包括多顆LED，至少一顆所述LED與一顆所述IC通...
  • 本發(fā)明涉及一種鍵合結(jié)構(gòu)及其制備方法、發(fā)光組件及其制作方法。該鍵合結(jié)構(gòu)制備方法包括：提供一生長襯底；其中，所述生長襯底上外延生長有預設(shè)厚度的犧牲層；對所述犧牲層進行圖案化處理，以使所述生長襯底的部分表面露出；于所述生長襯底露出的表面和所述犧牲...
  • 本申請實施例提供一種確定傷情等級的方法、裝置、計算機設(shè)備及存儲介質(zhì)，其中，確定傷情等級的方法包括：獲取傷員的生命體征數(shù)據(jù)和傷情信息；所述傷情信息用于描述所述傷員的傷情；基于所述生命體征數(shù)據(jù)和所述傷情信息，生成傷情文本；利用預訓練的檢傷分類模...
  • 本發(fā)明提供了一種測試數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備，基于預設(shè)查詢語句和預設(shè)配置信息，從服務平臺獲取目標需求的需求信息；對獲取的全部需求信息進行分析統(tǒng)計，得到多個維度的統(tǒng)計信息；基于預設(shè)配置信息、獲取的全部需求信息以及多個維度的統(tǒng)計信息，生成包...
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