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  • 本發(fā)明涉及軸承座葉片裝配領(lǐng)域，尤其涉及一種空氣壓縮機軸承座葉片的裝配工藝方法，所述空氣壓縮機軸承座葉片的裝配工藝方法包括軸承座、工裝和葉片，軸承座包括工裝平面、半圓環(huán)內(nèi)口線、錐筒體外口線、中分面板下口線和錐筒體表面，工裝包括圓內(nèi)口線和圓下口...
  • 本發(fā)明屬于冶金電極材料領(lǐng)域，尤其涉及一種鋰電池正極材料摻鎳錳二元方法。包括以下步驟：(1)將鉬酸鋰與前驅(qū)體及鋰源進行混合，混合過程需加入水，得到含水質(zhì)量分數(shù)為1％?5％的含水濕料；(2)將含水濕料經(jīng)過后續(xù)的高溫燒結(jié)，冷卻后經(jīng)粉碎、過篩得到摻...
  • 光源模組、照明系統(tǒng)和燈具，光源模組包括彼此電性獨立的第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元、第三發(fā)光單元、第四發(fā)光單元，各發(fā)光單元發(fā)出的光混合后形成白光。通過對于發(fā)光單元的光色及光譜特征的選擇，此光源模組獲得的白光色溫覆蓋范圍廣，色偏差Duv值小于0....
  • 光源模組、照明系統(tǒng)及燈具，其中光源模組包括彼此電性獨立且發(fā)光光色不同的第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元、第三發(fā)光單元、第四發(fā)光單元，光源模組通過對其中單色發(fā)光單元光色的優(yōu)選，從而使得混光獲得的白光色溫覆蓋范圍廣，涵蓋范圍從1800K至20000K...
  • 光源模組、照明系統(tǒng)和燈具，光源模組包括彼此電性獨立的第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元、第三發(fā)光單元，各發(fā)光單元發(fā)出的光混合后形成白光。通過對于發(fā)光單元的光色及光譜特征的選擇，此光源模組獲得的白光色溫覆蓋范圍廣，色偏差Duv值小于0.003，從而改...
  • 本公開提供了一種低代碼開發(fā)方法、裝置、電子設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及生成式模型、大語言模型、低代碼技術(shù)等人工智能技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取輸入的作為構(gòu)成期望開發(fā)結(jié)果的前端界面的界面描述信息；將界面描述信息輸入預設(shè)的第一生成式大語言模型，...
  • 本申請公開了一種智能對話方法、裝置、設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及人機交互領(lǐng)域。該方法包括：顯示對話框界面；接收在對話框界面中的文本輸入操作，文本輸入操作用于獲取第一提問文本；基于文本輸入操作，顯示針對第一提問文本的第一解答文本，以及，顯示...
  • 本申請公開了一種文本處理模型訓練、文本處理方法、裝置及電子設(shè)備，涉及自然語言處理技術(shù)領(lǐng)域，包括：獲取多個樣本會話數(shù)據(jù)；將預設(shè)改寫指令數(shù)據(jù)、預設(shè)改寫示例數(shù)據(jù)和每個樣本會話數(shù)據(jù)輸入第一文本處理模型，基于預設(shè)改寫指令數(shù)據(jù)和預設(shè)改寫示例數(shù)據(jù)，對每個...
  • 本申請公開了一種文本處理方法、裝置、系統(tǒng)和計算機可讀存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取待處理文本；基于分類模型對所述待處理文本進行分類，得到預處理文本；基于優(yōu)化模型對所述預處理文本進行優(yōu)化，得到目標文本。通過分類模型確定所述待處理文本中的預處理文本...
  • 本發(fā)明公開了一種診療事件知識圖譜的構(gòu)建方法、裝置及其電子設(shè)備，涉及人工智能領(lǐng)域、醫(yī)學文本理解領(lǐng)域或其他相關(guān)領(lǐng)域，其中，該方法包括：獲取待處理的診療文本，采用事件本體模型提取所述診療文本中的事件類型，并采用元素抽取模型對所述事件類型下包含的診...
  • 本申請公開了信息生成方法和裝置，涉及大模型技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實施方式包括：獲取用戶的問詢語句；基于問詢語句和預訓練的大模型的第一指定結(jié)構(gòu)，得到第一狀態(tài)向量，并將第一狀態(tài)向量發(fā)送至服務器，以使服務器基于第一狀態(tài)向量和第二指定結(jié)構(gòu)生成處理...
  • 本發(fā)明提供了一種相摻雜的鈷酸鋰正極材料及其制備方法與鋰離子電池，所述鈷酸鋰正極材料包括鈷酸鋰及所述鈷酸鋰的晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)部的摻雜相，所述摻雜相包括Li2Co[M2]3O8、Li<...
  • 本申請公開了一種輕質(zhì)光伏組件、加工裝置及光伏建筑，屬于太陽能電池領(lǐng)域。該輕質(zhì)光伏組件包括：邊框、電池片以及瓦楞金屬板；電池片安裝于邊框中，且電池片具有受光面以及背光面，受光面與背光面位置相對，瓦楞金屬板連接于背光面，瓦楞金屬板用于增加電池片...
  • 本申請公開了一種芯片、制備方法及電子設(shè)備，包括襯底及垂直傳輸場效應晶體管，垂直傳輸場效應晶體管中，垂直溝道結(jié)構(gòu)包括沿垂直方向依次設(shè)置的第一源漏擴展區(qū)、溝道區(qū)及第二源漏擴展區(qū)，堆疊結(jié)構(gòu)包括沿垂直方向依次設(shè)置的第一側(cè)墻隔離層、柵極結(jié)構(gòu)及第二側(cè)墻...
  • 本發(fā)明提供一種半導體結(jié)構(gòu)及其制作方法，該方法基于高壓器件第一導電類型輕摻雜源漏光罩形成第一導電類型摻雜區(qū)于P型半導體層中，其中，該光罩在本征器件區(qū)域增設(shè)有窗口，形成的第一導電類型摻雜區(qū)包括位于高壓器件區(qū)域的第一導電類型輕摻雜源漏區(qū)與位于本征...
  • 一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供襯底和位于襯底上的鰭部結(jié)構(gòu)，襯底包括沿鰭部結(jié)構(gòu)延伸方向排列的器件區(qū)和隔離區(qū)，鰭部結(jié)構(gòu)內(nèi)具有第一離子；形成橫跨鰭部結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)和位于襯底上的介質(zhì)結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)位于介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)；去除隔離區(qū)上的介質(zhì)結(jié)構(gòu)以...
  • 本申請涉及溝槽型半導體功率器件。溝槽型半導體功率器件包括：襯底；外延層，位于襯底上；體摻雜區(qū)，位于外延層中；源極摻雜區(qū)，位于體摻雜區(qū)中；溝槽結(jié)構(gòu)，在從源極摻雜區(qū)往襯底延伸的第一方向上具有第一深度，并包括沿第二方向延伸的第一半導體層。第一半導...
  • 本發(fā)明實施例提供了一種N型TOPCon電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實施例所提供的N型TOPCon電池的制備方法中，在硼擴散及激光摻雜后，采用氧氣和水蒸汽的混合氣體對硅片進行氧化，增加了氧化速率，可以有效降低工藝溫度和時間，不僅使得硅片表面...
  • 本申請?zhí)峁┮环N顯示面板和顯示裝置，顯示面板包括陣列基板和設(shè)置于陣列基板上的多個發(fā)光單元和多個阻擋件，多個發(fā)光單元間隔設(shè)置，每相鄰兩個發(fā)光單元之間設(shè)置有遮光層；多個發(fā)光單元與多個阻擋件一一對應地設(shè)置，阻擋件位于發(fā)光單元和遮光層背離陣列基板的一...
  • 本申請公開了一種發(fā)光組件及其制備方法、顯示面板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光組件包括基底，驅(qū)動單元，發(fā)光單元以及封裝結(jié)構(gòu)。基底的目標區(qū)域包圍驅(qū)動單元在基底上的正投影以及發(fā)光單元在基底上的正投影。封裝結(jié)構(gòu)的第一部分和發(fā)光單元遠離基底的一側(cè)連接，第...
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