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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明提供了一種光伏電池和光伏電池制備網(wǎng)版圖形。該光伏電池包括：光伏基板；多個副柵，多個該副柵間隔地橫向布置于該光伏基板；多個主柵，多個該主柵間隔地縱向布置于該光伏基板；多個焊盤，每個該焊盤對應(yīng)一個該主柵，該主柵連接于該焊盤，且該主柵穿過該...
  • 本發(fā)明公開一種降低高度的改良的影像模塊包括有一鏡頭組件、一影像感測芯片、一承載基底、以及一電路基板。電路基板形成一貫穿口。承載基底包含一基底本體、兩個延伸板體及一承載鋼板。基底本體形成貫通的一階梯槽，兩個延伸板體由基底本體的上部橫向向外延伸...
  • 本申請屬于光器件技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種單光子雪崩二極管陣列、接收傳感器及激光雷達(dá)，至少兩個SPAD單元呈陣列設(shè)置，微透鏡將入射光匯聚至對應(yīng)的SPAD單元上，背面金屬網(wǎng)格連接SPAD單元與對應(yīng)的外部電極，第一介質(zhì)層設(shè)置于微透鏡與SPAD單元之間...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，薄膜晶體管包括層疊且通過層間絕緣層絕緣設(shè)置的有源結(jié)構(gòu)和柵極，有源結(jié)構(gòu)包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，源區(qū)和漏區(qū)位于溝道區(qū)的兩側(cè)，在層間絕緣層厚度方向上，柵極的投影與溝道區(qū)的投影交疊設(shè)置；其...
  • 一種陣列基板及顯示裝置。所述陣列基板包括襯底、晶體管、數(shù)據(jù)線以及第一電極；至少一個晶體管包括有源層和柵極，有源層包括溝道區(qū)、第一區(qū)和第二區(qū)，溝道區(qū)與柵極在襯底的正投影交疊；陣列基板還包括柵絕緣層，柵絕緣層位于有源層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，且柵絕緣層...
  • 本發(fā)明公開一種顯示面板，其包括一基板以及一子像素。子像素設(shè)置在基板上。子像素包括一晶體管，且晶體管包括一柵極、一半導(dǎo)體層、一源極、一漏極以及一偽電極。柵極設(shè)置在基板上。半導(dǎo)體層設(shè)置在柵極上。源極和漏極設(shè)置在半導(dǎo)體層上，其中源極設(shè)置在半導(dǎo)體層...
  • 本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜晶體管及顯示面板、顯示裝置，該薄膜晶體管包括：設(shè)置在襯底上的有源層，有源層包括層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、第一阻擋層及第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層位于第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，第一半導(dǎo)體層的遷移率小于第二...
  • 本公開提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的襯底、緩沖層、第一溝道層、刻蝕掩膜層、第一勢壘層、第二溝道層以及第二勢壘層；其中，刻蝕掩膜層為多個條狀結(jié)構(gòu)，相鄰兩個條狀結(jié)構(gòu)之間為條狀凹槽，條狀凹槽的延伸方向為第一方向，條...
  • 本發(fā)明實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、以及檢測方法，形成方法包括：去除偽柵結(jié)構(gòu)的偽柵層后，利用金屬硅化物工藝進(jìn)行偽柵殘留標(biāo)定操作，用于將硅材料轉(zhuǎn)化為金屬硅化物材料。本發(fā)明實施例通過利用金屬硅化物工藝進(jìn)行偽柵殘留標(biāo)定操作，即將硅材料轉(zhuǎn)化...
  • 本發(fā)明提供了一種使用片上全光交換網(wǎng)絡(luò)模塊實現(xiàn)互連的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。所述半導(dǎo)體裝置包括：電路板，其具有多條電連接路徑；片上全光交換網(wǎng)絡(luò)模塊，其設(shè)置在電路板上，所述片上全光交換網(wǎng)絡(luò)模塊包括光子芯片和設(shè)置在光子芯片上方的多個收發(fā)用模擬電芯...
  • 本發(fā)明提出一種電源轉(zhuǎn)換器的控制器。所述控制器耦接至功率輸出級，并提供控制信號至功率輸出級以產(chǎn)生輸出電壓。所述控制器包括模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、查找電路、補(bǔ)償電路和脈沖寬度調(diào)變電路。模數(shù)轉(zhuǎn)換電路耦接至功率輸出級，用以經(jīng)由與輸出電壓相關(guān)的反饋電壓以及參考...
  • 本發(fā)明涉及一種鎳鈷鋁酸鋰材料的制備方法，其包括：將三元前驅(qū)體與第一鋰源混合并進(jìn)行第一燒結(jié)，制備得到第一鋰化產(chǎn)物；對所述第一鋰化產(chǎn)物進(jìn)行包覆后，與第二鋰源混合并進(jìn)行第二燒結(jié)，制備得到所述鎳鈷鋁酸鋰材料。通過應(yīng)用該制備方法，有助于改善鎳鈷鋁酸鋰...
  • 本申請實施例提供的一種功率放大器、射頻模組和電子設(shè)備。功率放大器包括信號輸入端、信號輸出端和并聯(lián)連接的多個管芯；管芯包括沿第一方向延伸的電極指條，電極指條包括柵極指條、源極指條和漏極指條；在第二方向上，信號輸入端和信號輸出端分別位于多個管芯...
  • 本發(fā)明提供了一種高阻電阻結(jié)構(gòu)及其設(shè)計方法，包括：提供偽多晶硅層的初始版圖數(shù)據(jù)；根據(jù)偽多晶硅層生成對應(yīng)的金屬高阻層，且金屬高阻層位于覆蓋偽多晶硅層的絕緣介質(zhì)層上；篩選金屬高阻層中版圖面積大于或等于預(yù)設(shè)數(shù)值的金屬電阻作為第一金屬電阻，并將第一金...
  • 本發(fā)明涉及一種碳化硅襯底上的氧化層的形成方法及碳化硅器件，所述方法包括：獲取表面形成有厚度不小于厚度閾值的加工氧化層的陪片；將裝載有碳化硅晶圓正片和所述陪片的晶圓承載介質(zhì)置于第一氧化設(shè)備中進(jìn)行氧化，使所述碳化硅晶圓正片的碳化硅襯底上形成目標(biāo)...
  • 本發(fā)明提供一種移位寄存器單元、顯示基板和顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，用于調(diào)整薄膜晶體管的特性，使移位寄存器單元能夠輸出穩(wěn)定的柵極驅(qū)動信號，從而保證顯示產(chǎn)品的顯示質(zhì)量。所述移位寄存器單元包括第一輸出晶體管，柵極驅(qū)動信號輸出端，第一輸出控制節(jié)點...
  • 本發(fā)明提供了一種基于聚類的數(shù)據(jù)流敏感型有狀態(tài)灰盒模糊測試方法。本發(fā)明的主要目的是改善現(xiàn)有灰盒模糊測試方法在對協(xié)議進(jìn)行測試時存在的不充分探索以及不支持對不響應(yīng)狀態(tài)碼協(xié)議模糊測試的問題，提供了一種基于DBSCAN算法的路徑狀態(tài)聚類方法和一種數(shù)據(jù)...
  • 本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種知識圖譜驅(qū)動的水運科研知識服務(wù)方法及系統(tǒng)。該方法包括步驟1：采集水運行業(yè)相關(guān)的水運科研文獻(xiàn)，并進(jìn)行預(yù)處理；步驟2：對預(yù)處理后的水運科研文獻(xiàn)進(jìn)行分詞處理；提取分詞后出現(xiàn)頻率大于設(shè)定值的主題詞，將其與水運...
  • 本申請實施例提供了一種摘要生成方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)，所述方法包括以下步驟：獲取待處理原文本；對所述待處理原文本進(jìn)行預(yù)處理，得到目標(biāo)原文本；通過目標(biāo)摘要模型對所述目標(biāo)原文本進(jìn)行摘要提取，得到所述待處理原文本的目標(biāo)文本摘要。本申請的技術(shù)方...
  • 本公開的實施例提供了用于多模態(tài)數(shù)據(jù)處理的方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。該方法包括：獲取目標(biāo)問題和與目標(biāo)問題關(guān)聯(lián)的目標(biāo)圖像；利用多模態(tài)模型來處理目標(biāo)問題和目標(biāo)圖像，得到多模態(tài)模型的輸出，輸出包括文本部分和針對目標(biāo)圖像的至少一個分割碼本，至少一個分割...
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