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最新專利技術(shù)
  • 本公開提出了一種紫外LED芯片，包括襯底、過渡層、n型氮化鋁鎵層、p型氮化鋁鎵層、氮化鋁鎵量子阱發(fā)光層和電極層。其中，過渡層，形成于襯底之上；n型氮化鋁鎵層，形成于過渡層上的第一區(qū)域，適用于響應(yīng)外加電流產(chǎn)生電子；p型氮化鋁鎵層，形成于過渡層...
  • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及電子裝置，包括半導(dǎo)體器件本體和溝道電極；所述半導(dǎo)體器件本體在工作時形成有分電壓層，所述半導(dǎo)體器件本體包括與所述分電壓層電連接的本體電極，使所述半導(dǎo)體器件本體形成至少兩個端口；所述溝道電極與所述分電壓層相接觸，所述溝...
  • 本發(fā)明涉及一種邏輯門晶體管、新結(jié)構(gòu)邏輯門及其數(shù)據(jù)操作方法，邏輯門晶體管包括：位于半導(dǎo)體層中的柵疊層和至少一個溝道控制區(qū)；其中，所述柵疊層包括柵極電極和柵極電介質(zhì)，所述柵極電極控制所述半導(dǎo)體層，所述柵極電介質(zhì)夾在所述柵極電極和所述半導(dǎo)體層之間...
  • 本發(fā)明涉及一種帶存儲效應(yīng)的晶體管及其半導(dǎo)體器件，所述帶存儲效應(yīng)的晶體管由于在絕緣層或者半導(dǎo)體層添加具有存儲效應(yīng)的材料而使晶體管本身具有存儲效應(yīng)，結(jié)合通過在溝道區(qū)設(shè)置的溝道電極，溝道電極可以和溝道形成結(jié)電容，該晶體管還具有平面晶體管結(jié)構(gòu)和垂直...
  • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)；半導(dǎo)體器件的制造方法包括：在襯底上依次形成第一電極、絕緣層和第二電極的堆疊結(jié)構(gòu)；在所述堆疊結(jié)構(gòu)上形成沿著垂直于所述襯底方向延伸的孔洞，所述孔洞將至少部分所述第一電極和所述第二電極暴露；采...
  • 本發(fā)明公開了一種用于空心杯電機(jī)轉(zhuǎn)子烘烤的自動烘烤設(shè)備，包括隔熱外殼、電加熱裝置和載具輸送機(jī)構(gòu)，電加熱裝置安裝在所述隔熱外殼上，并且所述電加熱裝置包括位于所述隔熱外殼內(nèi)部的電加熱管；載具輸送機(jī)構(gòu)包括電機(jī)和鏈板式輸送帶，所述電機(jī)安裝在所述隔熱外...
  • 本申請公開了一種基于視頻分析的安全預(yù)警方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，涉及計算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取工業(yè)生產(chǎn)現(xiàn)場的多路監(jiān)控視頻；對于每一路監(jiān)控視頻，基于監(jiān)控視頻對應(yīng)的配置參數(shù)，從多個候選的模型中，選擇用于對監(jiān)控視頻進(jìn)行識別的至少一個模型；...
  • 本申請涉及一種產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理方法、裝置、計算機(jī)設(shè)備、存儲介質(zhì)和計算機(jī)程序產(chǎn)品。本申請實(shí)施例可應(yīng)用于車載領(lǐng)域，方法包括：獲取用于描述標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品單元的文本信息；基于文本信息構(gòu)建標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品單元的產(chǎn)品描述語句；通過對比學(xué)習(xí)句嵌入模型提取產(chǎn)品描述語句的...
  • 本申請屬于計算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種代碼測試方法、代碼測試裝置、計算機(jī)可讀介質(zhì)、電子設(shè)備以及計算機(jī)程序產(chǎn)品。該代碼測試方法，包括：獲取與待測試的源代碼相對應(yīng)的替換函數(shù)列表，替換函數(shù)列表用于保存對源代碼中的原始函數(shù)進(jìn)行替換調(diào)用的包裝函數(shù)；根...
  • 本公開提供一種埋點(diǎn)設(shè)置方法、裝置及電子設(shè)備，所述方法的一具體實(shí)施方式包括：獲取為目標(biāo)應(yīng)用程序的目標(biāo)頁面設(shè)置埋點(diǎn)的埋點(diǎn)設(shè)置信息；埋點(diǎn)設(shè)置信息中包括目標(biāo)觸發(fā)操作的信息；基于埋點(diǎn)設(shè)置信息，在目標(biāo)應(yīng)用程序中設(shè)置針對目標(biāo)觸發(fā)操作的目標(biāo)埋點(diǎn)接口，以及設(shè)...
  • 本申請公開了一種飛行器控制方法、裝置以及飛行器，該方法包括：監(jiān)測主驅(qū)電機(jī)的工況情況；根據(jù)主驅(qū)電機(jī)的工況情況，以對應(yīng)的力矩分配控制策略，結(jié)合控制器輸出的期望偏航力矩對主驅(qū)電機(jī)和/或涵道電機(jī)進(jìn)行力矩分配控制。該方案在飛行器正常工況和電機(jī)故障工況...
  • 本發(fā)明提供了一種滑油磨屑在線檢測方法和在線檢測系統(tǒng)，解決虛檢顆粒影響傳感器檢測的有效性的問題。滑油磨屑在線檢測方法包括：從第一金屬屑末檢測裝置獲取原始數(shù)據(jù)和第一顆粒檢測結(jié)果；將所述第一顆粒檢測結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)顆粒檢測結(jié)果作對比，分析出所述第一顆粒...
  • 本發(fā)明提供了一種具有PTC效應(yīng)的聚烯烴組合物及其制備方法和制品，屬于高分子熱敏材料技術(shù)領(lǐng)域，所述組合物包括重量份數(shù)計的如下組分：聚烯烴樹脂100份，炭黑3.0～6.0份，水滑石包覆改性碳納米管2.0～4.0份，增韌劑3.0～5.0份，抗氧劑...
  • 本發(fā)明公開了用于空心杯電機(jī)轉(zhuǎn)子烘烤的自動烘烤設(shè)備的載具輸送機(jī)構(gòu)，包括隔熱外殼、鏈板式輸送帶、載具出入座、電機(jī)和齒輪傳動機(jī)構(gòu)；電機(jī)通過齒輪傳動機(jī)構(gòu)連接鏈板式輸送帶的鏈條；載具出入座有兩個，每個載具出入座上分別設(shè)置有載具出入通道；每個載具出入通...
  • 在現(xiàn)有技術(shù)中，無法獲得一種不使用光刻技術(shù)的半導(dǎo)體制造用導(dǎo)電柱模塊，該半導(dǎo)體制造用導(dǎo)電柱模塊可以用于倒裝芯片封裝的基板的二次布線，或用于在后芯片(RDL優(yōu)先)封裝中形成再配置層(RDL)。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體制造用導(dǎo)電柱模塊前體、半導(dǎo)體或半導(dǎo)...
  • 一種磁性極化金屬及其制備方法和應(yīng)用，所述磁性極化金屬的化學(xué)式為A3B2Oa，A位的主體元素為Sr，B位的主體元素為Co，O為氧元素，a在6至7.3的范圍內(nèi)。本申請實(shí)施例的磁性...
  • 本申請實(shí)施例提供一種顯示面板。該顯示面板包括設(shè)置于硅基電路基板上的發(fā)光器件，發(fā)光器件包括第一發(fā)光器件、第二發(fā)光器件以及第三發(fā)光器件，棱鏡組至少包括第一變向棱鏡、第二變向棱鏡以及聚合棱鏡。不同的棱鏡對應(yīng)設(shè)置在不同色的發(fā)光器件上，且第一變向棱鏡...
  • 一種發(fā)光芯片、顯示裝置和制造方法。發(fā)光芯片包括第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，第一發(fā)光單元被配置為出射第一顏色光；第二發(fā)光單元包括第二發(fā)光層和第一透反層，第一透反層被配置為濾除第一顏色光，使第二發(fā)光單元出射第二顏色光；第三發(fā)光單元...
  • 本發(fā)明提供一種納米隧穿層的制備方法及其應(yīng)用，納米隧穿層的制備方法包括以下步驟：S1、采用具有氧化性的清洗液體對硅片進(jìn)行清洗，產(chǎn)生濕法原生氧化層；S2、將硅片置于管式PECVD的石英舟內(nèi)，通入反應(yīng)氣體進(jìn)行保溫，反應(yīng)氣體為氮?dú)夂脱趸詺怏w的混合...
  • 本發(fā)明公開了一種用于多晶硅刻蝕過程中減少缺陷產(chǎn)生的方法，至少包括：提供襯底；在所述襯底上形成第一介質(zhì)層和多晶硅層；在所述多晶硅層上形成圖形化的第一光阻層；對所述多晶硅層進(jìn)行至少含有F離子的注入；通過N2H2干法刻蝕去除經(jīng)過與F離子反應(yīng)后的第...
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