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  • 本發明為一種轉爐煙氣全干法凈化系統及方法，該轉爐煙氣全干法凈化系統包括：第一煙氣降溫裝置，第一煙氣降溫裝置用于將回收自轉爐的煙氣降溫至第一預設溫度并分離煙氣中的第一雜質；至少一個袋式除塵裝置，袋式除塵裝置的煙氣進口與第一煙氣降溫裝置的煙氣出...
  • 本發明公開了一種汽車座椅橫梁加強結構焊接設備，包括料架、夾具、用于帶動夾具在第一上料工位、第二上料工位、焊接工位和下料工位之間進行切換的旋轉臺、用于將料架上擺放的加強盒放置在位于第一上料工位的夾具上的第一上料機械手、用于將固定板放置在位于第...
  • 本發明涉及一種用于氣溶膠產生制品的加熱單元，該加熱單元包括：加熱爐，該加熱爐包括爐部件，加熱爐被配置為至少在加熱模式和非加熱模式下操作，該加熱模式用于在氣溶膠產生制品被接納在加熱爐內時加熱氣溶膠產生制品的氣溶膠形成基質；爐支架，該爐支架被配...
  • 本發明涉及一種具有高配置性的定子或轉子繞組，以及使用這種繞組的定子或轉子，其中，使用了具有不同節距的單層發夾，以至少區別狹槽中的兩個位置。這種排布允許獲得更寬的繞組族，從而獲得電平衡的定子或轉子，優選地保持氣隙處的直徑、狹槽的數量和導體的尺...
  • 本公開的目的在于提供一種抑制在設置有液相色譜用檢測器的環境的氣壓變動時產生的噪聲的液相色譜用檢測器。液相色譜用檢測器具有：殼體；檢測元件，其配置于殼體內；導入配管，其用于將流體向檢測元件導入；導入側熱交換部，其配置于殼體內，且使導入配管中的...
  • 一種從廢膜中再循環氟化聚合物的方法，該氟化聚合物包含氟化聚合物主鏈和多個由式?SO3Z表示的基團，其中Z是氫或陽離子，該方法包括：使該廢膜與液體溶劑接觸，以將該廢膜分散在該溶劑中，從而形成該氟化聚合物在該液體溶劑中的分...
  • 一種用于以開環和閉環控制動力工具、特別是手持式動力工具的方法，該動力工具包括動力工具殼體、控制單元、驅動裝置、工具配件、以及輸出裝置，該方法步驟為：?經由至少一個加速度傳感器檢測至少一個加速度值；?如果檢測到的加速度值達到保存在存儲器裝置中...
  • 本發明提供一種半導體器件的制造方法，將現有技術中在形成PMOS區的鍺硅源漏之后打開NMOS區的第二硬掩膜層的步驟，調整到用于形成PMOS區的鍺硅源漏的光刻工藝之前，并采用化學機械拋光CMP的方法一道去除NMOS區和PMOS區的柵極頂部上的第...
  • 本發明涉及一種半導體結構及其制造方法。所述制造方法中，利用對器件區進行的第一導電類型離子注入在各多晶硅電阻內形成相同摻雜劑量的第一導電類型離子，并利用對器件區進行的第二導電類型離子注入在各多晶硅電阻內形成不同摻雜劑量的第二導電類型離子，經過...
  • 本發明提供一種半導體結構及其制作方法，該方法基于同一光罩形成中壓區N阱及高壓區N型調節區于半導體層中，其中，中壓區N阱位于中壓器件區域，高壓區N型調節區位于第一N型漂移區中并位于高壓區柵介質層遠離第二N型漂移區的一側，高壓區N型調節區的底面...
  • 本發明提供一種鈷硅化物的制造方法及半導體器件的制造方法，在對沉積有金屬鈷的硅襯底進行第一溫度下的快速熱處理并去除未反應的鈷以及進行第二溫度下的快速熱處理之后，沉積至少一層介電材料層，并在部分層或全部層的所述介電材料層沉積完成之后的任意合適節...
  • 本申請提供了一種信息處理方法、系統、設備及介質，應用于數字助手的服務端，該方法包括：接收數字助手的客戶端發送的與第一任務主題關聯的第一請求；根據第一請求，確定第一任務主題的元信息，其中，第一任務主題的元信息存儲在數字助手的服務端中；根據第一...
  • 本發明提供一種程序調試方法、系統、存儲介質及設備，該方法包括如下步驟：將調試插件導入所述編程工具以獲取所述編程工具的編譯環境信息；解析所述編譯環境信息并提取出所述編程工具中的程序信息；基于所述程序信息生成調試工程；通過所述編程工具將所述調試...
  • 本申請提供了保存液、保存方法以及沒食子酸烷基酯在保存液中的應用。保存液成分中包含膠體物質和沒食子酸烷基酯，所述保存液中所述沒食子酸烷基酯的濃度為0.1μmol/L～299μmol/L。該保存液可以用于保存細胞、組織、器官，能夠使細胞、組織、...
  • 一種電連接器的直角的公端子具有壓配在一起以形成一過盈配合的分體的第一、第二插針。一個插針具有一無螺紋插口而另一個插針具有對接突部。一個插針的對接突部通過一過盈配合連結于另一個插針的一插口，且兩插針的軸向中心線垂直。這種結構優化平直度和孔的真...
  • 本申請涉及垂直式半導體器件及其制造方法。垂直式半導體器件包括：半導體材料層；第一屏蔽結構，位于半導體材料層，包括第一屏蔽介電層，以及被第一屏蔽介電層圍繞的第一屏蔽電極；第一摻雜區，位于半導體材料層，第一摻雜區具有第一導電型；以及第一柵極結構...
  • 本發明提供一種MOS器件的制作方法，該方法依次形成第一氧化硅側墻、犧牲側墻及第二氧化硅側墻于柵極結構的Y方向兩側，犧牲側墻的頂面低于第一氧化硅側墻的頂面，第二氧化硅側墻的頂端與第二氧化硅側墻的頂端相接，后續通過去除位于柵極結構的X方向兩端的...
  • 本申請公開了一種隨機接入方法、裝置、終端及網絡側設備，屬于通信技術領域，本申請實施例的隨機接入方法，包括：終端接收網絡側設備發送的目標消息，所述目標消息攜帶物理隨機接入信道傳輸機會RO調度信息；所述終端基于所述RO調度信息確定目標RO，并基...
  • 本申請公開了一種基于多輪對話的評測方法、裝置、設備及存儲介質，屬于人工智能領域。該方法包括：獲取大語言模型的多輪對話文本；多輪對話文本中的每輪對話文本包括提問文本和回答文本，提問文本是輸入至大語言模型的文本，回答文本是大語言模型基于提問文本...
  • 本公開實施例提供了一種應用程序的劣化檢測方法、裝置、電子設備以及存儲介質。所述方法包括：確定目標應用程序運行時的目標運行狀態信息，所述目標運行狀態信息用于指示在不同檢測階段目標應用程序進行函數調用時的CPU耗時、函數調用次數以及目標應用程序...
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