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  • 熔點(diǎn)至少為65℃的酰肼在熱固化聚氨酯組合物中用作為熱固化的固化劑，所述組合物包含由至少一種多異氰酸酯和至少一種多元醇獲得的具有異氰酸酯端基的預(yù)聚物，以及至少一種環(huán)氧樹脂。通過所述組合獲得熱固化聚氨酯組合物，其具有改進(jìn)的儲(chǔ)存穩(wěn)定性并且可以在寬...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種基站組件及電器組合，基站組件包括基站及承重框架，基站具有用于容納并承載清潔機(jī)器人的容納腔，容納腔的一側(cè)具有開口，開口用于供清潔機(jī)器人進(jìn)出容納腔；承重框架限定出安裝空間，基站位于所述承重框架內(nèi)。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的基站組件，...
  • 本發(fā)明公開一種二氧化碳捕集利用方法及其裝置和應(yīng)用，以從含二氧化碳的高溫氣體中捕集CO2并將其原位轉(zhuǎn)化為合成氣。含二氧化碳?xì)庾晕椒磻?yīng)器進(jìn)口進(jìn)入吸附反應(yīng)器，并經(jīng)過吸附反應(yīng)器的催化劑床層后，含二氧化碳?xì)庵械亩趸急淮呋瘎?..
  • 本發(fā)明公開一種POE組合物及其制備方法，該P(yáng)OE組合物包括以下質(zhì)量份的組分：石墨烯0.5?4份、改性凹凸棒土10?15份、有機(jī)硅油(改性凹凸棒土和石墨烯兩者總質(zhì)量的2?5％)、殼聚糖8?12份、聚磷酸銨5?10份、納米氫氧化鎂5?10份、偶...
  • 本發(fā)明公開了可交聯(lián)聚乙烯共混物及其制備方法和應(yīng)用。其中，可交聯(lián)聚乙烯共混物包括：80?120重量份的聚乙烯基本樹脂、2?15重量份的極性材料、0.1?5重量份的過氧化物交聯(lián)劑、0.1?1重量份的抗氧劑和0.5?2重量份的除味劑；除味劑包括錳...
  • 本發(fā)明公開了一種高存儲(chǔ)型EPE膠膜、其制備方法及光伏組件，所述高存儲(chǔ)型EPE膠膜包括：沿厚度方向依次疊置的第一EVA層、POE層和第二EVA層；所述第一EVA層包括原料及其重量份數(shù)如下：EVA粒子70～75份，硅烷增粘劑接枝EVA造粒料20...
  • 本發(fā)明屬于空降空投領(lǐng)域，尤其是一種空降空投降落傘智能操縱系統(tǒng)，針對(duì)現(xiàn)有的不便于對(duì)空降的準(zhǔn)確性進(jìn)行把控問題，現(xiàn)提出如下方案，其包括存儲(chǔ)模塊、關(guān)聯(lián)模塊、差異度計(jì)算模塊、分析模塊、判斷模塊、報(bào)警監(jiān)測(cè)模塊、備用開傘模塊、投放定位模塊、環(huán)境分析模塊、...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N影像軟件的測(cè)試方法、裝置及電子設(shè)備。影像軟件的測(cè)試方法包括：檢測(cè)用戶輸入的操作指令，響應(yīng)于操作指令，運(yùn)行測(cè)試腳本，并顯示第一影像數(shù)據(jù)，運(yùn)行一級(jí)功能模塊處理第一影像數(shù)據(jù)，根據(jù)一級(jí)功能模塊對(duì)第一影像數(shù)據(jù)的第一處理結(jié)果，對(duì)二級(jí)功能模...
  • 本申請(qǐng)涉及可穿戴設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提供一種可穿戴設(shè)備的測(cè)試方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括：獲取測(cè)試用例，測(cè)試用例包括一個(gè)或多個(gè)測(cè)試場(chǎng)景；根據(jù)測(cè)試場(chǎng)景，控制終端設(shè)備向可穿戴設(shè)備發(fā)送操作指令，以使可穿戴設(shè)備根據(jù)操作指令執(zhí)行測(cè)試場(chǎng)景；獲取...
  • 本公開是關(guān)于一種知識(shí)問答方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。知識(shí)問答方法包括：獲取用戶輸入的原始知識(shí)文本以及問答數(shù)據(jù)。對(duì)所述原始知識(shí)文本中的內(nèi)容摘要進(jìn)行提取處理，得到第一文本片段；對(duì)所述第一文本片段進(jìn)行特征提取，得到特征向量，所述特征向量中包括關(guān)鍵字特征...
  • 本發(fā)明公開一種車輛的語音交互方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，方法包括：將接收到的用戶語音數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為用戶查詢文本，從用戶查詢文本中提取查詢關(guān)鍵信息并發(fā)送至內(nèi)容提供商；獲取內(nèi)容提供商反饋的對(duì)應(yīng)于查詢關(guān)鍵信息的信源內(nèi)容，并從信源內(nèi)容中提取回復(fù)關(guān)鍵信息；獲...
  • 本申請(qǐng)公開了一種自適應(yīng)內(nèi)容識(shí)別方法以及相關(guān)設(shè)備，可以采集預(yù)定數(shù)量的樣本，得到內(nèi)容安全樣本集；獲取不同量級(jí)的預(yù)訓(xùn)練的語言模型，分別作為學(xué)生模型和教師模型；采用所述學(xué)生模型識(shí)別所述內(nèi)容安全樣本集中的目標(biāo)樣本，以及所述目標(biāo)樣本的類別；基于所述教師...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，通過對(duì)有源區(qū)及電阻區(qū)上對(duì)應(yīng)的多晶半導(dǎo)體層同時(shí)進(jìn)行離子注入工藝，同時(shí)獲得有源區(qū)所需的多晶半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)和電阻區(qū)所需的多晶半導(dǎo)體電阻結(jié)構(gòu)，從而減少了在電阻區(qū)形成多晶半導(dǎo)體電阻結(jié)構(gòu)需要額外增加的一道離子注入工...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種發(fā)光裝置和發(fā)光裝置的制備方法，涉及發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光裝置包括：驅(qū)動(dòng)基板，包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一凹槽，相鄰第一凹槽之間基于基板隔離結(jié)構(gòu)而間隔開；多個(gè)LED芯片，對(duì)應(yīng)電連接在驅(qū)動(dòng)基板的至少部分第一凹槽內(nèi)，LED芯片為不具...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N隨機(jī)接入方法、通信節(jié)點(diǎn)及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括：執(zhí)行第一隨機(jī)接入流程和第二隨機(jī)接入流程中至少之一；所述第一隨機(jī)接入流程中包括第一類消息集合，所述第一類消息集合中包括至少一個(gè)第一類消息，所述至少一個(gè)第一類消息采用第一處理方式；所述...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶體管、電子設(shè)備、晶體管的制備方法。涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。提供一種可以降低柵極漏電流的晶體管。該晶體管包括襯底、溝道層、勢(shì)壘層和柵極，溝道層形成在襯底上，勢(shì)壘層形成在溝道層上，自勢(shì)壘層指向溝道層的方向，柵極貫通勢(shì)壘層的...
  • 本發(fā)明公開了一種用于多晶硅刻蝕過程中減少缺陷產(chǎn)生的方法，至少包括：提供襯底；在所述襯底上形成第一介質(zhì)層和多晶硅層；在所述多晶硅層上形成圖形化的第一光阻層；對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行至少含有F離子的注入；通過N2H2干法刻蝕去除經(jīng)過與F離子反應(yīng)后的第...
  • 本發(fā)明提供一種納米隧穿層的制備方法及其應(yīng)用，納米隧穿層的制備方法包括以下步驟：S1、采用具有氧化性的清洗液體對(duì)硅片進(jìn)行清洗，產(chǎn)生濕法原生氧化層；S2、將硅片置于管式PECVD的石英舟內(nèi)，通入反應(yīng)氣體進(jìn)行保溫，反應(yīng)氣體為氮?dú)夂脱趸詺怏w的混合...
  • 一種發(fā)光芯片、顯示裝置和制造方法。發(fā)光芯片包括第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元，第一發(fā)光單元被配置為出射第一顏色光；第二發(fā)光單元包括第二發(fā)光層和第一透反層，第一透反層被配置為濾除第一顏色光，使第二發(fā)光單元出射第二顏色光；第三發(fā)光單元...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示面板。該顯示面板包括設(shè)置于硅基電路基板上的發(fā)光器件，發(fā)光器件包括第一發(fā)光器件、第二發(fā)光器件以及第三發(fā)光器件，棱鏡組至少包括第一變向棱鏡、第二變向棱鏡以及聚合棱鏡。不同的棱鏡對(duì)應(yīng)設(shè)置在不同色的發(fā)光器件上，且第一變向棱鏡...
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