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  • 一種顯示基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。顯示基板包括至少一個像素島，像素島包括相對設置的第一表面和第二表面，第一表面包括設置在基底上的電路結構層以及設置在電路結構層遠離基底一側的上電極，上電極設置為與發光器件連接，電路結構層設置為控制...
  • 本公開涉及顯示技術領域，公開了一種加壓裝置、發光芯片轉移設備及方法；該加壓裝置包括：圓柱壓頭上設置有光照通孔，光照通孔沿圓柱壓頭的軸向延伸，圓柱壓頭具有施壓端面，施壓端面與軸向垂直；轉筒螺紋配合于圓柱壓頭的外周；透明壓板固定于圓柱壓頭的施壓...
  • 公開了發光基板及其制備方法、顯示裝置，用以提高發光基板的發光效率。本公開實施例提供的一種發光基板，發光基板包括：驅動背板；多個發光單元，位于驅動背板的一側；封裝層，覆蓋發光單元的側面以及發光單元背離驅動背板一側的部分表面；封裝層包括至少一層...
  • 本申請提供一種顯示面板，該顯示面板包括襯底；第一子像素以及第二子像素，第一子像素以及第二子像素均設置在襯底上；第一子像素包括層疊設置的第一布拉格反射層、第一藍色發光層、透射層以及第二布拉格反射層；第二子像素包括層疊設置的第三布拉格反射層、第...
  • 本發明涉及一種太陽能電池及其制備方法，所述太陽能電池包括N型硅片，N型硅片的正面具有金屬化區域和非金屬化區域，金屬化區域依次設置有第一隧穿氧化層、微晶硅層、第二隧穿氧化層、正面摻雜多晶硅層、正面鈍化減反膜以及正面金屬電極，其中，微晶硅層的導...
  • 本發明提供了一種光伏電池和光伏電池制備網版圖形。該光伏電池包括：光伏基板；多個副柵，多個該副柵間隔地橫向布置于該光伏基板；多個主柵，多個該主柵間隔地縱向布置于該光伏基板；多個焊盤，每個該焊盤對應一個該主柵，該主柵連接于該焊盤，且該主柵穿過該...
  • 本發明公開一種降低高度的改良的影像模塊包括有一鏡頭組件、一影像感測芯片、一承載基底、以及一電路基板。電路基板形成一貫穿口。承載基底包含一基底本體、兩個延伸板體及一承載鋼板。基底本體形成貫通的一階梯槽，兩個延伸板體由基底本體的上部橫向向外延伸...
  • 本申請屬于光器件技術領域，提供了一種單光子雪崩二極管陣列、接收傳感器及激光雷達，至少兩個SPAD單元呈陣列設置，微透鏡將入射光匯聚至對應的SPAD單元上，背面金屬網格連接SPAD單元與對應的外部電極，第一介質層設置于微透鏡與SPAD單元之間...
  • 本申請提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，薄膜晶體管包括層疊且通過層間絕緣層絕緣設置的有源結構和柵極，有源結構包括源區、漏區和溝道區，源區和漏區位于溝道區的兩側，在層間絕緣層厚度方向上，柵極的投影與溝道區的投影交疊設置；其...
  • 一種陣列基板及顯示裝置。所述陣列基板包括襯底、晶體管、數據線以及第一電極；至少一個晶體管包括有源層和柵極，有源層包括溝道區、第一區和第二區，溝道區與柵極在襯底的正投影交疊；陣列基板還包括柵絕緣層，柵絕緣層位于有源層遠離襯底的一側，且柵絕緣層...
  • 本發明公開一種顯示面板，其包括一基板以及一子像素。子像素設置在基板上。子像素包括一晶體管，且晶體管包括一柵極、一半導體層、一源極、一漏極以及一偽電極。柵極設置在基板上。半導體層設置在柵極上。源極和漏極設置在半導體層上，其中源極設置在半導體層...
  • 本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管及顯示面板、顯示裝置，該薄膜晶體管包括：設置在襯底上的有源層，有源層包括層疊設置的第一半導體層、第一阻擋層及第二半導體層，第一半導體層位于第二半導體層遠離襯底的一側，第一半導體層的遷移率小于第二...
  • 本公開提供了一種半導體結構及其制造方法，半導體結構包括依次層疊設置的襯底、緩沖層、第一溝道層、刻蝕掩膜層、第一勢壘層、第二溝道層以及第二勢壘層；其中，刻蝕掩膜層為多個條狀結構，相鄰兩個條狀結構之間為條狀凹槽，條狀凹槽的延伸方向為第一方向，條...
  • 本發明實施例提供一種半導體結構及其形成方法、以及檢測方法，形成方法包括：去除偽柵結構的偽柵層后，利用金屬硅化物工藝進行偽柵殘留標定操作，用于將硅材料轉化為金屬硅化物材料。本發明實施例通過利用金屬硅化物工藝進行偽柵殘留標定操作，即將硅材料轉化...
  • 本發明提供了一種使用片上全光交換網絡模塊實現互連的半導體裝置及其制造方法。所述半導體裝置包括：電路板，其具有多條電連接路徑；片上全光交換網絡模塊，其設置在電路板上，所述片上全光交換網絡模塊包括光子芯片和設置在光子芯片上方的多個收發用模擬電芯...
  • 本發明提出一種電源轉換器的控制器。所述控制器耦接至功率輸出級，并提供控制信號至功率輸出級以產生輸出電壓。所述控制器包括模數轉換電路、查找電路、補償電路和脈沖寬度調變電路。模數轉換電路耦接至功率輸出級，用以經由與輸出電壓相關的反饋電壓以及參考...
  • 本發明涉及一種鎳鈷鋁酸鋰材料的制備方法，其包括：將三元前驅體與第一鋰源混合并進行第一燒結，制備得到第一鋰化產物；對所述第一鋰化產物進行包覆后，與第二鋰源混合并進行第二燒結，制備得到所述鎳鈷鋁酸鋰材料。通過應用該制備方法，有助于改善鎳鈷鋁酸鋰...
  • 本申請實施例提供的一種功率放大器、射頻模組和電子設備。功率放大器包括信號輸入端、信號輸出端和并聯連接的多個管芯；管芯包括沿第一方向延伸的電極指條，電極指條包括柵極指條、源極指條和漏極指條；在第二方向上，信號輸入端和信號輸出端分別位于多個管芯...
  • 本發明提供了一種高阻電阻結構及其設計方法，包括：提供偽多晶硅層的初始版圖數據；根據偽多晶硅層生成對應的金屬高阻層，且金屬高阻層位于覆蓋偽多晶硅層的絕緣介質層上；篩選金屬高阻層中版圖面積大于或等于預設數值的金屬電阻作為第一金屬電阻，并將第一金...
  • 本發明涉及一種碳化硅襯底上的氧化層的形成方法及碳化硅器件，所述方法包括：獲取表面形成有厚度不小于厚度閾值的加工氧化層的陪片；將裝載有碳化硅晶圓正片和所述陪片的晶圓承載介質置于第一氧化設備中進行氧化，使所述碳化硅晶圓正片的碳化硅襯底上形成目標...
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