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  • 本公開實施例涉及一種音頻合成方法、裝置、電子設備和存儲介質(zhì)。其中的方法包括：確定相鄰兩幀音頻特征中前一幀的第一重疊特征，并確定相鄰兩幀音頻特征中后一幀的第二重疊特征；其中，重疊特征為相鄰兩幀音頻特征之間的重疊區(qū)域的音頻特征；按照預設音頻長度...
  • 本公開是關于一種音頻生成方法、音頻生成裝置及存儲介質(zhì)。音頻生成方法包括：獲取用于生成目標音頻的目標文本。確定與所述目標文本中每個文本片段對應的音效類別標簽。根據(jù)每個所述文本片段的語義和對應的所述音效類別標簽，生成與每個所述文本片段對應的音效...
  • 本申請實施例提供了一種數(shù)據(jù)的生成方法及裝置，涉及語音識別技術領域。該方法包括：獲取目標媒體文件，所述目標媒體文件包括音頻內(nèi)容和字幕，所述音頻內(nèi)容包括有口音的目標語音；對所述目標語音進行語音識別，以獲取第一文本；根據(jù)所述字幕獲取所述目標語音對...
  • 本公開涉及一種車輛的音區(qū)確定方法、裝置、設備及介質(zhì)，其中，方法包括：響應于接收到語音喚醒指令，對多個目標圖像進行圖像檢測，得到每個目標圖像中的人物關鍵點信息；根據(jù)所述人物關鍵點信息在所述多個目標圖像中的位置變化趨勢，查詢預設對應關系得到用戶...
  • 本申請實施例提供了一種數(shù)據(jù)處理方法及裝置，涉及數(shù)據(jù)處理技術領域。該方法包括：獲取目標媒體文件，所述目標媒體文件包括音頻內(nèi)容和字幕，所述音頻內(nèi)容包括目標語音；對所述目標語音進行語音識別，以獲取第一文本；根據(jù)所述字幕獲取所述目標語音對應第二文本...
  • 本公開提供一種立體聲合成方法、模型構建方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)。音頻處理模型包括聲音事件定位與分類網(wǎng)絡和聲源分離網(wǎng)絡。立體聲合成方法包括：獲取待處理的音頻流；將所述待處理的音頻流輸入音頻處理模型中，以由所述聲音事件定位與分類網(wǎng)絡對所述音頻...
  • 本公開實施例涉及半導體電路設計領域，特別涉及一種刷新防護電路及存儲器，刷新防護電路包括：采樣電路基于激活地址采樣獲取統(tǒng)計地址；地址處理電路判斷多個地址寄存器中存儲的地址是否包括統(tǒng)計地址，若包括統(tǒng)計地址，則存儲統(tǒng)計地址的地址寄存器對應的地址計...
  • 本公開提供的細胞功能區(qū)域的劃分方法及裝置、電子設備和存儲介質(zhì)，涉及數(shù)據(jù)處理技術領域，主要技術方案包括：通過對待處理細胞數(shù)據(jù)進行降維預處理，得到目標細胞數(shù)據(jù)，目標細胞數(shù)據(jù)包含細胞表達譜數(shù)據(jù)及位置信息；確定目標細胞數(shù)據(jù)對應的參考聚類數(shù)；基于參考...
  • 本發(fā)明公開了存儲介質(zhì)、微波閃速熱解工藝優(yōu)化方法、裝置和設備，其中所述方法包括生物油產(chǎn)量預測模型的生成步驟：獲取包括有生物質(zhì)微波閃速熱解設備多個參數(shù)項的歷史數(shù)據(jù)；參數(shù)項包括原料數(shù)據(jù)類參數(shù)項、工藝數(shù)據(jù)類參數(shù)項和生物油產(chǎn)量類參數(shù)項；根據(jù)歷史數(shù)據(jù)的...
  • 本申請公開了一種遠程控制方法及裝置、遠程控制系統(tǒng)。其中，該方法包括：獲取操作信息，其中，操作信息，包括：根據(jù)第一目標對象對控制設備的操作生成的第一類操作信息，以及根據(jù)第一目標對象在軟鍵盤上的操作生成的第二類操作信息，軟鍵盤顯示在終端設備中，...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)模型生成方法、裝置、電子設備和存儲介質(zhì)，其中，該方法包括：根據(jù)針對目標醫(yī)療業(yè)務域下的目標醫(yī)療活動輸入的字段設置操作，確定目標醫(yī)療活動的多個業(yè)務字段以及目標醫(yī)療活動對應的醫(yī)療業(yè)務系統(tǒng)，根據(jù)醫(yī)療業(yè)務系統(tǒng)，獲取多個業(yè)務字段的字...
  • 本申請?zhí)峁┮环N硼注入系統(tǒng)及方法，涉及核電技術領域，其中，所述系統(tǒng)包括：能動注入單元，包括第一硼酸箱和泵，所述第一硼酸箱的出口連接所述泵的入口，所述泵的出口通過第一管路連接堆芯；非能動注入單元，包括第二硼酸箱、高壓儲氣罐和第一控制閥，所述第二...
  • 本發(fā)明提供一種晶圓位置矯正裝置及方法，該矯正裝置包括：承載臺、圖像采集單元、處理單元及機械控制單元，其中，承載臺用于承載晶圓盒，晶圓盒用于盛放晶圓；圖像采集單元與晶圓間隔預設距離，用于采集晶圓狀態(tài)圖像；處理單元中邊緣識別模型識別采集晶圓的邊...
  • 本發(fā)明公開了一種金屬大馬士革一體化刻蝕方法及芯片，應用于芯片制備技術領域，在基于等離子體刻蝕硬掩膜時，使用高于標準源射頻功率的目標源射頻功率，以及使用低于標準偏置射頻功率的目標偏置射頻功率對硬掩膜進行刻蝕，以使刻蝕硬掩膜所形成的刻蝕槽的側壁...
  • 本申請?zhí)峁┮环N正極極片及其制備方法、二次電池和用電裝置。正極極片的制備方法包括如下步驟，在集流體的待裁切區(qū)域涂覆導電底涂漿料，形成復合集流體；在復合集流體涂覆活性材料漿料，形成第一極片；在第一極片的待裁切區(qū)域進行裁切，得到第二極片，第二極片...
  • 本申請涉及一種負極極片、二次電池和用電裝置，屬于二次電池技術領域。本申請?zhí)峁┑呢摌O極片包括負極集流體和設置在負極集流體的至少一個表面的負極活性材料層，負極活性材料層包含具有片層結構的石墨，且至少部分相鄰的石墨片層之間嵌有陰離子，該負極極片有...
  • 本申請公開了一種負極極片及其制備方法、電池和用電裝置，負極極片包括式Ⅰ所示的聚合物：
  • 本申請?zhí)峁┮环N極片、電極組件、電池單體、電池及用電裝置，屬于電池技術領域。極片包括集流體和活性物質(zhì)層，活性物質(zhì)層設于集流體的表面并且包括沿預設方向順序排列的N個分區(qū)，其中，N≥2，并且，相鄰分區(qū)的電化學性能不同。
  • 本申請涉及負極極片及其制造方法、包括其的二次電池和用電裝置。其中所述負極極片包括負極集流體、設置在所述負極集流體的表面上的導電涂層以及設置在所述導電涂層的表面上的包括多孔顆粒的涂層。通過設置包括多孔顆粒的涂層，提供了更多的形核位點，實現(xiàn)了負...
  • 本申請涉及一種正極極片及其制備方法、二次電池和用電裝置，屬于二次電池技術領域。本申請的正極極片包括依次層疊設置的第一正極活性材料層、正極集流體和第二正極活性材料層，第一正極活性材料層包含放電平臺電壓大于或等于3.6V的第一正極活性材料，第二...
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